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用于光學鄰近修正修復的方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510345788.4

申請日:

2015.06.18

公開號:

CN106257330A

公開日:

2016.12.28

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G03F 1/36申請日:20150618|||公開
IPC分類號: G03F1/36(2012.01)I 主分類號: G03F1/36
申請人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
發明人: 杜杳雋
地址: 201203 上海市浦東新區張江路18號
優先權:
專利代理機構: 北京市磐華律師事務所 11336 代理人: 董巍;高偉
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510345788.4

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2017.01.25|||2016.12.28

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種用于光學鄰近修正修復的方法,所述方法包括:選擇包含問題圖案的特定圖案;對整個芯片進行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域;以及在所述特定區域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于所述問題圖案的其他邊緣的站點分配,以進行基于站點的邊緣放置誤差控制。本發明所提供的用于光學鄰近修正修復的方法基于圖案匹配進行站點分配,使得基于站點的邊緣放置誤差控制可以在考慮壞點的環境的情況下進行,從而可以獲得最佳站點分配方案,實現高效的光學鄰近修正修復。

權利要求書

1.一種用于光學鄰近修正修復的方法,其特征在于,所述方法
包括:
選擇包含問題圖案的特定圖案;
對整個芯片進行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域;
以及
在所述特定區域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于所述問題
圖案的其他邊緣的站點分配,以進行基于站點的邊緣放置誤差控制。
2.如權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述特定區
域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于所述問題圖案的其他邊緣的
站點分配包括在所述問題邊緣上創建數量比所述其他邊緣上多的站
點。
3.如權利要求2所述的方法,其特征在于,所述在所述問題邊
緣上創建數量比所述其他邊緣上多的站點包括:
在所述問題邊緣上創建多個站點;以及
在所述其他邊緣上各自創建一個站點。
4.如權利要求3所述的方法,其特征在于,所述在所述問題邊
緣上創建多個站點進一步包括:
在所述問題邊緣上附上多個標記;以及
在所述多個標記中的每一個內創建站點。
5.如權利要求4所述的方法,其特征在于,所述多個標記為多
個矩形標記,所述在所述多個標記中的每一個內創建站點包括在所述
多個矩形標記中的每一個的中心處創建站點。
6.如權利要求3-5中的任一項所述的方法,其特征在于,所述
在所述問題邊緣上創建多個站點包括在所述問題邊緣上創建兩個站
點。
7.如權利要求1-5中的任一項所述的方法,其特征在于,所述
基于站點的邊緣放置誤差控制考慮了所述問題邊緣的環境因素。
8.如權利要求7所述的方法,其特征在于,所述特定區域視為
所述問題邊緣的環境區域。
9.如權利要求1-5中的任一項所述的方法,其特征在于,所述
方法是針對連接孔層的光學鄰近修正修復。
10.如權利要求9所述的方法,其特征在于,所述連接孔為接觸
孔。

說明書

用于光學鄰近修正修復的方法

技術領域

本發明涉及半導體技術領域,具體而言涉及一種用于光學鄰近修
正修復(Optical Proximity Correction repair,OPC repair)的方法。

背景技術

隨著集成電路的復雜度越來越高,特征尺寸也變的越來越小。當
集成電路的特征尺寸接近光刻機曝光的系統極限,即特征尺寸接近或
小于光刻光源時,硅片上制造出的版圖會出現明顯的畸變,該現象稱
為光學鄰近效應。為了應對光學鄰近效應,提出了分辨率增強技術。
其中,光學鄰近修正(即OPC)已成為最重要的技術。

通常實施OPC以確保模擬輪廓能夠與目標輪廓相吻合。當前一
種有效的方法是基于站點(site)的邊緣放置誤差(edge placement error,
EPE)控制使輪廓符合規格。在該方法中,通常對將在半導體上產生
的結構的邊緣分配站點,使沿著每個站點的邊緣放置誤差最小化,從
而實現該結構所期望的規格。然而,現有的站點分配通常基于單個邊
緣而不顧與該邊緣相關聯的環境因素,因此可能無法獲得最佳站點分
配方案而導致壞點(weak point)的出現。

發明內容

針對現有技術的不足,本發明提供一種用于光學鄰近修正修復的
方法,所述方法包括:選擇包含問題圖案的特定圖案;對整個芯片進
行掃描以定位與所述特定圖案相匹配的特定區域;以及在所述特定區
域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于所述問題圖案的其他邊緣的
站點分配,以進行基于站點的邊緣放置誤差控制。

在本發明的一個實施例中,所述在所述特定區域內對問題圖案的
問題邊緣進行不同于所述問題圖案的其他邊緣的站點分配包括在所
述問題邊緣上創建數量比所述其他邊緣上多的站點。

在本發明的一個實施例中,所述在所述問題邊緣上創建數量比所
述其他邊緣上多的站點包括:在所述問題邊緣上創建多個站點;以及
在所述其他邊緣上各自創建一個站點。

在本發明的一個實施例中,所述在所述問題邊緣上創建多個站點
進一步包括:在所述問題邊緣上附上多個標記;以及在所述多個標記
中的每一個內創建站點。

在本發明的一個實施例中,所述多個標記為多個矩形標記,所述
在所述多個標記中的每一個內創建站點包括在所述多個矩形標記中
的每一個的中心處創建站點。

在本發明的一個實施例中,所述在所述問題邊緣上創建多個站點
包括在所述問題邊緣上創建兩個站點。

在本發明的一個實施例中,所述基于站點的邊緣放置誤差控制考
慮了所述問題邊緣的環境因素。

在本發明的一個實施例中,所述特定區域視為所述問題邊緣的環
境區域。

在本發明的一個實施例中,所述方法是針對連接孔層的光學鄰近
修正修復。

在本發明的一個實施例中,所述連接孔為接觸孔(contact,CT)。

本發明所提供的用于光學鄰近修正修復的方法基于圖案匹配進
行站點分配,使得基于站點的邊緣放置誤差控制可以在考慮壞點的環
境的情況下進行,從而可以獲得最佳站點分配方案,實現高效的光學
鄰近修正修復。

附圖說明

本發明的下列附圖在此作為本發明的一部分用于理解本發明。附
圖中示出了本發明的實施例及其描述,用來解釋本發明的原理。

附圖中:

圖1示出了由于非最佳站點分配而導致的接觸孔壞點的示意圖;

圖2示出了接觸孔壞點及其環境的示意圖;

圖3示出了根據本發明一個實施例的用于光學鄰近修正修復的
方法的流程圖;

圖4示出了采用圖3的方法進行光學鄰近修正修復的示例;以及

圖5示出了采用圖3的方法進行光學鄰近修正修復的另一示例。

具體實施方式

在下文的描述中,給出了大量具體的細節以便提供對本發明更為
徹底的理解。然而,對于本領域技術人員而言顯而易見的是,本發明
可以無需一個或多個這些細節而得以實施。在其他的例子中,為了避
免與本發明發生混淆,對于本領域公知的一些技術特征未進行描述。

應當理解的是,本發明能夠以不同形式實施,而不應當解釋為局
限于這里提出的實施例。相反地,提供這些實施例將使公開徹底和完
全,并且將本發明的范圍完全地傳遞給本領域技術人員。

在此使用的術語的目的僅在于描述具體實施例并且不作為本發
明的限制。在此使用時,單數形式的“一”、“一個”和“所述/該”
也意圖包括復數形式,除非上下文清楚指出另外的方式。還應明白術
語“組成”和/或“包括”,當在該說明書中使用時,確定所述特征、
整數、步驟、操作、元件和/或部件的存在,但不排除一個或更多其
它的特征、整數、步驟、操作、元件、部件和/或組的存在或添加。
在此使用時,術語“和/或”包括相關所列項目的任何及所有組合。

為了徹底理解本發明,將在下列的描述中提出詳細的步驟以及詳
細的結構,以便闡釋本發明提出的技術方案。本發明的較佳實施例詳
細描述如下,然而除了這些詳細描述外,本發明還可以具有其他實施
方式。

OPC已經成為集成電路制造工藝中關鍵尺寸控制和良率提升不
可缺少的途徑。例如,對接觸孔等連通孔的OPC程序(recipe)通常
被設計用于確保模擬輪廓能夠與目標輪廓相吻合。當前一種有效的方
法是基于站點的邊緣放置誤差控制使輪廓符合規格。在該方法中,通
常對將在半導體上產生的結構的每個邊緣分配一個稱為“站點”的線
段,以使沿著每個站點的邊緣放置誤差最小化,從而實現該結構的所
期望的規格。對于很多情況,這樣的站點分配方案可以很好地工作。
然而,對于某些情況,這樣的站點分配方案并非最佳站點分配方案,
仍有可能存在壞點,正如圖1所示出的。

在當前階段,站點分配基于單個邊緣而不顧與邊緣相關聯的環境
因素。圖2以接觸孔為例示出了接觸孔壞點及其環境的示意圖,虛線
方框可以視為問題接觸孔的環境區域。然而,現有技術沒有將問題邊
緣的環境因素考慮在站點分配中,這樣的站點分配方案可能導致如圖
1所示出的存在壞點的情況。

對于上述情況,可以通過修改站點分配方案用于特定的結構來提
高OPC的收斂性。然而,當壞點數目增多時,這樣的修改方案將會
有很大的復雜度。此外,將問題邊緣的環境因素納入到OPC程序中,
也會使得OPC程序的構建非常復雜。

針對上述問題,本發明提供了用于光學鄰近修正修復的方法。圖
3示出了根據本發明一個實施例的用于光學鄰近修正修復的方法300
的流程圖。如圖3所示,方法300包括以下步驟:

步驟301:選擇包含問題圖案的特定圖案。具體地,可以選擇包
含問題圖案(壞點)的小片區域,以形成特定圖案。

步驟302:對整個芯片進行掃描以定位與該特定圖案相匹配的特
定區域。具體地,可以采用圖案匹配的方法在整個芯片中定位出與步
驟301中形成的特定圖案相匹配的圖案區域,以實現基于圖案匹配的
站點分配。

步驟303:在該特定區域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于該
問題圖案的其他邊緣的站點分配,以進行基于站點的邊緣放置誤差控
制。

圖案匹配的性質使其能夠自動包括對壞點環境的考慮,經由圖案
匹配所得到的特定區域即可以視為壞點的環境區域。因此,基于圖案
匹配進行站點分配,可以使得基于站點的邊緣放置誤差控制在考慮壞
點的環境的情況下進行,從而可以獲得最佳站點分配方案,實現高效
的光學鄰近修正修復。因此,方法300允許在無需構建復雜OPC程
序的情況下針對壞點進行特定的站點分配。

具體地,在特定區域內對問題圖案的問題邊緣進行不同于問題圖
案的其他邊緣的站點分配可以包括在問題邊緣上創建數量比其他邊
緣上多的站點。對問題邊緣分配更多數量的站點,可以使得問題邊緣
的修復在顧忌環境因素的情況下更為精細。例如,在問題邊緣上創建
數量比其他邊緣上多的站點可以包括:在問題邊緣上創建多個站點,
以及在其他邊緣上各自創建一個站點。在考慮環境因素的情況下對問
題邊緣進行特殊的站點分配,可以得到更佳的站點分配方案,實現更
好的光學鄰近修正修復。

其中,在問題邊緣上創建多個站點可以進一步包括:在問題邊緣
上附上多個標記,以及在多個標記中的每一個內創建站點。例如可以
在問題邊緣上附上兩個標記,如圖4所示出的。每當一個圖案匹配到
芯片上的一個區域時,可以在圖案匹配的過程中在問題邊緣上引入標
記,通常可以引入多個標記,每個標記對應于一個站點。

具體地,所述多個標記可以為多個矩形標記,在多個標記中的每
一個內創建站點可以包括在多個矩形標記中的每一個的中心處創建
站點,正如圖5所示出的。對于問題邊緣,可以在多個矩形標記(圖
5中示出為兩個)的中心分別創建站點,而對于其他邊緣,可以常規
地對其各自分配一個站點。這樣,既可以提高光學鄰近修正修復的質
量,又不會使其計算量大大增加。

基于上述方法,基于站點的邊緣放置誤差控制將可以在站點分配
中考慮問題邊緣的環境因素,基于圖案匹配所形成的特定區域即可以
視為問題邊緣的環境區域。在考慮壞點的環境的情況下進行基于站點
的邊緣放置誤差控制,可以獲得最佳站點分配方案,實現高效的光學
鄰近修正修復。

在本文的附圖及上面的描述中,以接觸孔為示例示出了根據本發
明實施例的用于光學鄰近修正修復的方法。本領域普通技術人員可以
理解,上述方法還可以適用于其他連接孔層以及其他任何將在半導體
上產生的結構的光學鄰近修正修復。

本發明已經通過上述實施例進行了說明,但應當理解的是,上述
實施例只是用于舉例和說明的目的,而非意在將本發明限制于所描述
的實施例范圍內。此外本領域技術人員可以理解的是,本發明并不局
限于上述實施例,根據本發明的教導還可以做出更多種的變型和修
改,這些變型和修改均落在本發明所要求保護的范圍以內。本發明的
保護范圍由附屬的權利要求書及其等效范圍所界定。

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用于 光學 鄰近 修正 修復 方法
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