• / 27
  • 下載費用:30 金幣  

信號失真降低的顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201610438829.9

申請日:

2016.06.17

公開號:

CN106257572A

公開日:

2016.12.28

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G09G 3/3208申請日:20160617|||公開
IPC分類號: G09G3/3208(2016.01)I 主分類號: G09G3/3208
申請人: 三星顯示有限公司
發明人: 金兌勛; 羅志洙; 李承珪
地址: 韓國京畿道龍仁市
優先權: 2015.06.22 KR 10-2015-0088709
專利代理機構: 北京銘碩知識產權代理有限公司 11286 代理人: 劉燦強
PDF完整版下載: PDF下載
法律狀態
申請(專利)號:

CN201610438829.9

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2018.07.17|||2016.12.28

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

提供了一種信號失真降低的顯示裝置,所述顯示裝置包括:數據線,在第一方向上延伸;主掃描線,與數據線基本平行地設置;子掃描線,在穿過主掃描線的第二方向上延伸,其中,子掃描線與主掃描線電連接;驅動電壓線,在第一方向上延伸并且設置在數據線與主掃描線之間;以及屏蔽層,設置在與其上設置有驅動電壓線的層不同的層上,屏蔽層與驅動電壓線電連接,其中,屏蔽層與數據線和主掃描線中的至少一條疊置。

權利要求書

1.一種顯示裝置,所述顯示裝置包括:
數據線,在第一方向上延伸;
主掃描線,與所述數據線平行地設置;
子掃描線,在穿過所述主掃描線的第二方向上延伸,其中,所述子掃描
線與所述主掃描線電連接;
驅動電壓線,在所述第一方向上延伸并且設置在所述數據線與所述主掃
描線之間;以及
屏蔽層,設置在與其上設置有所述驅動電壓線的層不同的層上,所述屏
蔽層與所述驅動電壓線電連接,其中,所述屏蔽層與所述數據線和所述主掃
描線中的至少一條疊置。
2.根據權利要求1所述的顯示裝置,其中,所述數據線、所述主掃描線
和所述驅動電壓線設置在同一層上。
3.根據權利要求2所述的顯示裝置,其中,所述屏蔽層設置在其上設置
有所述子掃描線的層上。
4.根據權利要求3所述的顯示裝置,其中,所述子掃描線設置在所述數
據線、所述主掃描線和所述驅動電壓線下方。
5.根據權利要求2所述的顯示裝置,所述顯示裝置還包括具有第一存儲
電容器極板和第二存儲電容器極板的存儲電容器,所述第二存儲電容器極板
與所述第一存儲電容器極板疊置并且設置在所述第一存儲電容器極板上方,
其中,所述屏蔽層是所述第二存儲電容器極板的一部分。
6.根據權利要求5所述的顯示裝置,其中,所述第二存儲電容器極板設
置在所述數據線、所述主掃描線和所述驅動電壓線下方。
7.根據權利要求1-6中的任意一個權利要求所述的顯示裝置,其中,所
述屏蔽層與所述數據線和所述主掃描線中的每條疊置。
8.根據權利要求1-6中的任意一個權利要求所述的顯示裝置,其中,兩
個子像素彼此鄰近地設置成關于平行于所述第一方向的軸對稱地相對。
9.根據權利要求8所述的顯示裝置,其中,所述屏蔽層整體地形成在所
述兩個鄰近的子像素中。
10.根據權利要求1-6中的任意一個權利要求所述的顯示裝置,所述顯
示裝置包括顯示區域,所述顯示區域在所述顯示區域的外周邊中不包括有角
的部分,
其中,所述數據線、所述主掃描線、所述子掃描線和所述驅動電壓線設
置在所述顯示區域中。

說明書

信號失真降低的顯示裝置

本申請要求于2015年6月22日在韓國知識產權局提交的第
10-2015-0088709號韓國專利申請的優先權,該韓國專利申請的公開內容通過
引用全部包含于此。

技術領域

本發明構思的示例性實施例涉及一種顯示裝置,更具體地,涉及一種具
有降低的數據信號失真的顯示裝置。

背景技術

在有機發光顯示裝置中,薄膜晶體管(TFT)通常設置在每個子像素中
以調整每個子像素的亮度。TFT根據接收到的數據信號調整每個子像素的亮
度。

然而,在顯示裝置中,數據信號在被傳輸到子像素時可能失真,因此,
子像素的實際亮度可能不同于預期的亮度。在這種情況下,圖像會不同于所
預期地顯示在顯示裝置上。因此,顯示圖像可能是低質量圖像。

發明內容

根據本發明構思的示例性實施例,顯示裝置包括在第一方向上延伸的數
據線。主掃描線與數據線基本平行地設置。子掃描線在穿過主掃描線的第二
方向上延伸,其中,子掃描線與主掃描線電連接。驅動電壓線在第一方向上
延伸并且設置在數據線與主掃描線之間。屏蔽層設置在與其上設置有驅動電
壓線的層不同的層上,屏蔽層與驅動電壓線電連接。屏蔽層與數據線和主掃
描線中的至少一條疊置。

在本發明構思的示例性實施例中,數據線、主掃描線和驅動電壓線設置
在同一層上。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層設置在其上設置有子掃描線的
層上。

在本發明構思的示例性實施例中,子掃描線設置在數據線、主掃描線和
驅動電壓線下方。

在本發明構思的示例性實施例中,顯示裝置還包括具有第一存儲電容器
極板和第二存儲電容器極板的存儲電容器,第二存儲電容器極板與第一存儲
電容器極板疊置并且設置在第一存儲電容器極板上方。屏蔽層是第二存儲電
容器極板的一部分。

在本發明構思的示例性實施例中,第二存儲電容器極板設置在數據線、
主掃描線和驅動電壓線下方。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層與數據線和主掃描線中的每條
疊置。

在本發明構思的示例性實施例中,兩個子像素彼此鄰近地設置成關于平
行于第一方向的軸對稱地相對。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層整體地形成在兩個鄰近的子像
素中。

在本發明構思的示例性實施例中,顯示裝置包括顯示區域,所述顯示區
域在顯示區域的外周邊中不包括有角的部分。數據線、主掃描線、子掃描線
和驅動電壓線設置在顯示區域中。

在本發明構思的示例性實施例中,顯示裝置包括圓形的、卵形的、或橢
圓形的顯示區域。數據線、主掃描線、子掃描線和驅動電壓線設置在顯示區
域中。

根據本發明構思的示例性實施例,顯示裝置包括設置在第一層上的子掃
描線,子掃描線在第二方向上延伸。屏蔽層設置在第二層上。主掃描線設置
在第三層上,主掃描線在穿過第二方向的第一方向上延伸。子掃描線和主掃
描線電連接。第二層設置在第一層和第三層之間。數據線設置在第三層上并
且在第一方向上延伸。驅動電壓線設置在第三層上并且在第一方向上延伸。
屏蔽層與驅動電壓線電連接。屏蔽層與數據線和主掃描線中的至少一條疊置。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層與數據線和主掃描線疊置。

在本發明構思的示例性實施例中,顯示裝置還包括電容器,其中,電容
器包括設置在第一層上的第一電容器極板和設置在第二層上的第二電容器極
板,其中,第二電容器極板電連接到屏蔽層。

在本發明構思的示例性實施例中,第二電容器極板和驅動電壓線通過形
成在第三層中的接觸孔電連接。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層是第二電容器極板的一部分。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層具有L形狀。

在本發明構思的示例性實施例中,數據線設置在主掃描線和驅動電壓線
之間。

根據本發明構思的示例性實施例,顯示裝置包括設置在第一層上的子掃
描線,子掃描線在第二方向上延伸。屏蔽層設置在第一層上。電容器包括設
置在第一層上的第一電容器極板和設置在第二層上的第二電容器極板。主掃
描線設置在第三層上,主掃描線在穿過第二方向的第一方向上延伸。子掃描
線和主掃描線電連接。第二層設置在第一層和第三層之間。數據線設置在第
三層上并且在第一方向上延伸。驅動電壓線設置在第三層上并且在第一方向
上延伸。屏蔽層電連接到驅動電壓線。屏蔽層與數據線或主掃描線疊置。

在本發明構思的示例性實施例中,屏蔽層與數據線和主掃描線疊置。

附圖說明

通過參照附圖詳細地描述本發明構思的示例性實施例,本發明構思的以
上和其他特征和方面將變得更加明顯且更易于理解,在附圖中:

圖1是根據本發明構思的示例性實施例示出顯示裝置的一部分的圖;

圖2是根據本發明構思的示例性實施例示出圖1的顯示裝置的一部分的
圖;

圖3是根據本發明構思的示例性實施例示出圖1的顯示裝置的一部分的
圖;

圖4是根據本發明構思的示例性實施例示出圖1的顯示裝置的子像素的
等效電路圖;

圖5是根據本發明構思的示例性實施例示出圖4的子像素中的多個薄膜
晶體管(TFT)、電容器和其他元件的位置的布局圖;

圖6至圖9是根據本發明構思的示例性實施例而依據設置有圖5的多個
TFT和電容器的組件的層來示出圖5的多個TFT和電容器的組件的布局圖;

圖10是根據本發明構思的示例性實施例示出包括在顯示裝置的兩個子
像素中的多個TFT和電容器的位置的布局圖;以及

圖11至圖13是根據本發明構思的示例性實施例而依據設置有包括在顯
示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的層來示出包括在顯示裝置的
子像素中的多個TFT和電容器的組件的布局圖。

具體實施方式

在下文中,將參照附圖詳細地描述本發明構思的示例性實施例。然而,
本發明構思可以以不同形式來實現,并且不應該被解釋為受限于這里闡述的
示例性實施例。如這里所使用的,術語“和/或”可以包括一個或更多個相關
列出項的任意組合和全部組合。

貫穿說明書,同樣的附圖標號可以表示同樣的元件。因此,可以省略對
其重復的描述。

將理解的是,當層、區域或組件被稱為“形成在”另一層、區域或組件
“上”時,該層、區域或組件可以直接形成在所述另一層、區域或組件上,
或者可以存在中間層、區域或組件。為了便于解釋,可以夸大附圖中組件的
尺寸。因此,因為為了便于解釋可以任意示出附圖中組件的尺寸和厚度,所
以本發明構思的示例性實施例不限于此。

圖1是根據本發明構思的示例性實施例示出顯示裝置的一部分的圖。圖
2是根據本發明構思的示例性實施例示出圖1的顯示裝置的一部分的圖。根
據本發明構思的示例性實施例的顯示裝置包括設置在基底Sub上的多條第一
數據線DL1、多條第二數據線DL2、多條主掃描線MSL、多條子掃描線SSL、
多個第一數據線焊盤DLP1、多個第二數據線焊盤DLP2、多個掃描線焊盤SLP
和多條驅動電壓線。

基底Sub可以通過使用諸如玻璃、金屬或塑料的各種材料形成。基底Sub
包括顯示區域DA和在平面圖中圍繞顯示區域DA的第一外圍區域PA1。在
圖1和圖2中,顯示區域DA是圓形形狀的而第一外圍區域PA1是環形形狀
的并且在平面圖中圍繞顯示區域DA。根據本發明構思的示例性實施例,顯示
區域DA可以是圓形的、橢圓形的等。根據本發明構思的示例性實施例,第
一外圍區域PA1沿顯示區域DA的外周邊設置。如圖1和圖2中示出的,除
了第一外圍區域PA1之外,基底Sub可以包括從第一外圍區域PA1的一部分
突出的第二外圍區域PA2。例如,第二外圍區域PA2可以連接到第一外圍區
域PA1。顯示區域DA可以包括第一顯示區域和第二顯示區域。例如,如圖1
和圖2中示出的,顯示區域DA的第一顯示區域和第二顯示區域中的每個可
以是半圓形形狀的,第一顯示區域和第二顯示區域的彼此接觸的各個部分可
以穿過顯示區域DA的中心并且在y軸方向上延伸。例如,第一顯示區域可
以對應于圖1的顯示區域DA的左部,第二顯示區域可以對應于圖1的顯示
區域DA的右部。

多條第一數據線DL1可以在y軸方向上延伸、可以設置在第一顯示區域
中并且可以彼此平行地穿過第一顯示區域。為了便于描述,在圖1中,八條
第一數據線D1至D8被示例性示出在第一顯示區域中(例如,設置在第一區
域中)。當顯示區域DA是圓形形狀的區域時,第一數據線D1至D8可以具
有如圖1中示出的不同的長度。第二數據線DL2也可以在y軸方向上延伸并
且可以彼此平行地穿過第二顯示區域。與第一數據線D1至D8相似,在圖1
中,八條第二數據線D9至D16被示例性示出在第二顯示區域中。因為顯示
區域DA是圓形形狀的,所以第二數據線D9至D16可以具有如圖1中示出
的不同的長度。第二數據線D9至D16平行于第一數據線D1至D8。

參照圖2,主掃描線MSL彼此平行地穿過顯示區域DA,主掃描線MSL
平行于第一數據線DL1和第二數據線DL2。在圖2中,十六條主掃描線MS1
至MS16示例性示出為在y軸方向上延伸。主掃描線MS1至MS16可以具有
不同的長度,或者一些可以具有相同的長度。當設置穿過顯示區域DA的主
掃描線MSL時,每條主掃描線MSL可以設置在顯示區域DA的至少一部分
中。每條主掃描線MSL不必穿過整個顯示區域DA。

主掃描線MSL可以包括多條第一主掃描線MSL1和多條第二主掃描線
MSL2。在這種情況下,與第一數據線DL1相似,第一主掃描線MSL1可以
彼此平行地穿過第一顯示區域。與第二數據線DL2相似,第二主掃描線MSL2
可以彼此平行地穿過第二顯示區域。在圖2中,在左側的八條主掃描線MS1
至MS8是第一主掃描線MSL1,在右側的八條主掃描線MS9至MS16是第二
主掃描線MSL2。八條主掃描線MS1至MS8和八條主掃描線MS9至MS16
是為了便于解釋而示例性示出的。本發明構思的示例性實施例可以包括大于
或小于八條第一主掃描線MSL1以及大于或小于八條第二主掃描線MSL2。

主掃描線MSL不直接接觸第一數據線DL1或第二數據線DL2。在主掃
描線MSL設置在與第一數據線DL1和第二數據線DL2同一層上的情況下,
它們可以交替地設置使得主掃描線MSL與第一數據線DL1彼此不直接接觸。
可選擇地,在需要時,主掃描線MSL可以設置在不同于其上設置有第一數據
線DL1和第二數據線DL2的層的層上。

子掃描線SSL彼此平行地穿過顯示區域DA。設置多條子掃描線SSL使
得它們與主掃描線MSL交叉(例如,穿過主掃描線MSL)。在圖2中,子掃
描線SSL在x軸方向上延伸并與在y軸方向上延伸的主掃描線MSL交叉。
子掃描線SSL可以分別連接到主掃描線MSL。在圖2中,多條子掃描線SSL
中的十六條子掃描線SS1至SS16分別連接到十六條主掃描線MS1至MS16。

子掃描線SSL可以設置在不同于其上設置有主掃描線MSL的層的層上。
絕緣層可以設置在子掃描線SSL與主掃描線MSL之間。此外,子掃描線SSL
可以通過形成在絕緣層中的接觸孔電連接到主掃描線MSL。在圖2中,子掃
描線SSL通過用黑點表示的接觸孔電連接到主掃描線MSL。例如,主掃描線
MS1電連接到子掃描線SS1,主掃描線MS2電連接到子掃描線SS2,同樣地,
主掃描線MS16電連接到子掃描線SS16。

第一數據線DL1和第二數據線DL2與子掃描線SSL之間的交叉可以限
定子像素。在下文中,子像素和像素兩者都可以被稱為“子像素”。圖3是示
出圖1的顯示裝置的一部分(例如,子像素區域)的圖。如圖3中示出的,
子像素P(3,6)位于子掃描線SS3與數據線D6之間的交叉處,子像素P(3,7)位
于子掃描線SS3與數據線D7之間的交叉處,子像素P(3,8)位于子掃描線SS3
與數據線D8之間的交叉處。子像素P(4,6)位于子掃描線SS4與數據線D6之
間的交叉處,子像素P(4,7)位于子掃描線SS4與數據線D7之間的交叉處,子
像素P(4,8)位于子掃描線SS4與數據線D8之間的交叉處。

子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)中的每個可以包括
薄膜晶體管(TFT)或電容器以及顯示器件。顯示器件可以包括例如有機發
光器件(OLED)。可以使用各種方法來控制由子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、
P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發射的光的量。例如,通過將掃描信號施加到主掃描線
MS3,掃描信號傳輸到電連接到主掃描線MS3的子掃描線SS3,可以選擇連
接到子掃描線SS3的子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)。在這種情況下,當與將
要由子像素P(3,6)、P(3,7)和P(3,8)發射的光的亮度有關的數據信號施加到數
據線D6至D8時,可以根據施加的數據信號來確定由子像素P(3,6)、P(3,7)
和P(3,8)發射的光的亮度。通過將掃描信號施加到主掃描線MS4,掃描信號
傳輸到電連接到主掃描線MS4的子掃描線SS4,可以選擇子像素P(4,6)、P(4,7)
和P(4,8)。在這種情況下,當與將要由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發射的光
的亮度有關的數據信號施加到數據線D6至D8時,可以根據施加的數據信號
來確定由子像素P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)發射的光的亮度。

除了主掃描線MS2至MS4、子掃描線SS3和SS4以及數據線D6至D8
之外,圖3中也示出了驅動電壓線P6至P8。根據本發明構思的示例性實施
例的顯示裝置包括在y軸方向上延伸并彼此平行地穿過第一顯示區域和第二
顯示區域的驅動電壓線。驅動電壓線P6至P8將子像素P(3,6)、P(3,7)、P(3,8)、
P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)的發射所需要的電信號傳輸到子像素P(3,6)、P(3,7)、
P(3,8)、P(4,6)、P(4,7)和P(4,8)。

如圖1中示出的,第一數據線焊盤DLP1可以位于基底Sub的第二外圍
區域PA2中而不是基底Sub的顯示區域DA中,使得數據信號可以施加到第
一數據線DL1。第一數據線焊盤DLP1可以位于第一數據線DL1的一側(例
如,-y方向)使得第一數據線焊盤DLP1可以連接到第一數據線DL1。如圖
1中示出的,第二數據線焊盤DLP2可以位于基底Sub的第二外圍區域PA2
中而不是基底Sub的顯示區域DA中,使得數據信號可以施加到第二數據線
DL2。第二數據線焊盤DLP2可以設置在第二數據線DL2的一側(例如,-y
方向)使得第二數據線焊盤DLP2可以連接到第二數據線DL2。

如圖1中示出的,第一數據線焊盤DLP1可以僅指示位于第二外圍區域
PA2中且平行于y軸方向延伸的元件。在這種情況下,可以通過圖1中的不
平行于x軸或y軸的連接線連接第一數據線焊盤DLP1和第一數據線DL1。
連接線可以設置在其上設置有第一數據線焊盤DLP1和第一數據線DL1的層
上或者在與其上設置有第一數據線焊盤DLP1和第一數據線DL1的層不同的
層上。連接線可以通過接觸孔使第一數據線焊盤DLP1與第一數據線DL1電
連接。相似的結構也可以應用于第二數據線焊盤DLP2以及使第二數據線焊
盤DLP2與第二數據線DL2連接的連接線。例如,連接第二數據線焊盤DLP2
與第二數據線DL2的連接線可以設置在第二數據線焊盤DLP2和第二數據線
DL2位于其上的層上,或者在與其上設置有第二數據線焊盤DLP2和第二數
據線DL2的層不同的層上。連接線可以通過接觸孔使第二數據線焊盤DLP2
與第二數據線DL2電連接。

如圖2中示出的,掃描線焊盤SLP可以設置在基底Sub的第二外圍區域
PA2中而不是基底Sub的顯示區域DA中,使得掃描信號可以施加到主掃描
線MSL。掃描線焊盤SLP可以設置在主掃描線MSL的一側(例如,-y方向)
使得掃描線焊盤SLP可以連接到主掃描線MSL。掃描線焊盤SLP可以設置
在第一數據線焊盤DLP1與第二數據線焊盤DLP2之間。

掃描驅動電路SDU可以設置在主掃描線MSL與掃描線焊盤SLP之間。
主掃描線MSL和掃描線焊盤SLP可以電連接到掃描驅動電路SDU。掃描驅
動電路SDU包括例如移位寄存器,并且還可以包括在形成顯示區域DA中的
子像素中包括的TFT時同時形成的TFT。

掃描驅動電路SDU可以根據驅動顯示裝置的方法以各種方式操作。例
如,掃描信號可以順序地施加到主掃描線MS 1至MS16使得掃描信號可以順
序地施加到子掃描線SS1至SS 16。因此,可以選擇電連接到子掃描線SS1
的子像素,順序地選擇電連接到子掃描線SS2的子像素直到電連接到子掃描
線SS 16的子像素。在這種情況下,掃描線焊盤SLP可以是向其施加掃描驅
動電路SDU中的TFT所需要的高信號、低信號和/或時鐘信號的組件。

掃描驅動電路SDU可以以各種方式構造。例如,如圖2中示出的,掃描
驅動電路SDU可以包括電連接到第一主掃描線MSL1的第一掃描驅動電路
SDU1以及電連接到第二主掃描線MSL2的第二掃描驅動電路SDU2。在這種
情況下,第一掃描線焊盤SLP1可以電連接到第一掃描驅動電路SDU1,第二
掃描線焊盤SLP2可以電連接到第二掃描驅動電路SDU2。

集成電路(IC)或IC附著于其的印刷電路板(PCB)可以附著到第一數
據線焊盤DLP1、第二數據線焊盤DLP2和掃描線焊盤SLP。因此,經過IC
的電信號可以輸入到第一數據線焊盤DLP1、第二數據線焊盤DLP2和掃描線
焊盤SLP,因此,圖像顯示在顯示區域DA中。

在下文中,將描述每個子像素的構造。

圖4是根據本發明構思的示例性實施例示出圖1的顯示裝置的子像素的
等效電路圖。如圖4中示出的,根據本發明構思的示例性實施例的有機發光
顯示裝置的子像素包括多條信號線121、122、123、124、171和172、連接
到信號線121、122、123、124、171和172的多個TFT T1至T6、存儲電容
器Cst以及OLED。信號線121、122、123、124、171和172可以在多個子
像素之間共用。

TFT包括驅動TFT T1、開關TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、操
作控制TFT T5和發射控制TFT T6。

信號線包括傳輸掃描信號Sn的掃描線121、將前掃描信號Sn-1傳輸到
初始化TFT T4的前掃描線122、將發射控制信號En傳輸到操作控制TFT T5
和發射控制TFT T6的發射控制線123、與掃描線121交叉并且傳輸數據信號
Dm的數據線171、傳輸驅動電壓ELVDD并且基本平行于數據線171的驅動
電壓線172、傳輸使驅動TFT T1初始化的初始化電壓Vint的初始化電壓線
124。掃描線121或前掃描線122可以連接到上面參照圖1至圖3描述的子掃
描線SS1至SS16或者包括在子掃描線SS1至SS16的一部分中。根據連接到
數據線171的子像素的位置,數據線171可以是第一數據線DL1中的一條或
第二數據線DL2中的一條。

驅動TFT T1的柵電極GE1連接到存儲電容器Cst的第一存儲電容器極
板Cst1,驅動TFT T1的源電極SE1通過操作控制TFT T5與驅動電壓線172
連接,驅動TFT T1的漏電極DE1通過發射控制TFT T6與OLED的像素電極
電連接。驅動TFT T1根據開關TFT T2的開關操作接收數據信號Dm并且將
驅動電流IOLED供應到OLED。

開關TFT T2的柵電極GE2連接到掃描線121,開關TFT T2的源電極
SE2連接到數據線171,開關TFT T2的漏電極DE2連接到驅動TFT T1的源
電極SE1并且通過操作控制TFT T5連接到驅動電壓線172。開關TFT T2通
過經由掃描線121接收到的掃描信號Sn而導通,并且執行包括將經由數據線
171接收到的數據信號Dm傳輸到驅動TFT T1的源電極SE1的開關操作。

補償TFT T3的柵電極GE3連接到掃描線121,補償TFT T3的源電極
SE3連接到驅動TFT T1的漏電極DE1并且通過發射控制TFT T6連接到
OLED的像素電極,補償TFT T3的漏電極DE3連接到存儲電容器Cst的第一
存儲電容器極板Cst1、初始化TFT T4的漏電極DE4和驅動TFT T1的柵電極
GE1。補償TFT T3通過經由掃描線121接收的掃描信號Sn導通,電連接驅
動TFT T1的柵電極GE1和漏電極DE1,因此,二極管連接驅動TFT T1。

初始化TFT T4的柵電極GE4連接到前掃描線122,初始化TFT T4的源
電極SE4與初始化電壓線124連接,初始化TFT T4的漏電極DE4連接到存
儲電容器Cst的第一存儲電容器極板Cst1、補償TFT T3的漏電極DE3和驅
動TFT T1的柵電極GE1。初始化TFT T4通過經由前掃描線122接收的前掃
描信號Sn-1導通,并且執行初始化操作。例如,初始化TFT T4通過將初始
化電壓Vint傳輸到驅動TFT T1的柵電極GE1來將驅動TFT T1的柵電極GE1
的電壓初始化。

操作控制TFT T5的柵電極GE5連接到發射控制線123,操作控制TFT T5
的源電極SE5連接到驅動電壓線172,操作控制TFT T5的漏電極DE5連接
到驅動TFT T1的源電極SE1和開關TFT T2的漏電極DE2。

發射控制TFT T6的柵電極GE6連接到發射控制線123,發射控制TFT T6
的源電極SE6連接到驅動TFT T1的漏電極DE1和補償TFT T3的源電極SE3,
發射控制TFT T6的漏電極DE6與OLED的像素電極電連接。操作控制TFT T5
和發射控制TFT T6通過經由發射控制線123接收到的發射控制信號En而同
時導通,驅動電壓ELVDD傳輸到OLED,驅動電流IOLED流入OLED中。

存儲電容器Cst的第二存儲電容器極板Cst2連接到驅動電壓線172,
OLED的相對電極連接到公共電壓ELVSS。因此,OLED通過用從驅動TFT T1
接收的驅動電流IOLED發射光來顯示圖像。

在下文中,將根據本發明構思的示例性實施例描述有機發光顯示裝置的
子像素的操作。

在初始化時段期間,通過前掃描線122供應低電平前掃描信號Sn-1。隨
后,初始化TFT T4根據低電平前掃描信號Sn-1而導通,來自初始化電壓線
124的初始化電壓Vint通過初始化TFT T4傳輸到驅動TFT T1的柵電極GE1。
因此,驅動TFT T1被初始化電壓Vint初始化。

在數據編程時段期間,通過掃描線121供應低電平掃描信號Sn。隨后,
開關TFT T2和補償TFT T3根據低電平掃描信號Sn導通。因此,驅動TFT T1
通過導通的補償TFT T3二極管連接并且正向偏置。隨后,從數據線171供應
的數據信號Dm減去驅動TFT T1的閾值電壓,例如,補償電壓(Dm+驅動
TFT T1的閾值電壓,其中,驅動TFT T1的閾值電壓是負(-)值)施加到驅
動TFT T1的柵電極GE1。驅動電壓ELVDD和補償電壓(Dm+驅動TFT T1
的閾值電壓)施加到存儲電容器Cst的兩端。因此,存儲電容器Cst存儲與驅
動電壓ELVDD和補償電壓之間的電壓差對應的電荷。

在發射時段期間從發射控制線123供應的發射控制信號En從高電平改
變為低電平。因為操作控制TFT T5和發射控制TFT T6通過低電平發射控制
信號En導通,因此,產生根據驅動TFT T1的柵電極GE1的電壓與驅動電壓
ELVDD之間的電壓差而確定的驅動電流IOLED。驅動電流IOLED通過發射控制
TFT T6供應到OLED。在發射時段期間,驅動TFT T1的柵極-源極電壓通過
存儲電容器Cst保持為(Dm+驅動TFT T1的閾值電壓)-ELVDD。基于驅動TFT
T1的電流-電壓關系,因為驅動電流IOLED與(Dm-ELVDD)2(驅動TFT T1的
柵極-源極電壓減去驅動TFT T1的閾值電壓的平方值)有關,所以與驅動TFT
T1的閾值Vth無關地確定驅動電流IOLED。

在下文中,將參照圖5至圖9描述圖4的有機發光顯示裝置的子像素的
詳細結構。

圖5是根據本發明構思的示例性實施例示出圖4的子像素的多個薄膜晶
體管(TFT)、電容器和其他元件的位置的布局圖。圖6至圖9是根據本發明
構思的示例性實施例而依據設置有圖5的多個TFT和電容器的組件的層來示
出圖5的多個TFT和電容器的組件的布局圖。例如,圖6至圖9示出設置在
同一層(例如,在各個圖中示出的層)上的線或半導體層的布局。絕緣層可
以設置在圖6至圖9中示出的層上的結構之間。例如,第一絕緣層可以設置
在圖6中示出的層與圖7中示出的層之間,第二絕緣層可以設置在圖7中示
出的層與圖8中示出的層之間,層間絕緣層可以設置在圖8中示出的層與圖
9中示出的層之間。接觸孔可以形成在絕緣層中以使圖6至圖9中示出的層
上的結構電連接且豎直連接。

根據本發明構思的示例性實施例的有機發光顯示裝置的子像素包括形成
在行方向上并且分別施加掃描信號Sn、前掃描信號Sn-1、發射控制信號En
和初始化電壓Vint的掃描線121、前掃描線122、發射控制線123和初始化
電壓線124。根據本發明構思的示例性實施例的有機發光顯示裝置的子像素
可以包括與掃描線121、前掃描線122、發射控制線123和初始化電壓線124
交叉并且將數據信號Dm和驅動電壓ELVDD分別施加到子像素的數據線171
和驅動電壓線172。

子像素可以包括驅動TFT T1、開關TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT
T4、操作控制TFT T5、發射控制TFT T6、存儲電容器Cst以及OLED。

驅動TFT T1、開關TFT T2、補償TFT T3、初始化TFT T4、操作控制
TFT T5和發射控制TFT T6沿圖6中示出的以各種方式彎曲的半導體層形成。
半導體層可以包括對應于驅動TFT T1的驅動半導體層131a、對應于開關TFT
T2的開關半導體層131b、對應于補償TFT T3的補償半導體層131c1、131c2
和131c3、對應于初始化TFT T4的初始化半導體層131d1、131d2和131d3、
對應于操作控制TFT T5的操作控制半導體層131e以及對應于發射控制TFT
T6的發射控制半導體層131f。驅動半導體層131a、開關半導體層131b、補
償半導體層131c1、131c2和131c3、初始化半導體層131d1、131d2和131d3、
操作控制半導體層131e和發射控制半導體層131f可以是圖6中示出的半導
體層的部分。

半導體層可以包括多晶硅。另外,半導體層可以包括例如沒有摻雜有雜
質的溝道區以及在溝道區的兩側通過摻雜雜質形成的源區和漏區。雜質可以
根據TFT的類型而變化,可以使用N型雜質或P型雜質。此外,通過摻雜形
成的源區或漏區可以是TFT的源電極或漏電極。例如,在圖6中示出的半導
體層中,驅動源電極176a可以對應于在驅動半導體層131a附近通過摻雜雜
質形成的驅動源區176a,驅動漏電極177a可以對應于在驅動半導體層131a
附近通過摻雜雜質形成的驅動漏區177a。此外,在圖6中示出的半導體層中,
半導體層的在TFT之間的部分可以用雜質摻雜并且用作電連接TFT的導線。

存儲電容器Cst可以包括其間有第二絕緣層的第一存儲電容器極板125a
和第二存儲電容器極板127。第一存儲電容器極板125a也可以用作驅動TFT
T1的驅動柵電極。因此,可以整體地形成驅動TFT T1的驅動柵電極和第一
存儲電容器極板125a。在下文中,為了便于描述,驅動TFT T1的驅動柵電
極可以通過與第一存儲電容器極板125a相同的附圖標號來表示。

如圖7中示出的,第一存儲電容器極板125a可以是四邊形形狀的并且與
鄰近的子像素分隔開。第一存儲電容器極板125a可以形成在掃描線121、前
掃描線122、發射控制線123位于其上的層上,第一存儲電容器極板125a、
掃描線121、前掃描線122、發射控制線123可以使用相同的材料同時形成。

開關柵電極125b和補償柵電極125c1和125c2是掃描線121的與半導體
層交叉的部分或者從掃描線121突出的部分。初始化柵電極125d1和125d2
是前掃描線122的與半導體層交叉的部分或者是從前掃描線122突出的部分。
操作控制柵電極125e和發射控制柵電極125f是發射控制線123的與半導體
層交叉的部分或者從發射控制線123突出的部分。

子像素的第二存儲電容器極板127和鄰近的子像素的第二存儲電容器極
板可以整體地形成。如圖8中示出的,第二存儲電容器極板127可以形成在
初始化電壓線124位于其上(例如,設置于其上)的層上,第二存儲電容器
極板127和初始化電壓線124可以使用相同的材料同時形成。存儲開口27可
以形成在第二存儲電容器極板127中。連接件174可以通過存儲開口27使第
一存儲電容器極板125a與補償TFT T3的漏電極177c電連接,這將在下面描
述。第二存儲電容器極板127可以通過形成在層間絕緣層中的接觸孔168連
接到驅動電壓線172。

驅動TFT T1包括驅動半導體層131a、驅動柵電極125a、驅動源電極176a
和驅動漏電極177a。如上所述,驅動柵電極125a也可以用作第一存儲電容器
極板125a。驅動源電極176a設置在驅動柵電極125a的外部中(圖3中的-x
方向上),驅動漏電極177a設置在驅動柵電極125a的外部中(圖3中的+x
方向上)。驅動源電極176a和驅動漏電極177a設置在驅動柵電極125a的相
對側處。

開關TFT T2包括開關半導體層131b、開關柵電極125b、開關源電極176b
和開關漏電極177b。開關源電極176b可以通過形成在第一絕緣層、第二絕
緣層和層間絕緣層中的接觸孔164與數據線171電連接。如果有必要,數據
線171的靠近接觸孔164的一部分可以用作開關TFT T2的源電極。開關漏電
極177b對應于在開關半導體層131b附近通過摻雜雜質形成的開關漏區177b。

補償TFT T3包括補償半導體層131c1、131c2和131c3、補償柵電極125c1
和125c2、補償源電極176c以及補償漏電極177c。補償源電極176c對應于
在補償半導體層131c1、131c2和131c3附近通過摻雜雜質形成的補償源區
176c。補償漏電極177c對應于在補償半導體層131c1、131c2和131c3附近
通過摻雜雜質形成的補償漏區177c。補償柵電極125c1和125c2是包括第一
柵電極125c1和第二柵電極125c2的雙柵電極并且可以防止或減小漏電流。
補償TFT T3的補償漏電極177c可以通過使用連接件174與第一存儲電容器
極板125a連接。補償半導體層131c1、131c2和131c3可以包括對應于第一
柵電極125c1的一部分131c1、對應于第二柵電極125c2的一部分131c3以及
在兩個部分131c1與131c3之間的一部分131c2。

如圖9中示出的,連接件174可以形成在數據線171位于其上的同一層
上,連接件174和數據線171可以使用相同的材料同時形成。連接件174的
一端通過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔166與補
償漏電極177c和初始化漏電極177d連接。連接件174的另一端通過形成在
第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔167與第一存儲電容器極板125a連接。
連接件174的所述另一端通過形成在第二存儲電容器極板127中的存儲開口
27與第一存儲電容器極板125a連接。

初始化TFT T4包括初始化半導體層131d1、131d2和131d3、初始化柵
電極125d1和125d2、初始化源電極176d以及初始化漏電極177d。初始化漏
電極177d對應于在初始化半導體層131d1、131d2和131d3附近通過摻雜雜
質形成的初始化漏區177d。

初始化源電極176d通過初始化連接線78與初始化電壓線124連接。初
始化連接線78的一端通過形成在第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔161與
初始化電壓線124連接。初始化連接線78的另一端可以通過形成在第一絕緣
層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔162與初始化源電極176d連接。

操作控制TFT T5包括操作控制半導體層131e、操作控制柵電極125e、
操作控制源電極176e和操作控制漏電極177e。操作控制源電極176e可以通
過形成在第一絕緣層、第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔165與驅動電壓
線172電連接。如果有必要,驅動電壓線172的靠近接觸孔165的一部分可
以用作操作控制TFT T5的源電極。操作控制漏電極177e對應于在操作控制
半導體層131e附近通過摻雜雜質形成的操作控制漏區177e。

發射控制TFT T6包括發射控制半導體層131f、發射控制柵電極125f、
發射控制源電極176f以及發射控制漏電極177f。發射控制源電極176f對應
于在發射控制半導體層131f附近通過摻雜雜質形成的發射控制源區176f。如
圖9中示出的,發射控制漏電極177f是在形成有數據線171或驅動電壓線172
的層間絕緣層上的一部分。發射控制漏電極177f可以通過形成在第一絕緣層、
第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔163連接到下半導體層。可選擇的是,
下半導體層的一部分可以包括發射控制漏電極,附圖標號177f可以指示用于
使發射控制漏電極和OLED的像素電極連接的中間連接層。

驅動TFT T1的驅動半導體層131a的一端與開關半導體層131b以及補償
半導體層131c1、131c2和131c3連接。驅動半導體層131a的另一端與操作
控制半導體層131e和發射控制半導體層131f連接。因此,驅動源電極176a
與開關漏電極177b和操作控制漏電極177e連接,驅動漏電極177a與補償源
電極176c和發射控制源電極176f連接。

開關TFT T2用作選擇用于發光的子像素的開關器件。開關柵電極125b
與掃描線121連接,開關源電極176b與數據線171連接,開關漏電極177b
與驅動TFT T1和操作控制TFT T5連接。

如圖9中示出的,發射控制TFT T6的發射控制漏電極177f通過形成在
覆蓋例如數據線171或驅動電壓線172的保護層或平坦化層中的接觸孔181
與OLED的像素電極連接。

如圖5和圖7中示出的,屏蔽層129可以位于與驅動電壓線172位于其
上的層不同的層上,使得屏蔽層129與數據線171和主掃描線173中的至少
一條疊置。屏蔽層129可以通過形成在第二絕緣層和層間絕緣層中的接觸孔
168'與驅動電壓線172連接。屏蔽層129不與設置在其上設置有驅動電壓線
172的同一層上的數據線171和主掃描線173接觸。另外,屏蔽層129不電
連接到數據線171和主掃描線173。如圖7中示出的,屏蔽層129可以設置
在其上設置有掃描線121的層上。屏蔽層129和掃描線121可以設置在數據
線171、主掃描線173和驅動電壓線172下方。

如上所述,主掃描線173通過形成在絕緣層中的接觸孔169與掃描線121
電連接,使得在x軸方向上串聯布置的多個子像素被選擇。如上所述,掃描
線121可以是子掃描線SS1至SS16中的任意一條。在x軸方向上延伸的掃
描線121可以布置在y軸方向上使得它們彼此平行,電信號順序地施加到掃
描線121。這對應于將電信號順序地施加到在y軸方向上延伸的主掃描線
MSL,如圖2中所示。當電信號施加到主掃描線MSL時,影響在主掃描線
MSL附近的數據線(例如,圖1的數據線D1至D16)的數據信號。

如圖5中示出的,向其施加恒定電信號的驅動電壓線172可以設置(例
如,位于)在主掃描線173與數據線171之間,使得數據線171的數據信號
較少地受施加到主掃描線173的電信號影響。然而,即使在這種情況下,壞
點也可能出現在由圖2中的黑點指示的位置處或者在靠近黑點的位置處。由
于在主掃描線173和掃描線121通過接觸孔169連接的位置處的邊緣效應,
造成數據線171的數據信號可能受施加到主掃描線173的電信號影響。結果,
在由圖2中的黑點指示的位置處或者靠近黑點的子像素處的OLED的亮度可
能不同于它們的預期亮度,因此,通過有機發光顯示裝置顯示的圖像可能具
有降低的質量。

然而,因為根據本發明構思的示例性實施例的有機發光顯示裝置包括屏
蔽層129,所以可以防止或減小圖像質量的降低。可以通過使數據線171和
主掃描線173中的至少一條與屏蔽層129疊置來降低或防止由于邊緣效應導
致的主掃描線173的電信號對數據線171的數據信號造成的影響。屏蔽層129
電連接到向其施加恒定電信號的驅動電壓線172。因此,有機發光顯示裝置
可以顯示良好質量的圖像。例如,通過將數據線171和主掃描線173與屏蔽
層129疊置,可以降低由于邊緣效應導致的由主掃描線173的電信號對數據
線171的數據信號造成的影響。屏蔽層129電連接到向其施加恒定電信號的
驅動電壓線172。

如圖1中示出的,根據本發明構思的示例性實施例的顯示裝置可以包括
沒有突出部分、拐角或有角的外周邊的顯示區域DA。例如,根據本發明構思
的示例性實施例的顯示裝置可以包括圓形的、卵形的或橢圓形的顯示區域
DA。因此,顯示裝置的基底可以具有圓形的、卵形的或橢圓形的形狀。

如圖2中示出的,在具有圓形的、卵形的或橢圓形的形狀的顯示裝置中,
掃描驅動電路SDU和數據驅動電路可以位于顯示裝置的外周邊處。因此,如
圖2中示出的,通過將主掃描線MSL與子掃描線SSL交叉而選擇多個子像
素。如上所示,盡管在主掃描線MSL與子掃描線SSL交叉處或附近圖像質
量可能降低,但是屏蔽層129可以防止或減小圖像質量在主掃描線MSL與子
掃描線SSL交叉處或附近降低。

圖10是根據本發明構思的示例性實施例示出包括在顯示裝置的兩個子
像素P1和P2中的多個TFT和電容器的位置的布局圖。如圖10中示出的,
兩個子像素P1和P2關于與數據線171、驅動電壓線172和主掃描線173在
兩個子像素P1和P2之間延伸的方向平行的軸而彼此鄰近。此外,兩個子像
素P1和P2的除了主掃描線173之外的組件關于所述軸對稱地布置。圖10
中示出的子像素P1的結構基于穿過圖5的子像素的中心并平行于y軸的軸與
圖5的子像素的結構鏡像對稱。

當子像素P1和P2的除了主掃描線173之外的組件基于所述軸形成對稱
時,子像素P1的數據線171可以遠離穿過子像素P2的主掃描線173。此外,
子像素P2的數據線171可以遠離穿過子像素P1的主掃描線173。因此,子
像素P1和P2的數據線171的數據信號可以被主掃描線173較少地影響或不
受主掃描線173影響。另外,如圖10中示出的,屏蔽層129可以整體地形成
在鄰近的子像素P1和P2中以簡化結構。

在圖10中,可以由連接到穿過子像素P1的主掃描線173的掃描線121
同時選擇子像素P1和P2。此外,穿過子像素P2的主掃描線173可以沿子像
素P1和P2的+y方向傳輸用于選擇子像素的電信號。穿過子像素P2的主掃
描線173可以通過接觸孔169'連接到子像素P1和P2的前掃描線122并且將
前掃描信號Sn-1傳輸到子像素P1和P2的前掃描線122。

圖11至圖13是根據本發明構思的示例性實施例而依據設置有包括在顯
示裝置的子像素中的多個TFT和電容器的組件的層來示出包括在顯示裝置的
子像素中的多個TFT和電容器的組件的布局圖。根據本發明構思的示例性實
施例的顯示裝置的子像素也可以示出為圖4的等效電路圖。顯示裝置的子像
素可以具有如下結構:圖6中示出的半導體層和圖11中示出的層具有設置于
其間的第一絕緣層,圖11中示出的層和圖12中示出的層具有設置于其間的
第二絕緣層,圖12中示出的層和圖13中示出的層具有設置于其間的層間絕
緣層。

在參照圖5至圖9描述的根據本發明構思的示例性實施例的顯示裝置中,
如圖7中示出的,屏蔽層129設置在其上設置有掃描線121的層上。然而,
如圖12中示出的,在根據本發明構思的示例性實施例的顯示裝置中,屏蔽層
129可以設置在其上設置有第二存儲電容器極板127的層上。第二存儲電容
器極板127設置在第一存儲電容器極板125a上方。在這種情況下,屏蔽層129
可以被包括在第二存儲電容器極板127的一部分中。第二存儲電容器極板127
位于數據線171、主掃描線173和驅動電壓線172下方。

第二存儲電容器極板127可以通過形成在層間絕緣層中的接觸孔168與
向其施加恒定電信號的驅動電壓線172連接。因此,恒定電信號也施加到包
括在第二存儲電容器極板127的一部分中的屏蔽層129。通過將數據線171
和主掃描線173中的至少一條與屏蔽層129疊置,可以降低或防止由于邊緣
效應導致的主掃描線173的電信號對數據線171的數據信號造成的影響。因
此,可以通過有機發光顯示裝置顯示高質量圖像。在這種情況下,因為不另
外需要接觸孔來連接屏蔽層129與驅動電壓線172,所以可以簡化顯示裝置
的結構。

根據本發明構思的示例性實施例的顯示裝置可以以各種方式修改,例如,
顯示裝置可以包括圖7中示出的屏蔽層129以及圖12中示出的屏蔽層129。
此外,與上面的描述不同,還可以包括與圖6中示出的整體形成的半導體層
分隔開的島型半導體層。島型半導體層可以被摻雜且是導電的,島型半導體
層可以通過接觸孔與驅動電壓線172連接。島型半導體層可以與數據線171
和主掃描線173中的至少一條疊置以用作屏蔽層。

盡管屏蔽層129被描述為設置在數據線171和主掃描線173下方,但是
本發明構思不限于此。例如,屏蔽層129可以設置在數據線171和主掃描線
173上方、在數據線171上方且在主掃描線173下方、或者按照其他不同形
式。

發明構思不限于有機發光顯示裝置。除了有機發光顯示裝置之外,可以
實現包括子像素中的TFT和數據線的任意類型的顯示裝置使得以與上述方式
相同或相似的方式包括屏蔽層,因此,顯示高質量圖像。

應該理解的是,這里描述的本發明構思的示例性實施例將被認為僅以描
述性意義考慮而不是出于限制的目的。在本發明構思的示例性實施例中的特
征或方面的描述應該被認為成可用于貫穿說明書描述的本發明構思的示例性
實施例。

盡管已經參照附圖描述了示例性實施例,但是本領域的普通技術人員將
理解的是,在不脫離由權利要求所限定的精神和范圍的情況下,可以在這里
做出形式和細節上的各種改變。

關 鍵 詞:
信號 失真 降低 顯示裝置
  專利查詢網所有資源均是用戶自行上傳分享,僅供網友學習交流,未經上傳用戶書面授權,請勿作他用。
關于本文
本文標題:信號失真降低的顯示裝置.pdf
鏈接地址:http://www.rgyfuv.icu/p-6100850.html
關于我們 - 網站聲明 - 網站地圖 - 資源地圖 - 友情鏈接 - 網站客服客服 - 聯系我們

[email protected] 2017-2018 zhuanlichaxun.net網站版權所有
經營許可證編號:粵ICP備17046363號-1 
 


收起
展開
山东11选5中奖结果走势图