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一種基于微棱鏡陣列的微結構成形方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510924839.9

申請日:

2015.12.11

公開號:

CN105467750A

公開日:

2016.04.06

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G03F 7/00申請日:20151211|||公開
IPC分類號: G03F7/00; G02B5/00 主分類號: G03F7/00
申請人: 四川云盾光電科技有限公司
發明人: 姜世平; 董小春; 郭小偉; 曹志明; 張宜文; 胡玲
地址: 610207四川省成都市雙流縣西南航空港經濟開發區工業集中區三期
優先權:
專利代理機構: 四川力久律師事務所51221 代理人: 韓洋; 王蕓
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510924839.9

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2016.05.04|||2016.04.06

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

一種基于微棱鏡陣列的微結構成形方法:(1)在基底表面涂覆光刻膠;(2)將基底的光刻膠面放置于微棱鏡陣列下方;(3)利用準直后的激光光源作為曝光光源照射微棱鏡陣列;(4)在曝光過程中,移動微棱鏡陣列或移動涂覆有光刻膠的基片,對抗蝕劑表面光強的連續調制;(5)取出基片進行顯影,獲得需要的局域干涉光刻微結構。本發明不需要大型設備制備光刻掩膜,大大降低了工藝的復雜程度。

權利要求書

1.一種基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于步驟如下:(1)在基底表面涂覆光刻膠;(2)將基底的光刻膠面放置于微棱鏡陣列下方;(3)利用準直后的激光光源作為曝光光源照射微棱鏡陣列;(4)在微棱鏡上方放置掩模圖形;(5)在曝光過程中,移動微棱鏡陣列或移動涂覆有光刻膠的基片,對抗蝕劑表面光強的連續調制;(6)取出基片進行顯影,獲得需要的局域干涉光刻微結構。2.本發明不需要大型設備制備光刻掩膜,大大降低了工藝的復雜程度。3.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(1)中的基底為紅外材料,或者是可見光材料。4.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(1)中的光刻膠的型號AZ1500,光刻膠的厚度為幾百納米到1微米。5.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(2)中掩模圖形為周期圖形,或為非周期圖形。6.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(3)中的光源為激光光源。7.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(4)中掩模圖形尺度為幾毫米到幾厘米。8.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(4)中的曝光時間為幾十秒到幾十分鐘。9.根據權利要求1所述的基于微棱鏡陣列的微結構成形方法,其特征在于:所述步驟(4)中,掩模圖形或者微棱鏡陣列或者基片的移動方式為平動,或轉動。

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一種 基于 棱鏡 陣列 微結構 成形 方法
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