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陣列基板、顯示面板以及顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201511032316.X

申請日:

2015.12.31

公開號:

CN105487307A

公開日:

2016.04.13

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/1343申請日:20151231|||公開
IPC分類號: G02F1/1343; G02F1/1362; G02F1/1368 主分類號: G02F1/1343
申請人: 京東方科技集團股份有限公司
發明人: 李會; 林允植; 崔賢植; 彭寬軍; 賈玉娥; 張慧
地址: 100015北京市朝陽區酒仙橋路10號
優先權:
專利代理機構: 北京市柳沈律師事務所11105 代理人: 彭久云
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201511032316.X

授權公告號:

105487307B||||||

法律狀態公告日:

2017.05.24|||2016.05.11|||2016.04.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置,該陣列基板包括設置在襯底基板上的多條柵線、多條數據線和多個子像素;子像素內設置相互絕緣的第一電極和第二電極,第一電極包括多個第一電極條,第二電極包括多個第二電極條;多個第一電極條和多個第二電極條在襯底基板上的投影中,其中一個第二電極條的投影和與其在第一方向上相鄰的第一電極條的投影在平行于第一方向上的距離為S1;該第二電極條的投影和與其在與第一方向相反的方向上相鄰的第一電極條的投影在平行于第一方向上的距離為S2;多個子像素包括第一疇和第二疇,第一疇包括S1大于S2的部分,第二疇包括S1小于S2的部分。該陣列基板對關鍵尺寸偏差和重疊余量等工藝偏差的容忍度提高。

權利要求書

1.一種陣列基板,包括襯底基板和設置在所述襯底基板上的多條柵線、
多條數據線和多個子像素;
所述子像素內設置相互絕緣的第一電極和第二電極,所述第一電極包括
多個第一電極條,所述第二電極包括多個第二電極條,所述多個第一電極條
之間電連接,所述多個第二電極條之間電連接;
所述多個第一電極條和所述多個第二電極條在所述襯底基板上的投影
中,其中一個所述第二電極條的投影和與其在第一方向上相鄰的所述第一電
極條的投影在平行于第一方向上的距離為S1;所述第二電極條的投影和與
其在所述第一方向的相反方向上相鄰的所述第一電極條的投影在平行于第
一方向上的距離為S2,所述第一方向為沿所述數據線的一個延伸方向,或
者,所述第一方向為沿所述柵線的一個延伸方向;
所述多個子像素包括第一疇和第二疇,所述第一疇和所述第二疇位于同
一子像素中或位于不同的子像素中,所述第一疇包括S1大于S2的部分,所
述第二疇包括S1小于S2的部分。
2.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述第一疇中所述第一電
極條和所述第二電極條的延伸方向相同,所述第二疇中所述第一電極條和所
述第二電極條的延伸方向相同,所述第一疇和所述第二疇中的電極條的延伸
方向相同或不同。
3.根據權利要求2所述的陣列基板,其中,所述第一疇的電極條的延
伸方向和所述第二疇的電極條的延伸方向的夾角大于等于零度且小于等于
90度。
4.根據權利要求1所述的陣列基板,其中,所述第一疇還包括S1小于
S2的部分,所述第二疇還包括S1大于S2的部分。
5.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一疇和所
述第二疇位于同一子像素中,所述子像素還包括與所述第一疇呈鏡像對稱的
第三疇以及與所述第二疇呈鏡像對稱的第四疇。
6.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一疇和所
述第二疇位于不同的子像素中,所述第一疇位于第一子像素中,所述第二疇
位于第二子像素中,所述陣列基板還包括與所述第一子像素呈鏡像對稱的第
三子像素和與所述第二子像素呈鏡像對稱的第四子像素。
7.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一疇和所
述第二疇中,所述S1大于S2的部分的面積等于所述S1小于S2的部分的面
積。
8.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,
0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3。
9.根據權利要求8所述的陣列基板,其中,0.4μm≤|S1-S2|≤0.6μm。
10.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一電極為
公共電極,所述第二電極為像素電極,或者,所述第一電極為像素電極,所
述第二電極為公共電極。
11.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一電極和
所述第二電極異層設置或者同層設置。
12.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述第一電極和
所述第二電極均為透明導電電極。
13.根據權利要求1-4任一項所述的陣列基板,其中,所述多個第二電
極條在所述襯底基板上的投影和所述多個第一電極條在所述襯底基板上的
投影間隔且交替地排列。
14.一種顯示面板,包括權利要求1-13任一項所述的陣列基板。
15.一種顯示裝置,包括權利要求14所述的顯示面板。

說明書

陣列基板、顯示面板以及顯示裝置

技術領域

本發明至少一實施例涉及一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。

背景技術

隨著液晶顯示技術的發展,薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilmTransistor
LiquidCrystalDisplay,TFT-LCD)廣泛地應用在各個領域。TFT-LCD中,
通過控制液晶分子的偏轉,從而實現對光線強弱的控制,然后通過彩膜
層的濾光作用,實現彩色圖像顯示。

通常,TFT-LCD以及其他電子產品具有多層結構。在制造過程中,構成
多層結構的每一層一般采用沉積工藝或濺射工藝形成,然后在其上形成光刻
膠,利用掩模版對光刻膠進行圖案化,再以圖案化的光刻膠為掩膜進行刻蝕
得到圖案化的膜層。在半導體器件中由于襯底基板上的半導體器件的各層的
圖案尺寸和圖案密度不同而存在著某些工藝偏差。

TFT-LCD包括面內開關(In-PlaneSwitching,IPS)模式和高級超維場
(Advanced-SuperDimensionalSwitching,ADS)模式。在IPS模式和ADS
中,通過像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電
極間產生的縱向電場形成多維電場,使液晶盒內像素電極和公共電極之間、
像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換。

發明內容

本發明至少一實施例提供一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。該陣
列基板通過對液晶模式的像素電極和公共電極及其排列進行改善,使得對關
鍵尺寸偏差(CDbias)和重疊余量(overlaymargin)等工藝偏差的容忍度
提高,從而可實現顯示亮度的均一性。

本發明至少一實施例提供一種陣列基板,包括襯底基板和設置在所述襯
底基板上的多條柵線、多條數據線和多個子像素;

所述子像素內設置相互絕緣的第一電極和第二電極,所述第一電極包括
多個第一電極條,所述第二電極包括多個第二電極條,所述多個第一電極條
之間電連接,所述多個第二電極條之間電連接;

所述多個第一電極條和所述多個第二電極條在所述襯底基板上的投影
中,其中一個所述第二電極條的投影和與其在第一方向上相鄰的所述第一電
極條的投影在平行于第一方向上的距離為S1;所述第二電極條的投影和與
其在所述第一方向的相反方向上相鄰的所述第一電極條的投影在平行于第
一方向上的距離為S2,所述第一方向為沿所述數據線的一個延伸方向,或
者,所述第一方向為沿所述柵線的一個延伸方向;

所述多個子像素包括第一疇和第二疇,所述第一疇和所述第二疇位于同
一子像素中或位于不同的子像素中,所述第一疇包括S1大于S2的部分,所
述第二疇包括S1小于S2的部分。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇中所述第一電
極條和所述第二電極條的延伸方向相同,所述第二疇中所述第一電極條和所
述第二電極條的延伸方向相同,所述第一疇和所述第二疇中的電極條的延伸
方向相同或不同。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇的電極條的延
伸方向和所述第二疇的電極條的延伸方向的夾角大于等于零度且小于90度。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇還包括S1小
于S2的部分,所述第二疇還包括S1大于S2的部分。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇和所述第二疇
位于同一子像素中,所述子像素還包括與所述第一疇呈鏡像對稱的第三疇以
及與所述第二疇呈鏡像對稱的第四疇。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇和所述第二疇
位于不同的子像素中,所述第一疇位于第一子像素中,所述第二疇位于第二
子像素中,所述陣列基板還包括與所述第一子像素呈鏡像對稱的第三子像素
和與所述第二子像素呈鏡像對稱的第四子像素。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一疇和所述第二疇
中,所述S1大于S2的部分的面積等于所述S1小于S2的部分的面積。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,0.4μm≤|S1-S2|≤0.6μm。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極為公共電極,
所述第二電極為像素電極,或者,所述第一電極為像素電極,所述第二電極
為公共電極。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極和所述第二
電極異層設置或者同層設置。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極和所述第二
電極均為透明導電電極。

例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述多個第二電極條在所
述襯底基板上的投影和所述多個第一電極條在所述襯底基板上的投影間隔
且交替地排列。

本發明至少一實施例還提供一種顯示面板,包括上述任一陣列基板。

本發明至少一實施例還提供一種顯示裝置,包括上述任一顯示面板。

附圖說明

為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例的附圖作
簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例,
而非對本發明的限制。

圖1a為一種陣列基板的平面示意圖;

圖1b為圖1a中虛線框A所示區域示意圖;

圖1c為圖1b中沿B-B’向剖面示意圖;

圖1d為圖1b中沿C-C’向剖面示意圖;

圖2為本發明實施例一提供的一種陣列基板的平面示意圖;

圖3為圖2中沿B-B’向的剖面示意圖;

圖4為圖2中沿C-C’向的剖面示意圖;

圖5為本發明實施例一提供的一種陣列基板的電極關鍵尺寸偏差與液晶
效率的關系示意圖;

圖6為本發明實施例一提供的一種陣列基板的電極偏移偏差與液晶效率
的關系示意圖;

圖7為本發明實施例一提供的另一種陣列基板的平面示意圖;

圖8為本發明實施例二提供的一種陣列基板的平面示意圖;

圖9為本發明實施例二提供的另一種陣列基板的平面示意圖;

圖10為本發明實施例二提供的另一種陣列基板的平面示意圖;

圖11為一種陣列基板剖面示意圖。

附圖標記:

101-襯底基板;102-柵線;103-過孔;104-薄膜晶體管;1041-柵極;1042-
柵極絕緣層;1043-有源層(半導體層);1044-漏極;1045-源極;105-像素
電極;1050-像素電極的電極條;106-數據線;107-第一電極;1070-第一電
極條;108-第二電極;1080-第二電極條;109-公共電極;1090-公共電極的
電極條;1101-第一疇;1102-第二疇;1103-第三疇;1104-第四疇;01-子像
素;011-第一子像素;012-第二子像素;013-第三子像素;014-第四子像素;
131-第一絕緣層;132-第二絕緣層;010-S1大于S2的部分;020-S1小于S2
的部分。

具體實施方式

為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發
明實施例的附圖,對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,
所描述的實施例是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于所描
述的本發明的實施例,本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲
得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。

除非另外定義,本公開使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬
領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第
二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性,而只是用來區分
不同的組成部分。同樣,“一個”、“一”或者“該”等類似詞語也不表示數量限
制,而是表示存在至少一個。“包括”或者“包含”等類似的詞語意指出現該詞
前面的元件或者物件涵蓋出現在該詞后面列舉的元件或者物件及其等同,而
不排除其他元件或者物件。“連接”或者“相連”等類似的詞語并非限定于物理
的或者機械的連接,而是可以包括電性的連接,不管是直接的還是間接的。
“上”、“下”、“左”、“右”等僅用于表示相對位置關系,當被描述對象的絕對
位置改變后,則該相對位置關系也可能相應地改變。

例如,在IPS模式和ADS中,像素電極和/或公共電極可包括多個電極
條,對于多個電極條主要是關鍵尺寸偏差(CDbias)以及掩模的重疊余量
(overlaymargin)的控制。因像素電極和/或公共電極工藝上的偏差會導致
各個像素的透過率不同,從而使得整個面板亮度不均一。

圖1a是一種陣列基板的平面示意圖,陣列基板包括多條柵線102和多
條數據線106。例如,多條柵線102相互平行且沿橫向延伸,多條數據線106
相互平行且沿豎向延伸,多條柵線102和多條數據線106相互交叉,橫向和
豎向相互垂直。

例如,多條柵線102和多條數據線106相互絕緣,多條柵線102所在的
層和多條數據線106所在的層之間可設置絕緣層。以下各實施例可與此相同。

例如,如圖1a所示,多條柵線102和多條數據線106相互交叉限定多
個子像素01,每個子像素01內設置一個像素電極105,像素電極105由開
關元件控制開與關,開關元件例如為薄膜晶體管104。

需要說明的是,子像素01可以由多條柵線102和多條數據線106限定
而得,但不限于此。一個子像素01例如包括一條柵線、一條數據線、一個
像素電極和一個開關元件。子像素01為陣列基板中最小的用以進行顯示的
單元。

圖1b是圖1a中虛線框A所示的俯視示意圖。如圖1b所示,該陣列基
板包括襯底基板101,互相交叉設置在襯底基板101上的柵線102和數據線
106,以及設置在襯底基板101上且由柵線102驅動的薄膜晶體管104,設置
在由柵線102和數據線106限定的區域內的像素電極105與公共電極109。
薄膜晶體管104包括柵極1041、有源層(半導體層)1043、漏極1044和源
極1045,數據線106與源極1045電性連接,像素電極105與漏極1044電性
連接。例如,像素電極105與公共電極109可均為狹縫狀的電極,并且像素
電極105設置在公共電極109所在的層之上。像素電極105包括多個電極條
1050(請參見圖1b和圖1d),公共電極109包括多個電極條1090(請參見
圖1b和圖1d)。例如,在同一疇內,多個像素電極條1050在襯底基板101
上的投影和多個公共電極條1090在襯底基板101上的投影間隔且交替地排
列。多個像素電極條1050和多個公共電極條1090在襯底基板101上的投影
中,其中一個像素電極條1050的投影和與其在第一方向上相鄰的公共電極
條1090的投影在平行于第一方向上的距離為S1;該像素電極條1050的投
影和與其在與第一方向相反的方向上(在第一方向的相反方向上)相鄰的公
共電極條1090的投影在平行于第一方向上的距離為S2,例如,第一方向為
沿數據線的一個延伸方向。如圖1b所示,數據線沿兩個方向延伸,第一方
向為數據線兩個延伸方向中的一個延伸方向。數據線的另一個延伸方向與第
一方向的夾角為180°。

圖1c為圖1b中沿B-B’向剖面示意圖。圖1c中示出了柵極絕緣層1042,
第一絕緣層131以及第二絕緣層132。例如,柵極絕緣層1042、第一絕緣層
和第二絕緣層的材料包括選自氮化硅(SiNx),氧化硅(SiOx),氮氧化硅
(SiNxOy)中的一種或多種,但不限于此。在圖1c中,像素電極105與公
共電極109異層設置。本公開中,像素電極105與公共電極109也可同層設
置,在此不作限定。

圖1d為圖1b中沿C-C’向剖面示意圖。如圖1d所示,通常S1和S2設
置為相等,S1=S2的情況可記為情況1(case1)。由于制造工藝過程中產生
的關鍵尺寸偏差(CDbias)以及掩膜偏移誤差等不良,實際制造出來的陣列
基板中S1≠S2,從而導致像素電極105與公共電極109之間形成的電場不均
一,從而導致整個顯示面板亮度不均一。

本發明至少一實施例提供一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。該陣
列基板包括襯底基板和設置在襯底基板上的多條柵線、多條數據線和多個子
像素。

子像素內設置相互絕緣的第一電極和第二電極,第一電極包括多個第一
電極條,第二電極包括多個第二電極條,多個第一電極條之間電連接,多個
第二電極條之間電連接。

多個第一電極條和多個第二電極條在襯底基板上的投影中,其中一個第
二電極條的投影和與其在第一方向上相鄰的第一電極條的投影在平行于第
一方向上的距離為S1;該第二電極條的投影和與其在與第一方向相反的方
向上相鄰的第一電極條的投影在平行于第一方向上的距離為S2,第一方向
為沿數據線的一個延伸方向,或者,第一方向為沿柵線的一個延伸方向。

多個子像素包括第一疇和第二疇,第一疇和第二疇位于同一子像素中或
位于不同的子像素中,第一疇包括S1大于S2的部分,第二疇包括S1小于
S2的部分。

該陣列基板通過對第一電極和第二電極(像素電極和公共電極)及其排
布的設計,在存在工藝偏差的情況下,通過第一疇和第二疇的光透光率的補
償,使得通過相鄰的子像素或一個子像素內不同區域的光可以通過相互補償
來達到光強均一的效果,從而使采用該陣列基板的整個顯示面板的子像素的
光通過率均勻,提高產品質量和畫面品質。

下面通過幾個實施例進行說明。以下各實施例以第一方向為沿數據線的
一個延伸方向為例進行說明。第一方向亦可為沿柵線的一個延伸方向,對此
不作限定。第一方向為沿柵線的一個延伸方向的情況下,以下各實施例中的
各個疇的傾斜方向可能需要順時針或逆時針旋轉90度。

實施例一

本實施例提供一種陣列基板。如圖2所示,該陣列基板包括襯底基板101
和設置在襯底基板101上的多條柵線102、多條數據線106和多個子像素01。

子像素01內設置相互絕緣的第一電極107和第二電極108,第一電極
107包括多個第一電極條1070,第二電極108包括多個第二電極條1080,多
個第一電極條1070之間電連接,多個第二電極條1080之間電連接。

多個第一電極條1070和多個第二電極條1080在襯底基板101上的投影
中,其中一個第二電極條1080的投影和與其在第一方向上相鄰的第一電極
條1070的投影在平行于第一方向上的距離為S1;該第二電極條1080的投
影和與其在與第一方向相反的方向上相鄰的第一電極條1070的投影在平行
于第一方向上的距離為S2,第一方向為沿數據線106的一個延伸方向。

例如,S1指的是一個第二電極條和與其在第一方向上相鄰的第一電極
條之間的狹縫(縫隙)在襯底基板上的投影中在平行于第一方向上的長度。
例如,S2指的是該第二電極條和與其在與第一方向相反的方向上相鄰的第
一電極條之間的狹縫(縫隙)在襯底基板上的投影中在平行于第一方向上的
的長度。

子像素01包括第一疇1101和第二疇1102,第一疇1101和第二疇1102
位于同一子像素01中,第一疇1101包括S1大于S2的部分010,第二疇1102
包括S1小于S2的部分020。S1>S2的情況可記為情況2(case2),S1<S2
的情況可記為情況3(case3)。

例如,在同一疇內,多個第二電極條1080在襯底基板101上的投影和
多個第一電極條1070在襯底基板101上的投影間隔且交替地排列。以下各
實施例可與此相同。

需要說明的是,附圖中所示的S1小于S2的部分與S1大于S2的部分的
排列順序并不構成本發明的限制,可根據實際需要進行設置。

圖3和圖4分別示出了圖2中B-B’向剖視圖和C-C’向剖視圖,即圖3
和圖4分別對應情況2(Case2)和情況3(Case3)。

圖5是在關鍵尺寸偏差(CDbias)在±0.5μm的范圍內電極關鍵尺寸偏
差(CDbias)和液晶效率的關系圖。如圖5所示,情況1(Case1)為通常
技術中S1=S2情況下的電極關鍵尺寸偏差(CDbias)和液晶效率的關系曲
線。情況2(Case2)為S1>S2情況下的電極關鍵尺寸偏差(CDbias)和液
晶效率的關系曲線。情況3(Case3)為S1<S2情況下的電極關鍵尺寸偏差
(CDbias)和液晶效率的關系曲線。情況2(Case2)和情況3(Case3)的
曲線相疊加得到電極關鍵尺寸偏差(CDbias)和液晶效率的關系平均值曲線
(Ave.)。不難發現,該平均值曲線(Ave.)在關鍵尺寸偏差(CDbias)在±0.5μm
的范圍內較通常技術中情況1(Case1)的曲線斜率較小,表明其整體的液晶
效率變化小于通常技術。也就是說,在關鍵尺寸偏差(CDbias)在±0.5μm
的范圍內,其整體光透過率變化小于通常技術,光透過率的均一性有了明顯
的提高。

圖6是在電極偏移偏差(shiftbias)在±0.5μm的范圍內電極偏移偏差
(shiftbias)和液晶效率的關系圖。如圖6所示,情況1(Case1)為通常技
術中S1=S2情況下的電極偏移偏差(shiftbias)和液晶效率的關系曲線。情
況2(Case2)為S1>S2情況下的電極偏移偏差(shiftbias)和液晶效率的關
系曲線。情況3(Case3)為S1<S2情況下的電極偏移偏差(shiftbias)和液
晶效率的關系曲線。情況2(Case2)和情況3(Case3)的曲線相疊加得到
電極偏移偏差(shiftbias)和液晶效率的關系平均值曲線(Ave-all)。不難發
現,該平均值曲線(Ave-all)在電極偏移偏差(shiftbias)在±0.5μm的范圍
內較通常技術中情況1(case1)的整體的液晶效率變化小于通常技術,也就
是說,在電極偏移偏差(shiftbias)在±0.5μm的范圍內,其液晶效率變化小
于通常技術,并且其變化也在95%上下。也就是說,在沒有明顯降低透過率
的前提下,其整體光透過率變化小于通常技術,光透過率的均一性有了明顯
的提高。

在本實施例提供的陣列基板中,子像素01包含第一疇1101以及第二疇
1102,并且第一疇1101包含S1大于S2的部分010,第二疇1102包含S1
小于S2的部分020。在第一疇1101中S1大于S2,第二疇1102中S1小于
S2,第一疇1101和第二疇1102的S1和S2設計為不相同,且第一疇包括
S1大于S2的部分,第二疇包括S1小于S2的部分,由于實際制造工藝中關
鍵尺寸偏差(CDbias)和電極偏移偏差(shiftbias)等工藝偏差的影響,第
一疇1101和第二疇1102的|S1-S2|必然會有一個增加,有一個減少,從而
表現為第一疇1101和第二疇1102中有一個透過率會增加,另一個透過率會
減小。結合上述的圖5和圖6,透過第一疇1101和透過第二疇1102的光可
以通過疊加來相互補償,使得最終得到的整個子像素01的光透過率在一定
的偏差范圍內具有較好的均一性,從而使得包含該陣列基板的顯示面板的光
透過率在一定的偏差范圍內具有較好的均一性,提高了產品質量。

在本實施例提供的陣列基板中,同一子像素01內包括第一疇和第二疇,
透光率的補償作用是在每個子像素內部進行的,因此,本實施例提供的陣列
基板不論用于顯示什么顏色或者灰度都能提供較均一的光透過率。并且,結
合圖5和圖6可知,本實施例提供的陣列基板對于關鍵尺寸偏差(CDbias)
和重疊余量(overlaymargin)等工藝偏差的容忍度較高,在不同批次的產品
之間,也能保持較好的均一性。

例如,在本實施例的一個示例中,第一疇中第一電極條和第二電極條的
延伸方向相同,第二疇中第一電極條和第二電極條的延伸方向相同,第一疇
和第二疇中的電極條的延伸方向可以相同,也可以不同。圖2中以第一疇和
第二疇中的電極條的延伸方向不同為例進行說明。本實施例提供的陣列基板
通過在一個子像素內設置電極條的延伸方向不同的疇,可達到抑制灰階反轉
和色偏的效果,進一步提高了產品品質。以下各實施例可與此相同。

例如,在本實施例的一個示例中,第一疇的電極條的延伸方向和第二疇
的電極條的延伸方向的夾角大于等于零度小于等于90度(0度-90度)。例
如,因電極條向兩個方向延伸,故第一疇的電極條的延伸方向和第二疇的電
極條的延伸方向的夾角均大于等于零度小于等于90度。例如,在第一疇的
電極條的延伸方向與數據線或者柵線中的一個的延伸方向相同的情況下,第
二疇的電極條的延伸方向與第一疇的電極條的延伸方向的夾角可大于等于
零度小于90度。例如,在第一疇的電極條的延伸方向與數據線和柵線的延
伸方向不相同的情況下,第二疇的電極條的延伸方向與第一疇的電極條的延
伸方向的夾角可大于等于零度小于等于90度。在一些示例中,該夾角可以
在大于等于零度小于90度、0度-60度的范圍內、0度-45度的范圍內或0度
-30度的范圍內。如此設置,可使得第一疇和第二疇具有補償效果,使得光
透過率均一性得以改善。以下各實施例可與此相同。

例如,在本實施例的一個示例中,第一疇還可以包括S1小于S2的部分,
第二疇還可以包括S1大于S2的部分,本發明對此不作限定。如此設置,每
個子像素單元內的疇內部通過上述的補償效應達到了較高均一性的光透過
率,然后不同疇再通過互補作用抑制灰階反轉和色偏,進一步提高了產品品
質。以下各實施例可與此相同。

例如,在本實施例的一個示例中,第一疇1101和第二疇1102位于同一
子像素中,如圖7所示,該子像素還可以包括與第一疇1101呈鏡像對稱的
第三疇1103以及與第二疇1102呈鏡像對稱的第四疇1104。本示例提供的陣
列基板中,在同一子像素中設置了電極條的延伸方向夾角大于0度小于90
度的兩個疇以及分別與該兩個疇成鏡像對稱的另外兩個疇,同一子像素中米
字形的疇結構可達到抑制灰階反轉和色偏的效果,進一步提高了產品品質,
使得同一子像素中光的補償效果得到增強。例如,在圖7所示的子像素01
中,第一疇1101的電極條的延伸方向和第二疇1102的電極條的延伸方向的
夾角大于0度小于90度。

例如,該襯底基板101可以為玻璃基板、石英基板、或其他基板。以下
各實施例可與此相同。

例如,該柵極102和/或數據線106的材料包括選自鋁,鋁合金,銅,銅
合金,鉬,以及鉬鋁合金中的一種或多種。以下各實施例可與此相同。

例如,該薄膜晶體管104可以為氧化物薄膜晶體管、非晶硅薄膜晶體管、
或多晶硅薄膜晶體管等。以下各實施例可與此相同。

例如,第一疇1101中S1大于S2的部分的面積等于第二疇1102中S1
小于S2的部分的面積。例如,在整個陣列基板中,S1大于S2的部分的面
積的總和等于S1小于S2的部分的面積的總和。需要說明的是,當S1大于
S2的部分的面積的總和等于S1小于S2的部分的面積的總和時,情況2
(Case2)與情況3(Case3)的電極關鍵尺寸偏差(CDbias)和液晶效率的
關系曲線和/或電極偏移偏差(shiftbias)和液晶效率的關系曲線可以均勻地
疊加,互相補償的效果較好,可得到較高的光透過率均一性。

例如,S1和S2的關系滿足以下的關系式:0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3(S1
與S2的差值的絕對值與S1與S2之和的比值大于等于0.03小于等于0.3)。
以下各實施例可與此相同。

例如,當第一電極條1070的寬度為2.1±0.3μm,第二電極條1080的寬
度為3.1±0.5μm,S1為1.2±0.3μm時,控制0.03≤|S1-S2|/|S1+S2|≤0.3能夠具
有更好的補償效果。當|S1-S2|/|S1+S2|的值小于0.03時,第一疇1101和第二
疇1102的補償效果降低,接近情況1(Case1)的情況;當|S1-S2|/|S1+S2|大
于0.3時,考慮到工藝的偏差,容易出現第一電極107和第二電極108重疊
的問題。

例如,在本實施例提供的陣列基板中,當第一電極條1070的寬度為
2.1±0.3μm,第二電極條1080的寬度為3.1±0.5μm,S1為1.2±0.3μm時,0.4μm≤
︱S1-S2︱≤0.6μm。以下各實施例可與此相同。

例如,第一電極107為公共電極,第二電極108為像素電極;或者,第
一電極107為像素電極,第二電極108為公共電極。以下各實施例可與此相
同。

例如,第二電極108設置在第一電極107上。但其設置方式并不限于此,
第一電極107和第二電極108可同層設置或異層設置,并且多個第一電極條
1070和第二電極條1080之間相互絕緣設置,以下各實施例可與此相同。

例如,第一電極107和第二電極108均為透明導電電極,例如ITO電極,
但并不限于此,以下各實施例可與此相同。例如,第一電極107和/或第二電
極108也可根據實際需要設置為不透明導電電極,本發明對此不作限定。

實施例二

本實施例中,與實施例一不同的是,第一疇1101和第二疇1102位于不
同的子像素中,如圖8所示,第一疇1101位于第一子像素011中,第二疇
1102位于第二子像素012中。

例如,如圖8所示,第一子像素011中的第一疇1101和第二子像素012
中的第二疇1102的傾斜方向可以相同,但不限于此,例如,第一子像素011
中的第一疇1101和第二子像素012中的第二疇1102的傾斜方向也可以不同,
如圖9所示。圖9所示的第一子像素011中的第一疇1101和第二子像素012
中的第二疇1102的傾斜方向(電極條的延伸方向)的夾角大于0度小于90
度。

本實施例提供的陣列基板在關鍵尺寸偏差(CDbias)在±0.5μm的范圍
內,其整體光透過率變化亦小于通常技術,光透過率的均一性亦有明顯的提
高。

本實施例提供的陣列基板在電極偏移偏差(shiftbias)在±0.5μm的范圍
內,其液晶效率變化亦小于通常技術,并且其變化也在95%上下。也就是說,
在沒有明顯降低透過率的前提下,其整體光透過率變化小于現有技術,光透
過率的均一性有了明顯的提高。

在本實施例提供的陣列基板中,由于第一子像素011和第二子像素012
的S1和S2設計為不相同,且第一子像素011中的第一疇包括S1大于S2
的部分,第二子像素012中的第二疇包括S1小于S2的部分;由于實際制造
工藝中關鍵尺寸偏差(CDbias)和電極偏移偏差(shiftbias)等工藝偏差的
影響,第一子像素011和第二子像素012的|S1-S2|必然會有一個增加,有
一個減少,從而表現為第一子像素011和第二子像素012有一個透過率會增
加,另一個透過率會減小;結合上述的圖5和圖6,透過第一子像素011和
第二子像素012的光可以通過疊加來相互補償,使得最終得到的整個第一子
像素011和第二子像素012的光透過率在一定的偏差范圍內具有較好的均一
性,提高了產品品質。

需要說明的是,當第一子像素011和第二子像素012用于顯示同一種顏
色且同樣的灰度時,互相補償的效果較好,可得到較高的光透過率均一性。

在本實施例的一個示例中,在圖9所示陣列基板的基礎上,該陣列基板
還包括與第一子像素011呈鏡像對稱的第三子像素013和與第二子像素012
呈鏡像對稱的第四子像素014,如圖10所示。本示例提供的陣列基板中,在
相鄰的四個子像素中設置了電極條的延伸方向不同的四個疇(相鄰的四個子
像素中可能包括電極條的延伸方向相同的兩個疇,在此不作限定),可達到
抑制灰階反轉和色偏的效果,進一步提高了產品品質。

需要說明的是,在本發明上述各實施例中,以第一電極107和第二電極
108之間設置有第一絕緣層131和第二絕緣層132為例進行說明,但不限于
此。例如,第一電極107和第二電極108之間可只設置有一層絕緣層。

并且,本發明各實施例適用的陣列基板的剖視圖并不限于圖1c中所示,
圖1c只是示意性的予以說明,以利理解陣列基板的大體結構,并不限定本
發明。例如,在圖1c剖視圖的基礎上,還可以不設置第一絕緣層131,并且
漏極1044與公共電極109不交疊(在襯底基板上的投影不重合),公共電極
109和像素電極105之間只設置一層絕緣層。例如,還可以設置有機絕緣層,
設置有機絕緣層的情況下,陣列基板的剖視圖可如圖11所示,圖11中,標
號131可代表有機絕緣層,有機絕緣層的材料例如包括樹脂。例如,有機絕
緣層的材料包括亞克力樹脂或聚酰亞胺樹脂。

例如,實施例一和二中的陣列基板可采用如下方法制備,但不限于此。

步驟一、在襯底基板上形成柵極和柵線的圖形。例如,可在襯底基板上
形成柵金屬薄膜,通過構圖工藝形成柵極和柵線的圖形;

步驟二、再形成柵極絕緣層并在柵極絕緣層上形成公共電極的圖形。例
如,可在柵極絕緣層上形成透明導電薄膜,通過構圖工藝形成公共電極的圖
形;

步驟三、在公共電極的圖形上形成第一絕緣層;

步驟四、在第一絕緣層上形成有源層、源極、漏極和數據線的圖形。例
如,可形成半導體薄膜,通過構圖工藝形成有源層圖形,再形成源漏電極薄
膜,通過構圖工藝形成源極、漏極和數據線的圖形;

步驟四、形成第二絕緣層以及絕緣層過孔,在第二絕緣層上形成像素電
極的圖形。例如,像素電極經絕緣層過孔與漏極電連接。

需要說明的是,在本公開中,構圖或構圖工藝可只包括光刻工藝,或包
括光刻工藝以及刻蝕步驟,或者可以包括打印、噴墨等其他用于形成預定圖
形的工藝。光刻工藝是指包括成膜、曝光、顯影等工藝過程,利用光刻膠、
掩模板、曝光機等形成圖形。可根據本發明的實施例中所形成的結構選擇相
應的構圖工藝。

實施例三

本實施例提供一種顯示面板,包括任一上述的陣列基板。

因該顯示面板中包括任一上述的陣列基板,故其也可實現顯示亮度的均
一性。使顯示面板的光通過率均勻,提高產品質量和畫面品質。

實施例四

本實施例提供一種顯示裝置,包括上述的顯示面板。

所述顯示裝置可以為液晶顯示器、電子紙以及包括這些顯示器件的電
視、數碼相機、手機、手表、平板電腦、筆記本電腦、導航儀等任何具有顯
示功能的產品或者部件。

需要說明的是,為表示清楚,并沒有給出顯示面板和顯示裝置的全部結
構。為實現顯示裝置的必要功能,本領域技術人員可以根據具體應用場景進
行設置其他未示出的結構,本發明對此不做限制。本實施例提供的顯示裝置
的技術效果參見上述實施例三描述的顯示面板的技術效果,在此不再贅述。

有以下幾點需要說明:

(1)除非另作定義,此處使用的技術術語或者科學術語應當為本
發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用
的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性,
而只是用來區分不同的組成部分。

(2)本發明各實施例以及附圖中,只涉及到與本發明實施例涉及到的
結構,其他結構可參考通常設計。

(3)為了清晰起見,在用于描述本發明的實施例的附圖中,層或區域
的厚度被放大。可以理解,當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位
于另一元件“上”或“下”時,該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或
者可以存在中間元件。

(4)本發明各實施例中所述的投影例如可為正投影。

(5)在不沖突的情況下,本發明的實施例及實施例中的特征可以
相互組合。

以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限
于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,可輕易
想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此,本發明的保護
范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。

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陣列 顯示 面板 以及 顯示裝置
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