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一種電流反饋式精確過溫保護電路.pdf

摘要
申請專利號:

CN201610071496.0

申請日:

2016.02.02

公開號:

CN105487590A

公開日:

2016.04.13

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G05F 1/569申請日:20160202|||公開
IPC分類號: G05F1/569 主分類號: G05F1/569
申請人: 廈門新頁微電子技術有限公司
發明人: 楊瑞聰; 林桂江; 廖建平; 劉玉山; 任連峰; 沈濱旭; 楊鳳炳
地址: 361008福建省廈門市思明區軟件園二期觀日路36號101
優先權:
專利代理機構: 代理人:
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201610071496.0

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2017.04.12|||2016.09.14|||2016.04.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開一種電流反饋式精確過溫保護電路,該電路包括一運算放大器OP、第一電阻R0、第二電阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三極管Q0、第二NPN三極管Q1、一比較器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。本發明通過采用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較,輸出過溫信號,可減少溫度系數依賴器件,即降低溫度影響因素及工藝的影響;通過調整相同類型電阻的比例,實現更精確調整熱關斷溫度;本發明采用電流反饋方式,通過調整鏡像MOS的寬長比比例,實現可精確調節溫度磁滯量。

權利要求書

1.一種電流反饋式精確過溫保護電路,其特征在于:包括一運算放大器OP、
第一電阻R0、第二電阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一
PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第
一NPN三極管Q0、第二NPN三極管Q1、一比較器COMP、第一反相器、
第二反相器及第三反相器;運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref,
運算放大器OP的負輸入端與第一NMOS管N0的源極及第一電阻R0的輸
入端連接;運算放大器OP的輸出端連接第一NMOS管N0的柵極;第一
NMOS管N0的漏極與第一PMOS管P0的漏極及柵極連接;第一PMOS管
P0的柵極分別與第二PMOS管P1的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四
PMOS管P3的柵極連接;第一PMOS管P0的源極與電源電壓VDD、第二
PMOS管P1的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連
接;第一電阻R0的輸入端與運算放大器OP的負輸入端及第一NMOS管N0
的源極連接,第一電阻R0的輸出端接地,第一電阻R0的輸出端與第二電阻
R1的輸出端及第二NPN三極管Q1的發射極連接;第二PMOS管P1的柵
極與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第三PMOS
管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第二PMOS管P1的源極與電
源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS
管P3的源極連接;第二PMOS管P1的漏極作為比較器COMP的正輸入端
Vinp并與第二電阻R1的輸入端及第二NMOS管N1的源極連接;第二電阻
R1的輸入端與第二PMOS管P1的漏極、第二NMOS管N1的源極及比較器
COMP的正輸入端Vinp連接,第二電阻R1的輸出端與第一電阻R0的輸出
端及第二NPN三極管Q1的發射極連接,并接地,第三PMOS管P2的柵極
與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第二PMOS
管P1的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三PMOS管P2的源極與電
源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第二PMOS管P1的源極及第四PMOS
管P3的源極連接;第三PMOS管P2的漏極與第二NMOS管N1的漏極連
接,第二NMOS管N1的柵極與第二反相級的輸出端及第三反相器的輸入端
連接,第二NMOS管N1的源極與第二PMOS管P1的漏極、第二電阻R1
的輸入端及比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管P3的柵極
與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第二PMOS
管P1的柵極及第三PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極與電
源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第二PMOS管P1的源極及第三PMOS
管P2的源極連接,第四PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端Vinn
及第一NPN三極管Q0的集電極和基極連接,第一三極管Q0的集電極和基
極與第四PMOS管P3的漏極及比較器COMP的負輸入端Vinn連接,第一
NPN三極管Q0的發射極與第二NPN三極管Q1的集電極和基極連接,第二
NPN三極管Q1的發射極與第一電阻R0的輸出端及第二電阻R1的輸出端連
接,并接地,比較器COMP的正輸入端Vinp與第二電阻R1的輸入端、第
二PMOS管P1的漏極及第二NMOS管N1的源極連接,比較器COMP的負
輸入端Vinn與第一NPN三極管Q0的集電極和基極及第四PMOS管P3的
漏極連接,比較器COMP的輸出端Vout與第一反相器的輸入端連接,第一
反相器的輸出端與第二反相器的輸入端連接,第二反相器的輸出端與第二
NMOS管N1的柵極及第三反相器的輸入端連接,第三反相器的輸入端與第
二反相器的輸出端及第二NMOS管N1的柵極連接,第三反相器的輸出端輸
出TSD。
2.根據權利要求1所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路,其特征在于:
R0=R1。
3.根據權利要求1或2所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路,其特征在于:
三極管Q0和三極管Q1的基極、發射極電壓差為負溫度系數。
4.根據權利要求1所述的一種電流反饋式精確過溫保護電路,其特征在于:第
一PMOS管P0、第二PMOS管P1和第四PMOS管P3的寬長比相等,第一
PMOS管P0的寬長比是第三PMOS管P2的寬長比的K倍,其中K為正數,
設定第n個PMOS管P(n-1)的寬長比為(W/L)P(n-1),其中n為1,2,3,4;則:
(W/L)P0=(W/L)P1=K*(W/L)P2=(W/L)P3。

說明書

一種電流反饋式精確過溫保護電路

技術領域

本發明涉及電子技術領域,特別涉及一種應用于無線充電控制芯片的電流
反饋式精確過溫保護電路。

背景技術

隨著半導體集成電路技術的不斷發展以及半導體工藝的進步,集成電路的
集成度越來越高,功耗也越來越大,從而使得芯片局部溫度過高,對芯片損壞
較大。為使集成電路芯片免受高溫的損壞,需要設計專門的過溫保護電路。溫
度超過一定閾值時,過溫保護電路輸出關斷信號,從而使芯片部分或完全停止
工作。

傳統的過溫保護電路一般通過電壓比較器來實現,通過比較正負溫度系數
器件的電壓,輸出過溫信號,通過反饋調節電阻壓降的方式調節溫度磁滯量,
這種過溫保護電路,同時受正負溫度系數器件影響,影響因素多,而且受工藝
影響較大,不容易調節到精確的熱關斷溫度及溫度磁滯量。

發明內容

因此,針對上述的問題,本發明提出一種應用于無線充電控制芯片的電流
反饋式精確過溫保護電路,該過溫保護電路通過采用負溫度系數器件的電壓與
基準電壓比較,輸出過溫信號,可減少溫度系數依賴器件,即降低溫度影響因
素及工藝的影響;通過調整相同類型電阻的比例,實現更精確調整熱關斷溫度;
同時本發明采用電流反饋方式,通過調整鏡像MOS的寬長比比例,實現可精確
調節溫度磁滯量。

為了解決上述技術問題,本發明所采用的技術方案如下:

一種電流反饋式精確過溫保護電路,該電路包括一運算放大器OP、第一
電阻R0、第二電阻R1、第一NMOS管N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管
P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管P3、第一NPN三極
管Q0、第二NPN三極管Q1、一比較器COMP、第一反相器、第二反相器及第
三反相器;運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref,運算放大器OP的負
輸入端與第一NMOS管N0的源極及第一電阻R0的輸入端連接;運算放大器
OP的輸出端連接第一NMOS管N0的柵極;第一NMOS管N0的漏極與第一
PMOS管P0的漏極及柵極連接;第一PMOS管P0的柵極分別與第二PMOS管
P1的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第一PMOS
管P0的源極與電源電壓VDD、第二PMOS管P1的源極、第三PMOS管P2的
源極及第四PMOS管P3的源極連接;第一電阻R0的輸入端與運算放大器OP
的負輸入端及第一NMOS管N0的源極連接,第一電阻R0的輸出端接地,第一
電阻R0的輸出端與第二電阻R1的輸出端及第二NPN三極管Q1的發射極連接;
第二PMOS管P1的柵極與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0
的漏極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第二PMOS
管P1的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第三PMOS管P2的
源極及第四PMOS管P3的源極連接;第二PMOS管P1的漏極作為比較器COMP
的正輸入端Vinp并與第二電阻R1的輸入端及第二NMOS管N1的源極連接;
第二電阻R1的輸入端與第二PMOS管P1的漏極、第二NMOS管N1的源極及
比較器COMP的正輸入端Vinp連接,第二電阻R1的輸出端與第一電阻R0的
輸出端及第二NPN三極管Q1的發射極連接,并接地,第三PMOS管P2的柵
極與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第二PMOS
管P1的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三PMOS管P2的源極與電源
電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第二PMOS管P1的源極及第四PMOS
管P3的源極連接;第三PMOS管P2的漏極與第二NMOS管N1的漏極連接,
第二NMOS管N1的柵極與第二反相級的輸出端及第三反相器的輸入端連接,
第二NMOS管N1的源極與第二PMOS管P1的漏極、第二電阻R1的輸入端及
比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管P3的柵極與第一PMOS管
P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第二PMOS管P1的柵極及第三
PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極與電源電壓VDD、第一PMOS
管P0的源極、第二PMOS管P1的源極及第三PMOS管P2的源極連接,第四
PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端Vinn及第一NPN三極管Q0的
集電極和基極連接,第一三極管Q0的集電極和基極與第四PMOS管P3的漏極
及比較器COMP的負輸入端Vinn連接,第一NPN三極管Q0的發射極與第二
NPN三極管Q1的集電極和基極連接,第二NPN三極管Q1的發射極與第一電
阻R0的輸出端及第二電阻R1的輸出端連接,并接地,比較器COMP的正輸入
端Vinp與第二電阻R1的輸入端、第二PMOS管P1的漏極及第二NMOS管N1
的源極連接,比較器COMP的負輸入端Vinn與第一NPN三極管Q0的集電極
和基極及第四PMOS管P3的漏極連接,比較器COMP的輸出端Vout與第一反
相器的輸入端連接,第一反相器的輸出端與第二反相器的輸入端連接,第二反
相器的輸出端與第二NMOS管N1的柵極及第三反相器的輸入端連接,第三反
相器的輸入端與第二反相器的輸出端及第二NMOS管N1的柵極連接,第三反
相器的輸出端輸出TSD。

作為優選方式,R0=R1,也即第一電阻R0和第二電阻R1為相同工藝類型
且具有相同溫度系數的電阻。

作為優選方式,三極管Q0和三極管Q1的基極、發射極電壓差為負溫度
系數,即其隨著絕對溫度上升,電壓絕對值減小。

作為優選方式,第一PMOS管P0寬長比與第二PMOS管P1寬長比及第
四PMOS管P3寬長比相等,第一PMOS管P0寬長比是第三PMOS管P2寬長
比的K倍,其中K為正自然數,設定第n個PMOS管P(n-1)的寬長比為(W/L)P(n-1),
其中n為1,2,3,4;則:(W/L)P0=(W/L)P1=K*(W/L)P2=(W/L)P3。

本發明采用上述方案,與現有技術相比,具有如下有益效果:1、通過采
用負溫度系數器件的電壓與基準電壓比較,輸出過溫信號,可減少溫度系數依
賴器件,即降低溫度影響因素及工藝的影響;2、通過調整相同類型電阻的比
例,實現更精確調整熱關斷溫度;本發明采用電流反饋方式,通過調整鏡像MOS
的寬長比比例,實現可精確調節溫度磁滯量。

附圖說明

圖1為本發明的電流反饋式精確過溫保護電路的電路原理圖;

圖2為本發明的實施例的比較器Vout隨Vinn變化的輸出波形示意圖;

圖3為本發明的實施例的TSD隨溫度變化的輸出波形示意圖。

具體實施方式

現結合附圖和具體實施方式對本發明進一步說明。

參見圖1,本發明的一種應用于無線充電控制芯片的電流反饋式精確過溫保
護電路,包括一運算放大器OP、第一電阻R0、第二電阻R1、第一NMOS管
N0、第二NMOS管N1、第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管
P2、第四PMOS管P3、第一NPN三極管Q0、第二NPN三極管Q1、第一比較
器COMP、第一反相器、第二反相器及第三反相器。

各元器件的連接關系如下:運算放大器OP的正輸入端連接基準電壓Vref,
運算放大器OP的負輸入端與第一NMOS管N0的源極及第一電阻R0的輸入端
連接;運算放大器OP的輸出端連接第一NMOS管N0的柵極;第一NMOS管
N0的漏極與第一PMOS管P0的漏極及柵極連接;第一PMOS管P0的柵極分
別與第二PMOS管P1的柵極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管P3的
柵極連接;第一PMOS管P0的源極與電源電壓VDD、第二PMOS管P1的源
極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第一電阻R0的
輸入端與運算放大器OP的負輸入端及第一NMOS管N0的源極連接,第一電阻
R0的輸出端接地,第一電阻R0的輸出端與第二電阻R1的輸出端及第二NPN
三極管Q1的發射極連接;第二PMOS管P1的柵極與第一PMOS管P0的漏極
及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第三PMOS管P2的柵極及第四PMOS管
P3的柵極連接;第二PMOS管P1的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管P0
的源極、第三PMOS管P2的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第二PMOS
管P1的漏極作為比較器COMP的正輸入端Vinp并與第二電阻R1的輸入端及
第二NMOS管N1的源極連接;第二電阻R1的輸入端與第二PMOS管P1的漏
極、第二NMOS管N1的源極及比較器COMP的正輸入端Vinp連接,第二電
阻R1的輸出端與第一電阻R0的輸出端及第二NPN三極管Q1的發射極連接,
并接地,第三PMOS管P2的柵極與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS
管N0的漏極、第二PMOS管P1的柵極及第四PMOS管P3的柵極連接;第三
PMOS管P2的源極與電源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第二PMOS
管P1的源極及第四PMOS管P3的源極連接;第三PMOS管P2的漏極與第二
NMOS管N1的漏極連接,第二NMOS管N1的柵極與第二反相級的輸出端及
第三反相器的輸入端連接,第二NMOS管N1的源極與第二PMOS管P1的漏極、
第二電阻R1的輸入端及比較器COMP的正輸入端Vinp連接;第四PMOS管
P3的柵極與第一PMOS管P0的漏極及柵極、第一NMOS管N0的漏極、第二
PMOS管P1的柵極及第三PMOS管P2的柵極連接;第四PMOS管P3的源極
與電源電壓VDD、第一PMOS管P0的源極、第二PMOS管P1的源極及第三
PMOS管P2的源極連接,第四PMOS管P3的漏極與比較器COMP的負輸入端
Vinn及第一NPN三極管Q0的集電極和基極連接,第一三極管Q0的集電極和
基極與第四PMOS管P3的漏極及比較器COMP的負輸入端Vinn連接,第一
NPN三極管Q0的發射極與第二NPN三極管Q1的集電極和基極連接,第二NPN
三極管Q1的發射極與第一電阻R0的輸出端及第二電阻R1的輸出端連接,并
接地,比較器COMP的正輸入端Vinp與第二電阻R1的輸入端、第二PMOS管
P1的漏極及第二NMOS管N1的源極連接,比較器COMP的負輸入端Vinn與
第一NPN三極管Q0的集電極和基極及第四PMOS管P3的漏極連接,比較器
COMP的輸出端Vout與第一反相器的輸入端連接,第一反相器的輸出端與第二
反相器的輸入端連接,第二反相器的輸出端與第二NMOS管N1的柵極及第三
反相器的輸入端連接,第三反相器的輸入端與第二反相器的輸出端及第二
NMOS管N1的柵極連接,第三反相器的輸出端輸出TSD。

其中,第一電阻R0和第二電阻R1為相同工藝類型且具有相同溫度系數的
電阻。NPN三極管Q0和NPN三極管Q1的VBE為負溫度系數,即其隨著絕對
溫度上升,VBE電壓絕對值減小。

為了實現更精確調整過溫保護溫度,本發明通過采用負溫度系數器件的電
壓與基準電壓比較及調整相同類型電阻的比例,輸出過溫信號,可減少溫度系
數依賴器件,即降低溫度影響因素及工藝的影響,實現更精確調整過溫保護溫
度。

如圖1所示,下面闡述本發明的運行原理。假設常溫條件下,系統通電。
根據運算放大器OP正負輸入端虛短,第一電阻R0的壓降為基準電壓Vref,則
流過第一電阻R0的電流IR0=Vref/R0。

優選的,第一PMOS管P0寬長比與第二PMOS管P1寬長比及第四PMOS
管P3寬長比相等,第一PMOS管P0寬長比是第三PMOS管P2寬長比的K倍
(其中K為正數),設定第n個PMOS管P(n-1)的寬長比為(W/L)PP(n-1)(其中n
為1,2,3,4),則(W/L)P0=(W/L)P1=K*(W/L)P2=(W/L)P3。

若第一PMOS管P0、第二PMOS管P1、第三PMOS管P2、第四PMOS管
P3全部導通,則IDS.P0=IDS.P1=K*IDS.P2=IDS.P3=IR0=Vref/R0,其中IDS.P0為流過第1
個PMOS管P0的源漏極電流,IDS.P1為流過第2個PMOS管P1的源漏極電流,
IDS.P2為流過第3個PMOS管P2的源漏極電流,IDS.P3為流過第4個PMOS管P3
的源漏極電流。

常溫條件下,當第二NMOS管N1導通時,流過R1的電流為
(IDS.P1+IDS.P2)=(1+1/K)*IDS.P1=(1+1/K)*Vref/R0。

比較器101正、負輸入端電壓:

Vinp1=(IDS.P1+IDS.P2)*R1=(1+1/K)*Vref*(R1/R0),

Vinn=X*|VBE|,(X=1,2,3...5)

常溫條件下,當第二NMOS管N1關斷時,流過R1的電流為:

IDS.P1=1*Vref/R0

Vinp2=IDS.P1*R1=1*Vref*(R1/R0),

Vinn=X*|VBE|,(X=1,2,3...5)

因此,常溫條件下,第二NMOS管在導通、關斷條件下,比較器101正輸
入端電壓磁滯量為△V1=(Vinp1-Vinp2)即

△V1=(IDS.P1+IDS.P2)*R1-IDS.P1*R1=(1/K)*Vref*(R1/R0)。

常溫條件下,假定Vinp<Vinn,即(IDS.P1+IDS.P2)*R1<X*|VBE|,(x=1,2,3…5),
其中VBE為三極管基極發射極電壓,呈負溫度系數(隨絕對溫度上升,電壓絕對
值減小),X代表三極管個數,以圖1為例,圖1中三極管分別為第一NPN三
極管Q0和第二NPN三極管Q1,即X=2,則

(1+1/K)*(Vref/R0)*R1<2*|VBE|;

因為1*(Vref/R0)*R1<(1+1/K)*(Vref/R0)*R1<2*|VBE|,

所以由上式可知,常溫條件下,(IDS.P1+IDS.P2)*R1<2*|VBE|,系統通電初始階
段,無論第二NMOS管N1是否導通,比較器101的正輸入端電壓小于負輸入
端電壓,即Vinp<Vinn,比較器101的輸出端Vout輸出低電平,第二NMOS管N1
柵極被拉低至低電平,即第二NMOS管N1關斷,那么,流過第二電阻R1的電
流只有IDS.P1=1*Vref/R0,此時,電路輸出端TSD輸出高電平。

因此,常溫條件下,N1關斷,流過R1的電流為IDS.P1=1*Vref/R0,比較器
101的正、負輸入端電壓:

Vinp=IDS.P1*R1=1*Vref*(R1/R0),(1)

Vinn=2*|VBE|。

作為優選方案,第一電阻R0和第二電阻R1為相同工藝類型且具有相同溫
度系數的電阻(阻值根據設計需要選取)。

因此,由上述式(1)可知,R1、R0受溫度變化產生的偏差將相互抵消,
即比較器101正輸入端電壓Vinp不受溫度影響。

常溫條件下,Vinp<Vinn。

由于VBE為三極管基極發射極電壓,呈負溫度系數(隨絕對溫度上升,電壓
絕對值減小),所以,當溫度不斷上升,Vinn=2*|VBE|,數值不斷減小。

當溫度超過過溫保護溫度TSHUTDOWN時,出現Vinp>Vinn,比較器101輸出端
Vout輸出高電平,N1柵極變為高電平,TSD變為低電平。N1導通,此時,流
過R1的電流為(IDS.P1+IDS.P2)=(1+1/K)*IDS.P1=(1+1/K)*Vref/R0,則

當溫度超過過溫保護溫度TSHUTDOWN時,比較器101正、負輸入端電壓分別
為:

V′inp=(IDS.P1+IDS.P2)*R1=(1+1/K)*Vref*(R1/R0),(2)

V′inn=2*|V′BE|,

其中,V′inp大于常溫的Vinp,V′inn小于常溫的Vinn。

由上述式(1)(2)可知V′inp>Vinp,此時,比較器101輸出端Vout穩定輸
出高電平,TSD穩定輸出低電平。

當溫度超過TSHUTDOWN之后開始降低,隨著溫度下降,V′inn=2*|V′BE|數值逐漸
增大。當溫度下降到釋放溫度(即退出過溫保護的溫度)TRELEASE時,即V′inn=2*|V′BE|
增大至[(1+1/K)*Vref*(R1/R0)],比較器101輸出端Vout從高電平翻轉為低電平,
N1柵極變為低電平,TSD變為高電平。N1關斷,流過R1的電流重新變為
IDS.P1=1*Vref/R0,比較器101的正輸入端電壓減小為[1*Vref*(R1/R0)],比較器101
輸出端Vout穩定輸出低電平,TSD穩定輸出高電平,具體參照圖2。

由于比較器101正輸入端電壓的變化,TSD輸出波形存在磁滯現象,參照
圖3。

比較器101正輸入端電壓磁滯量為:

△V2=(V′inp-Vinp)=[(1+1/K)*Vref*(R1/R0)]-[1*Vref*(R1/R0)]

=(1/K)*Vref*(R1/R0)(3)

綜上,由式(1)(2)可知,本發明通過采用具有相同工藝類型、相同溫
度系數的電阻,調整電阻(R1/R0)的比例,實現R1、R0受溫度變化產生的偏差
相互抵消,保證比較器101的正輸入端電壓Vinp不受溫度影響,進而,可精確調
整比較器Vinp的電壓,對比較器而言,僅負輸入端電壓Vinn即
(X*|VBE|,X=1,2,3…5)是受溫度影響,大大減少了溫度影響的變量,實現更精確
調整過溫保護溫度。

比較器101正輸入端產生電壓磁滯量是由于溫度變化導致VBE變化,引起
比較器101負輸入端Vinn((X*|VBE|,X=1,2,3…5))電壓變化,進而使比較器101
輸出端發生翻轉,通過反饋信號控制調整101正輸入端Vinp電壓變化,使比較器
101正輸入端電壓產生磁滯。

由式(3)可知,比較器101正輸入端電壓磁滯量
△V=(V′inp-Vinp)=(1/K)*Vref*(R1/R0),本發明通過調整第三PMOS管P2的寬長比
(W/L)P2,即調整K值,可精確調整比較器101正輸入端電壓磁滯量。

相應地,導致比較器101正輸入端電壓發生變化的溫度變化量也會變化即
溫度磁滯量。

本發明通過調整鏡像MOS的寬長比比例調整鏡像電流,調整比較器正輸入
端電壓的磁滯量,進而實現更精確調節溫度磁滯量。

盡管結合優選實施方案具體展示和介紹了本發明,但所屬領域的技術人員
應該明白,在不脫離所附權利要求書所限定的本發明的精神和范圍內,在形式
上和細節上可以對本發明做出各種變化,均為本發明的保護范圍。

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一種 電流 反饋 精確 保護 電路
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