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陣列基板及陣列基板的制備方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201610069410.0

申請日:

2016.02.01

公開號:

CN105487285A

公開日:

2016.04.13

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/1335申請日:20160201|||公開
IPC分類號: G02F1/1335; G02F1/1343 主分類號: G02F1/1335
申請人: 深圳市華星光電技術有限公司
發明人: 徐向陽
地址: 518132廣東省深圳市光明新區塘明大道9-2號
優先權:
專利代理機構: 廣州三環專利代理有限公司44202 代理人: 郝傳鑫; 熊永強
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201610069410.0

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.09.14|||2016.05.11|||2016.04.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種陣列基板及陣列基板的制備方法。陣列基板包括基板及設置在基板同側的多個柵極線、多個數據線及多個公共電極線,基板包括第一表面,柵極線間隔排布在第一表面上且與間隔排布數據線通過第一絕緣層絕緣設置,相鄰的兩條柵極線及相鄰的兩條數據線之間為像素區域,陣列基板還包括設置在像素區域內的薄膜晶體管、公共電極及像素電極,薄膜晶體管包括柵極、溝道層、源極及漏極,柵極及公共電極設置在第一表面上,公共電極與柵極平行、與公共電極線電連接且為透明導電層,溝道層、源極、漏極及像素電極設置在第一絕緣層上,且源極與漏極設置在溝道層相對的兩端,像素電極與公共電極對應且與漏極電連接。

權利要求書

1.一種陣列基板,其特征在于,所述陣列基板包括基板及設置在所述基板同
側的多個柵極線、多個數據線及多個公共電極線,所述基板包括第一表面,所
述多個柵極線設置在所述第一表面上,且所述多個柵極線向第一方向延伸且沿
第二方向間隔排布,所述多個數據線與所述多個柵極線通過第一絕緣層絕緣設
置,且所述多個數據線向所述第二方向延伸且沿所述第一方向間隔排布,所述
多個公共電極線與所述多個柵極線平行,一個公共電極線設置于相鄰的兩個柵
極線之間,所述公共電極線與所述數據線通過所述第一絕緣層絕緣設置,所述
公共電極線鄰近所述第一表面設置,且所述公共電極線為金屬層,相鄰的兩條
柵極線及相鄰的兩條數據線之間限定一個像素區域,所述陣列基板還包括設置
在所述像素區域內的薄膜晶體管、公共電極及像素電極,所述薄膜晶體管包括
柵極、所述第一絕緣層、溝道層、源極及漏極,所述柵極設置在所述第一表面
上,所述公共電極與所述公共電極線電連接,且所述公共電極設置在所述第一
表面上,所述公共電極為透明導電層,所述公共電極線設置在公共電極上且與
所述公共電極電連接,所述溝道層、所述源極及所述漏極設置在所述第一絕緣
層上且所述源極與所述漏極設置在所述溝道層相對的兩端,所述像素電極設置
在所述第一絕緣層上且與所述公共電極對應,且所述像素電極與所述漏極電連
接,一第二絕緣層覆蓋所述溝道層、所述源極、所述漏極、所述像素電極及所
述數據線。
2.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述像素電極為金屬層,用
于反射入射至所述像素電極的光線。
3.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管還包括第一
歐姆接觸層,所述第一歐姆接觸層設置在所述溝道層與所述源極之間,用于減
小所述溝道層與所述源極之間的接觸電阻。
4.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述薄膜晶體管還包括第二
歐姆接觸層,所述第二歐姆接觸層設置在所述溝道層與所述漏極之間,用于減
小所述溝道層與所述漏極之間的接觸電阻。
5.如權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述第一絕緣層包括對應所
述柵極線開設的第一貫孔,所述第二絕緣層包括對應所述第一貫孔開設的第二
貫孔及對應所述數據線開設的第三貫孔,所述陣列基板還包括柵極端子及數據
端子,所述柵極端子通過所述第一貫孔及所述第二貫孔電連接所述柵極線,所
述數據端子通過所述第三貫孔電連接所述數據線,其中,所述柵極端子及所述
數據端子為導電的。
6.一種陣列基板的制備方法,其特征在于,所述陣列基板的制備方法包括:
提供基板;
在所述基板的第一表面沉積整層的第一透明導電層;
圖案化所述第一透明導電層,以形成多個公共電極;
沉積整層第一金屬層;
圖案化所述第一金屬層,以形成與所述公共電極平行的多個柵極線,設置
在兩柵極線之間的且間隔設置的柵極,以及向第一方向延伸且沿第二方向間隔
排布的且設置在所述公共電極上的多個公共電極線,其中,兩個柵極線之間設
置一個公共電極;
形成覆蓋所述柵極線、所述公共電極、所述公共電極線及所述柵極線的第
一絕緣層;
在所述第一絕緣層遠離所述基板的表面形成與所述柵極對應設置的溝道層;
形成覆蓋所述第一絕緣層及所述溝道層的第二金屬層;
圖案化所述第二金屬層,以形成多個沿所述第二方向延伸且沿所述第一方
向排布的多條數據線,以及設置在相鄰的兩條數據線之間且對應所述溝道層的
兩端設置的源極及漏極、及與所述漏極電連接的像素電極;
形成覆蓋所述溝道層、所述源極、所述漏極、所述像素電極及所述數據線
的第二絕緣層。
7.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述步驟“在所
述第一絕緣層遠離所述基板的表面形成與所述柵極對應設置的溝道層”包括:
在所述第一絕緣層遠離所述基板的表面形成整層的非晶硅層;
圖案化所述非晶硅層,保留對應所述柵極設置的所述非晶硅層;
對保留的所述非晶硅層的兩端進行離子摻雜,以分別形成第一歐姆接觸層
及第二歐姆接觸層,未進行離子摻雜的所述非晶硅層為所述溝道層。
8.如權利要求7所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述離子摻雜為
N型離子摻雜。
9.如權利要求6所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述陣列基板的
制備方法還包括:
在所述第一絕緣層上開設對應所述柵極線的第一貫孔,在所述第二絕緣層
上開設對應所述第一貫孔的第二貫孔及對應所述數據線的第三貫孔;
在所述第二絕緣層上形成透明導電材料層;
圖案化所述透明導電材料層,保留對應所述第二貫孔及所述第一貫孔的透
明導電材料層以及對應所述第三貫孔的透明導電材料層,其中,對應所述第二
貫孔及所述第一貫孔的透明導電材料層為柵極端子,對應所述第三貫孔的透明
導電材料層為數據端子。
10.如權利要求8所述的陣列基板的制備方法,其特征在于,所述透明導電
材料層包括氧化銦錫。

關 鍵 詞:
陣列 制備 方法
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