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一種4HSIC材料4偏角三維原子結構模型及其構建方法和應用.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510622970.X

申請日:

2015.09.25

公開號:

CN105260517A

公開日:

2016.01.20

當前法律狀態:

實審

有效性:

審中

法律詳情: 實質審查的生效IPC(主分類):G06F 17/50申請日:20150925|||公開
IPC分類號: G06F17/50 主分類號: G06F17/50
申請人: 國網智能電網研究院; 國家電網公司; 國網安徽省電力公司
發明人: 李玲; 王方方; 李永平; 鄭柳; 劉瑞; 夏經華; 田亮; 楊霏
地址: 102211北京市昌平區小湯山鎮大東流村路270號(未來科技城)
優先權:
專利代理機構: 北京安博達知識產權代理有限公司11271 代理人: 徐國文
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510622970.X

授權公告號:

|||

法律狀態公告日:

2016.09.28|||2016.01.20

法律狀態類型:

實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型及其構建方法和應用。所述模型為4H-SiC六方晶胞的周期性重復結構,晶胞參數為:α=90°,β=90°,γ=120°,所述晶胞由中心為硅原子的四面體構成,碳硅鍵長為所述模型上表面沿(0001)面向偏4°;所述模型以計算機輔助構建而成,方法步驟簡單易行,其制作完全按照實際生產過程中對碳化硅表面的處理方法;本發明的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型可應用于碳化硅氧化原理、碳化硅歐姆接觸、碳化硅外延等碳化硅材料與其他材料界面研究中,較通常使用的無偏角原子模型更接近于實際應用,研究結果與實際情況更接近,更具有參考價值。

權利要求書

1.一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型,所述模型為4H-SiC六方晶胞的周期性
重復結構,晶胞參數為:α=90°,β=90°,
γ=120°,所述晶胞由中心為硅原子的四面體構成,碳硅鍵長為其特征在于,所述模
型上表面沿(0001)面向偏4°。
2.一種權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方
法,所述方法包括:
(1)建立4H-SiC晶胞的三維原子結構模型;
(2)以步驟1)所述模型為基準,建立4H-SiC的超晶胞模型;
(3)以硅面為上表面,沿(0001)面向偏4°做虛擬平面,平面落在從上表面
開始的第一層和第二層碳-碳原子層間的部分向第一層碳原子層做垂直投影,投影部分的原子
層構成第一層原子平臺;
(4)平面落在第二層和第三層碳-碳原子層間的部分向第二層碳原子層做投影,投影部
分的原子層構成第二層原子平臺;
(5)以此類似方法,形成上表面4°偏角原子結構;
(6)優化原子結構,得到4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型。
3.根據權利要求2所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方
法,其特征在于,所述4H-SiC晶胞的三維原子結構模型是直接從模型庫調用或根據4H-SiC
晶胞的空間群、晶格參數和原子坐標自行繪制。
4.根據權利要求2所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方
法,其特征在于,所述4H-SiC的超晶胞模型是將4H-SiC晶胞在x、y和z方向三維周期重復,
所述x、y和z向的數值是根據所需超晶胞的大小確定。
5.一種用權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅外延生
長的方法,所述方法包括:
(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;
(2)以硅面為吸附表面,在表面的不同位置放置硅原子,進行結構優化及形成能計算,
比較出硅原子更易被吸附的位置;
(3)于有臺階的碳化硅表面的不同位置放置碳原子,進行結構優化及形成能計算,比較
出碳原子更易被吸附的位置;
(4)再分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化及形成能計算,分析碳化硅臺階流生長
過程;
(5)放置大量的碳原子和硅原子,原子數量大到一定量級后,利用分子動力學計算軟件
研究碳化硅臺階流外延生長過程。
6.根據權利要求5所述的用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅外延生
長的方法,其特征在于,步驟(5)中所述研究碳化硅臺階流外延生長過程包括控制壓力、控
制溫度和控制氣體流量對臺階流生長的影響。
7.一種用權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅表面缺
陷的研究及控制方法,所述方法包括:
(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;
(2)在模型上建立缺陷,優化其結構,計算形成能,得出缺陷形成的難易,分析臺階對
缺陷形成的影響。
8.根據權利要求7所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅表面缺陷
的研究及控制方法,其特征在于,所述缺陷包括三角型缺陷、胡蘿卜型缺陷、downfall或慧
尾型缺陷。
9.一種用權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅襯底缺
陷對外延影響的研究及控制方法,所述方法包括:
(1)建立含有缺陷的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;
(2)分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化,計算形成能,分析碳化硅臺階流生長過
程;
(3)優化缺陷處生長碳化硅外延后的結構,計算形成能,得出缺陷對外延過程的影響。
10.一種用權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅氧化原
理的方法,所述方法包括:
(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;
(2)以硅面為氧化界面,在其上施加第1個氧原子,進行結構優化及形成能比較分析;
(3)在氧化界面上施加第2個氧原子,進行結構優化及形成能比較分析;
(4)按類似方法,依次在氧化界面上施加N個氧原子,進行結構優化及形成能比較分
析;
(5)在已施加N個氧原子的基礎上,優化結構,找到無定型氧化硅的結構,并計算界
面處的能帶,分析在氧化過程中形成高界面態密度的原因;
(6)建立各種不同的高界面態產生機理模型,計算臺階結構對高界面態的影響。
11.根據權利要求10所述的用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅氧化
原理的方法,其特征在于,步驟(4)中所述N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N
越大越接近實際情況,運算時間越長。
12.一種用權利要求1所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅歐姆接
觸的方法,所述方法包括:
(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;
(2)以硅面為歐姆接觸界面,在界面上施加歐姆接觸原子,所述歐姆接觸原子為Ni、
Al、Ti、Au和Pt中的一種或幾種金屬原子的組合;
(3)先放置1個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;
(4)再在界面上施加第2個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;
(5)按類似方法,依次在界面上施加N個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析,
所述N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N越大越接近實際情況,運算時間越長;
(6)在已施加N個金屬原子的基礎上,優化結構,找到金屬與碳化硅界面形成的化合
物,并計算化合物的電阻,比較不同金屬與碳化硅界面間產生化合物的比接觸電阻,得到合
適的歐姆接觸金屬;
(7)計算臺階結構對歐姆接觸的影響。

說明書

一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型及其構建方法和應用

技術領域

本發明涉及一種SiC材料的三維原子結構模型,具體涉及一種4H-SiC材料4°偏角三維
原子結構模型及其構建方法和應用。

背景技術

碳化硅由于其臨界場強高、禁帶寬度大等特點,成為在大功率、高溫、高壓等應用領域
廣受歡迎的半導體材料。與同類硅器件相比,碳化硅器件的其比導通電阻小兩個數量級,工
作頻率10倍于硅,輻射耐受量10倍于硅,單個器件可承受的電壓可達硅器件的10倍,芯片
功率密度可達硅器件的10倍到30倍,與硅模塊比,碳化硅模塊的體積重量可減少80%,系
統損耗可降低30%到70%。人們期待著碳化硅的功率器件具有更高的物理和電學性能,更適
合于大功率應用。

大部分SiC功率器件工作區的制備均是基于高質量的SiC外延片。SiC外延層生長時會
形成不同的表面缺陷,較嚴重的是在4H-SiC外延生長過程中形成3C-SiC三角形包褒體,如
果沿(0001)基面(±≤0.5°)或偏軸小于2°的4H-SiC晶片上外延生長,原子層間存在的
平臺會在平臺中央成核而不是在SiC臺階邊緣成核,而CVD外延生長溫度相對較低,存在立
方和六方多晶成核可能性。使用所謂的“臺階控制外延”方法可以改善外延生長的4H-SiC層
質量,即采用從單晶上切割下來的沿(0001)面向面偏3°~8°的SiC晶片作為襯底
材料。偏軸切割不僅在襯底表面形成大量的原子臺階,而且也會形成短小平臺,偏軸越大,
平臺長度越小,材料在生長過程中更容易從氣相達到表面臺階的合適位置,從而對襯底的多
型進行再次生長而不形成另外的多型小島。這種生長方法很好控制了襯底生長層的再次生長,
減小了外延過程中缺陷的密度,得到的外延材料具有更高的結晶穩定性。通常制備碳化硅器
件所用的碳化硅外延材料均是采用沿(0001)面向面偏4°的4H-SiC襯底材料外延
生成的。

研究者們采用第一性原理分析碳化硅與介質層接觸面的接觸原理時發現,由于沒有
4H-SiC材料的4°偏角原子模型,一般采用無偏角的4H-SiC材料原子模型進行建模及仿真,
這樣得到的仿真模型與實際情況有偏差,仿真結果僅可作為理想情況下的參考。同樣的在研
究碳化硅外延生長過程時均采用無階梯碳化硅表面,而實際上碳化硅襯底材料表面布滿了臺
階,外延生長過程中,吸附的原子或分子遷移到臺階處,在臺階處成核,延續了襯底的晶型。
這是理論研究與實際情況的差異的另一緣由。因此需要構建4H-SiC材料的4°偏角三維原子
結構模型以滿足現有技術的需要。

發明內容

針對現有技術的不足,本發明的目的是提供一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型
及其構建方法和在碳化硅氧化原理、碳化硅歐姆接觸、碳化硅外延等碳化硅材料與其他材料
界面研究中的應用,該模型更接近于實際應用,且建模方法簡單,易于應用。

為實現上述目的,本發明采用以下技術方案:

一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型,所述模型為4H-SiC六方晶胞的周期性重
復結構,晶胞參數為:α=90°,β=90°,
γ=120°,所述晶胞由中心為硅原子的四面體構成,碳硅鍵長為所述模型上表面沿
(0001)面向偏4°。

一種所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方法,所述方法包
括:

(1)建立4H-SiC晶胞的三維原子結構模型;

(2)以步驟1)所述模型為基準,建立4H-SiC的超晶胞模型;

(3)以硅面為上表面,沿(0001)面向偏4°做虛擬平面,平面落在從上表面
開始的第一層和第二層碳-碳原子層間的部分向第一層碳原子層做垂直投影,投影部分的原子
層構成第一層原子平臺;

(4)平面落在第二層和第三層碳-碳原子層間的部分向第二層碳原子層做投影,投影部
分的原子層構成第二層原子平臺;

(5)以此類似方法,形成上表面4°偏角原子結構,由于下表面不做研究對象,保留下
表面原子結構;

(6)優化原子結構,得到4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型。

所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方法的第一優選技術方
案,所述4H-SiC晶胞的三維原子結構模型是直接從模型庫調用或根據4H-SiC晶胞的空間群、
晶格參數和原子坐標自行繪制。

所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型的計算機輔助構建方法的第二優選技術方
案,所述4H-SiC的超晶胞模型是將4H-SiC晶胞在x、y和z方向三維周期重復,所述x、y
和z向的數值是根據所需超晶胞的大小確定,例如可選擇x=39,y=39,z=2或x=18,y=18,
z=2等。

一種用所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅外延生長的方法,所述
方法包括:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為吸附表面,在表面的不同位置放置硅原子,進行結構優化及形成能計算,
比較出硅原子更易被吸附的位置(主要區分臺階附近與遠離臺階處);

(3)于有臺階的碳化硅表面的不同位置放置碳原子,進行結構優化及形成能計算,比較
出碳原子更易被吸附的位置(主要區分臺階附近與遠離臺階處);

(4)再分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化及形成能計算,分析碳化硅臺階流生長
過程;

(5)放置大量的碳原子和硅原子,原子數量大到一定量級后,利用分子動力學計算軟件
研究碳化硅臺階流外延生長過程。

所述的用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅外延生長的方法的第一優選
技術方案,步驟(5)中所述研究碳化硅臺階流外延生長過程包括控制壓力、控制溫度和控制
氣體流量對臺階流生長的影響。

一種用所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅表面缺陷的研究及控制
方法,所述方法包括:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)在模型上建立缺陷,優化其結構,計算形成能,得出缺陷形成的難易,分析臺階對
缺陷形成的影響。

所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅表面缺陷的研究及控制方法的
第一優選技術方案,所述缺陷包括三角型缺陷、胡蘿卜型缺陷、downfall或慧尾型缺陷。

一種用所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅襯底缺陷對外延影響的
研究及控制方法,所述方法包括:

(1)建立含有缺陷的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化,計算形成能,分析碳化硅臺階流生長過
程;

(3)優化缺陷處生長碳化硅外延后的結構,計算形成能,得出缺陷對外延過程的影響。

一種用所述的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅氧化原理的方法,所述
方法包括:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為氧化界面,在其上施加第1個氧原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(3)在氧化界面上施加第2個氧原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(4)按類似方法,依次在氧化界面上施加N個氧原子,進行結構優化及形成能比較分
析;

(5)在已施加N個氧原子的基礎上,優化結構,找到無定型氧化硅的結構,并計算界
面處的能帶,分析在氧化過程中形成高界面態密度的原因;

(6)建立各種不同的高界面態產生機理模型,計算臺階結構對高界面態的影響。

所述的用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅氧化原理的方法的第一優選
技術方案,步驟(4)中所述N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N越大越接近實
際情況,運算時間越長。

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型研究碳化硅歐姆接觸的方法,所述方法包
括:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為歐姆接觸界面,在界面上施加歐姆接觸原子,所述歐姆接觸原子為Ni、
Al、Ti、Au和Pt中的一種或幾種金屬原子的組合;

(3)先放置1個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(4)再在界面上施加第2個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(5)按類似方法,依次在界面上施加N個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析,
所述N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N越大越接近實際情況,運算時間越長;

(6)在已施加N個金屬原子的基礎上,優化結構,找到金屬與碳化硅界面形成的化合
物,并計算化合物的電阻,比較不同金屬與碳化硅界面間產生化合物的比接觸電阻,得到合
適的歐姆接觸金屬;

(7)計算臺階結構對歐姆接觸的影響。

與最接近的現有技術比,本發明具有如下有益效果:

1)本發明的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型在理論研究中較通常使用的無偏角
原子模型更接近于實際應用,研究結果與實際情況更接近,更具有參考價值;

2)本發明的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型可應用于碳化硅氧化原理、碳化硅
歐姆接觸、碳化硅外延等碳化硅材料與其他材料界面研究中,應用廣泛;

3)本發明的建模方法步驟簡單易行,其制作完全按照實際生產過程中對碳化硅表面的處
理方法,即沿(0001)面向偏4°對4H-SiC襯底材料表面進行切割實現。

附圖說明

圖1:本發明的4H-SiC晶胞原子模型的立體圖和側視圖;

圖2:本發明的4H-SiC超晶胞原子模型的側視圖,x=18,y=18,z=2;

圖3:本發明的以硅面為上表面,沿(0001)面向偏4°做的虛擬平面,平面落
在從上表面開始的第一層和第二層碳-碳原子層間的部分向第一層碳原子層做的投影,平面落
在第二層和第三層碳-碳原子層間的部分向第二層碳原子層做的投影;

圖4:本發明的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型。

其中:1硅原子,2碳原子,3兩層原子平臺間的4°偏角,4以硅面為上表面,沿(0001)
面向偏4°做的虛擬平面,5平面落在從上表面開始的第一層和第二層碳-碳原子層
間的部分向第一層碳原子層做的投影,6平面落在第二層和第三層碳-碳原子層間的部分向第
二層碳原子層做的投影。

具體實施方式

下面結合附圖及具體實施例對本發明作進一步的詳細說明。

實施例1

一種4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型,其計算機輔助構建方法如下:

(1)建立4H-SiC晶胞的三維原子結構模型,如圖1所示,4H-SiC晶胞的三維原子結構
模型可直接從模型庫調用,也可以根據4H-SiC晶胞的空間群、晶格參數、原子坐標自行繪制,
4H-SiC材料具有六方結構的晶胞,具有晶胞參數:
α=90°,β=90°,γ=120°;

(2)以4H-SiC晶胞為基準,建立4H-SiC的超晶胞模型,4H-SiC的超晶胞模型是4H-SiC
晶胞在x、y和z方向三維周期重復,x、y和z向的數值可根據所需超晶胞的大小確定,例如
可選擇x=26,y=26,z=2,如圖2所示;

(3)如圖3所示,以硅面為上表面,沿(0001)面向偏4°做虛擬平面,平面
落在從上表面開始的第一層和第二層碳-碳原子層間的部分向第一層碳原子層做垂直投影,投
影部分的原子層構成第一層原子平臺;

(4)平面落在第二層和第三層碳-碳原子層間的部分向第二層碳原子層做投影,投影部
分的原子層構成第二層原子平臺;

(5)以此類似方法,形成上表面4°偏角原子結構,由于晶胞下表面不做研究對象,因
此保留下表面原子結構;

(6)使用軟件進行原子結構優化,得到優化的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型,
模型具有與表1原子坐標基本符合的三維結構。

實施例2

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅外延生長研究的方法如下:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為吸附表面,在表面的不同位置放置硅原子,進行結構優化及形成能計算,
比較出硅原子更易被吸附的位置(主要區分臺階附近與遠離臺階處)。

(3)同理,在有臺階的碳化硅表面的不同位置放置碳原子,進行結構優化及形成能計算,
比較出碳原子更易被吸附的位置(主要區分臺階附近與遠離臺階處)。

(4)再分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化及形成能計算,分析碳化硅臺階流生長
過程。

(5)加入大量的碳原子和硅原子,原子數量大到一定量級后,可以利用分子動力學計算
軟件研究碳化硅臺階流外延生長過程,包括控制壓力、控制溫度、控制氣體流量等因素對臺
階流生長的影響。

實施例3

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅表面缺陷的研究方法及控制方
法,具體如下:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)在模型的基礎上建立多種缺陷的可能,如:三角型缺陷、胡蘿卜型缺陷、downfall、
慧尾型缺陷等,并優化他們的結構,計算形成能,比較缺陷形成的難易,分析臺階對缺陷形
成的影響。

實施例4

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅襯底缺陷對外延影響的研究方
法及控制方法,具體如下:

(1)建立含有多種缺陷的4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)分別放置碳原子和硅原子,進行結構優化,計算形成能,分析碳化硅臺階流生長過
程。

(3)優化缺陷處生長碳化硅外延后的結構,計算形成能,比較外延過程對缺陷的影響。

實施例5

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅氧化原理研究的方法如下:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為氧化界面,在氧化界面上施加第1個氧原子,進行結構優化及反應能量分
析;

(3)在氧化界面上施加第2個氧原子,進行結構優化及反應能量分析;

(4)按類似方法,依次在氧化界面上施加N個氧原子,進行結構優化及反應能量分析,
N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N越大越接近實際情況,運算時間越長。

(5)在已施加N個氧原子的基礎上,優化結構,找到無定型氧化硅的結構,并計算界
面處的能帶,分析在氧化過程下高界面態密度的原因;

(6)建立各種不同的高界面態產生機理模型,計算臺階結構對高界面態的影響。

實施例6

一種用4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型進行碳化硅歐姆接觸研究的方法如下:

(1)建立4H-SiC材料4°偏角三維原子結構模型;

(2)以硅面為歐姆接觸界面,在界面上施加不同的歐姆接觸原子,可以是Ni、Al、Ti、
Au、Pt等,或是多層金屬。

(3)先放置1個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(4)再在界面上施加第2個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析;

(5)按類似方法,依次在界面上施加N個金屬原子,進行結構優化及形成能比較分析,
N取決于計算機硬件運算能力及研究者需求,N越大越接近實際情況,運算時間越長;

(6)在已施加N個金屬原子的基礎上,優化結構,找到金屬與碳化硅界面形成的化合
物,并計算化合物的電阻,比較不同金屬與碳化硅界面間產生化合物的比接觸電阻,找尋適
合的歐姆接觸金屬;

(7)計算臺階結構對歐姆接觸的影響。

最后應當說明的是:以上實施例僅用以說明本發明的技術方案而非對其限制,盡管參照
上述實施例對本發明進行了詳細的說明,所屬領域的普通技術人員應當理解:依然可以對本
發明的具體實施方式進行修改或者等同替換,而未脫離本發明精神和范圍的任何修改或者等
同替換,其均應涵蓋在本發明的權利要求范圍當中。

表14H-SiC材料4°偏角三維原子結構原子坐標











關 鍵 詞:
一種 HSIC 材料 偏角 三維 原子結構 模型 及其 構建 方法 應用
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