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一種制備SI基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕液.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510295677.7

申請日:

2015.06.02

公開號:

CN104988505A

公開日:

2015.10.21

當前法律狀態:

撤回

有效性:

無權

法律詳情: 發明專利申請公布后的視為撤回IPC(主分類):C23F 1/40申請公布日:20151021|||實質審查的生效IPC(主分類):C23F 1/40申請日:20150602|||公開
IPC分類號: C23F1/40; G01N1/32 主分類號: C23F1/40
申請人: 中國科學院上海技術物理研究所
發明人: 張姍; 林春; 廖清君; 胡曉寧; 葉振華
地址: 200083上海市虹口區玉田路500號
優先權:
專利代理機構: 上海新天專利代理有限公司31213 代理人: 郭英
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510295677.7

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.02.16|||2015.11.18|||2015.10.21

法律狀態類型:

發明專利申請公布后的視為撤回|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種制備Si基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕液。它由有機堿溶液四甲基氫氧化銨、去離子水和氧化劑過硫酸銨配制而成。首先將四甲基氫氧化銨溶液與去離子水配置成濃度為5%~20%的混合溶液,再根據混合液的體積加入1g/l~3g/l的過硫酸銨,最后將混合溶液放在溫度超過80℃的水浴中加熱,在50℃~65℃溫度下使用。本發明的特點在于:腐蝕液的使用條件與碲鎘汞工藝兼容,不改變碲鎘汞芯片的物理特性,保證了分析結果的準確性。腐蝕液的選擇性好,能夠將Si襯底完全去除,但對緩沖層碲化鎘和外延薄膜碲鎘汞不腐蝕,獲得完整清晰的外延材料觀察界面,為從緩沖層碲化鎘界面入手對位錯進行觀察提供了良好的觀察樣品。

權利要求書

權利要求書
1.  一種制備Si基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕液,它由四甲基氫氧化銨、去離子水和過硫酸銨配制而成,其特征在于:
將四甲基氫氧化銨溶液和去離子水配制成質量分數為5%~20%的混合液,然后根據混合液的體積加入1g/l~3g/l的過硫酸銨氧化劑,放在溫度超過80℃的水浴中加熱溶解,配制好的腐蝕液在50℃~65℃溫度下使用。

關 鍵 詞:
一種 制備 SI 基碲鎘汞 芯片 觀察 樣品 襯底 腐蝕
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本文標題:一種制備SI基碲鎘汞芯片位錯觀察樣品的襯底腐蝕液.pdf
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