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一種優化STTRAM緩存寫能耗的方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510274065.X

申請日:

2015.05.26

公開號:

CN104915150A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

終止

有效性:

無權

法律詳情: 未繳年費專利權終止IPC(主分類):G06F 12/02申請日:20150526授權公告日:20171205終止日期:20180526|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G06F 3/06申請日:20150526|||公開
IPC分類號: G06F3/06; G06F12/08 主分類號: G06F3/06
申請人: 浙江工商大學
發明人: 章鐵飛; 傅均; 朱繼祥
地址: 310018浙江省杭州市下沙高教園區學正街18號
優先權:
專利代理機構: 杭州天正專利事務所有限公司33201 代理人: 王兵; 黃美娟
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510274065.X

授權公告號:

|||||||||

法律狀態公告日:

2019.05.14|||2017.12.05|||2015.10.14|||2015.09.16

法律狀態類型:

專利權的終止|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種優化STT-RAM緩存寫能耗的方法,其主要步驟是:主STT-RAM緩存增加一小容量的從SRAM緩存,統計新的緩存數據塊與原有數據的相異數據位,比較寫操作分別發生在STT-RAM緩存和SRAM緩存的能耗,并且將數據寫往能耗較小者,并且對主從緩存進行有效管理,從而實現對主體STT-RAM緩存寫能耗的優化。

權利要求書

權利要求書
1.  一種優化STT-RAM緩存寫能耗的方法,其特征包括:
1)對主體STT-RAM緩存增加一小容量的伴隨SRAM緩存:
主體STT-RAM的寫能耗高,其旁增加一小容量的的寫能耗較低的SRAM緩存;SRAM緩存采用全相聯結構,最近最少使用替換策略,接受來自主體SRAM的寫數據塊;
2)比較寫能耗后完成寫更新:
發生寫主體STT-RAM緩存時,提前閱讀目標地址的舊數據,將該數據與將寫數據按位進行比較,統計相異的數據位數,并計算寫主體STT-RAM將發生的能耗;主體STT-RAM的寫能耗與從SRAM緩存的寫能耗比較,將數據塊發送到往寫能耗較低者;
3)對主從緩存的數據讀寫管理:
當發生數據讀操作時,如果目標緩存塊的最新拷貝在SRAM中,就從SRAM讀取,否則從STT-RAM讀取;當SRAM緩存中的數據塊被替換時,那么數據塊就直接寫往內存,同時通知STT-RAM緩存被替換的緩存地址;STT-RAM中的某個塊被替換時,根據該緩存塊是否在SRAM中進行相應處理。

關 鍵 詞:
一種 優化 STTRAM 緩存 能耗 方法
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本文標題:一種優化STTRAM緩存寫能耗的方法.pdf
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