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陣列基板、顯示面板以及顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201510393397.X

申請日:

2015.07.07

公開號:

CN104914630A

公開日:

2015.09.16

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):G02F 1/1339申請日:20150707|||公開
IPC分類號: G02F1/1339; G02F1/1343; G02F1/1362 主分類號: G02F1/1339
申請人: 重慶京東方光電科技有限公司; 京東方科技集團股份有限公司
發明人: 胡偉; 楊妮; 邱海軍
地址: 400714重慶市北碚區水土高新技術產業園云漢大道5號附12號
優先權:
專利代理機構: 北京市柳沈律師事務所11105 代理人: 彭久云
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201510393397.X

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2019.01.29|||2015.10.14|||2015.09.16

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。該陣列基板包括襯底基板以及設置在所述襯底基板上的多個子像素,其特征在于,各所述子像素包括第一電極、第二電極和多個隔墊條,所述多個隔墊條設置在所述第一電極和所述第二電極的下方。通過在陣列基板上形成讓像素電極和公共電極突起的隔墊條,來增強水平電場,抑制縱向電場,從而提高透過率。

權利要求書

權利要求書
1.  一種陣列基板,包括襯底基板以及設置在所述襯底基板上的多個子像素,其特征在于,各所述子像素包括第一電極、第二電極和多個隔墊條,所述多個隔墊條設置在所述第一電極和所述第二電極的下方。

2.  根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊條包括直線形、折線形、波浪形、鋸齒形、弧形中的任意一種。

3.  根據權利要求2所述的陣列基板,其特征在于,所述多個隔墊條為多個平行設置的直線形隔墊條。

4.  根據權利要求1所述的陣列基板,其特征在于,各所述子像素內,所述第一電極和/或所述第二電極包括與所述多個隔墊條對應的電極條。

5.  根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極異層設置,所述第一電極和所述第二電極之間設置第一絕緣層,所述第二電極位于所述第一電極之上,在各所述子像素內,所述第二電極包括多個電極條,并且在所述第二電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,每間隔一個所述隔墊條設置一個所述第二電極的電極條。

6.  根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極為面狀電極或者所述第一電極包括多個電極條;
所述第一電極包括多個電極條的情況下,在所述第一電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,每間隔一個所述隔墊條設置一個所述第一電極的電極條,并且,相鄰兩個隔墊條分別對應所述第一電極的電極條和所述第二電極的電極條。

7.  根據權利要求5所述的陣列基板,其特征在于,所述第二電極為狹縫狀電極或梳狀電極。

8.  根據權利要求4所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極同層設置,在各所述子像素內,所述第一電極和所述第二電極均包括多個電極條,在所述第一電極和所述第二電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,交替設置或每隔一個所述隔墊條交替設置所述第一電極的電極條和所述第二電極的電極條。

9.  根據權利要求1-8任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述第一電極和所述第二電極在沿垂直于所述多個隔墊條的方向上的截面呈鋸齒形 結構。

10.  根據權利要求1-8任一項所述的陣列基板,其特征在于,所述隔墊條的截面包括梯形、三角形、半圓形、臺階形、山峰形中的任意一種。

11.  根據權利要求1-8任一項所述的陣列基板,其特征在于,還包括第二絕緣層,所述第二絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之下,所述多個隔墊條通過所述第二絕緣層的一部分來形成。

12.  根據權利要求1-8任一項所述的陣列基板,其特征在于,還包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之下,所述多個隔墊條通過所述柵極絕緣層的一部分來形成。

13.  根據權利要求1-8任一項所述的陣列基板,其特征在于,還包括設置在所述襯底基板上的多條數據線和多條柵線,所述多條數據線和所述多條柵線交叉限定多個呈陣列排列的所述多個子像素,所述多個隔墊條的延伸方向平行于所述柵線或所述數據線的延伸方向。

14.  一種顯示面板,其特征在于,包括權利要求1-13任一項所述的陣列基板。

15.  一種顯示裝置,其特征在于,包括權利要求14所述的顯示面板。

說明書

說明書陣列基板、顯示面板以及顯示裝置
技術領域
本發明的實施例涉及一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置。
背景技術
薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,TFT-LCD),其基本結構包括陣列基板(Array Substrate)、彩膜基板(Color Filter Substrate)、以及夾設在兩片基板之間的液晶(Liquid Crystal)層。顯示器件中還包括用于控制液晶偏轉的像素電極和公共電極。TFT-LCD中,通過控制液晶分子的偏轉,從而實現對光線強弱的控制,然后通過彩膜基板的濾光作用,實現彩色圖像顯示。
TFT-LCD包括面內開關(In-Plane Switching,IPS)模式和高級超維場(Advanced-Super Dimensional Switching,ADS)模式。在IPS模式和ADS中,通過像素電極或公共電極邊緣所產生的平行電場以及像素電極與公共電極間產生的縱向電場形成多維電場,使液晶盒內像素電極或公共電極之間、像素電極或公共電極正上方所有取向液晶分子都能夠產生旋轉轉換,從而可提高平面取向系液晶工作效率并增大透光效率。
然而,隨著技術的進步,消費者對電子產品的顯示效果提出了更高的要求。人們不斷追求顯示器件可具有更好的顯示效果,更高的透過率。
發明內容
本發明實施例提供一種陣列基板、顯示面板以及顯示裝置,通過在陣列基板上形成讓像素電極和公共電極突起的隔墊條,來增強水平電場,抑制縱向電場,從而提高透過率。
本發明實施例提供一種陣列基板,包括襯底基板以及設置在所述襯底基板上的多個子像素,其特征在于,各所述子像素包括第一電極、第二電極和多個隔墊條,所述多個隔墊條設置在所述第一電極和所述第二電極的下方。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述隔墊條包括直線形、折線形、波浪形、鋸齒形、弧形中的任意一種。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述多個隔墊條為多個平行設置的直線形隔墊條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,各所述子像素內,所述第一電極和/或所述第二電極包括與所述多個隔墊條對應的電極條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極和所述第二電極異層設置,所述第一電極和所述第二電極之間設置第一絕緣層,所述第二電極位于所述第一電極之上,在各所述子像素內,所述第二電極包括多個電極條,并且在所述第二電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,每間隔一個所述隔墊條設置一個所述第二電極的電極條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極為面狀電極或者所述第一電極包括多個電極條;
所述第一電極包括多個電極條的情況下,在所述第一電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,每間隔一個所述隔墊條設置一個所述第一電極的電極條,并且,相鄰兩個隔墊條分別對應所述第一電極的電極條和所述第二電極的電極條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第二電極為狹縫狀電極或梳狀電極。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極和所述第二電極同層設置,在各所述子像素內,所述第一電極和所述第二電極均包括多個電極條,在所述第一電極和所述第二電極所在的層中,對應所述多個隔墊條的位置處,交替設置或每隔一個所述隔墊條交替設置所述第一電極的電極條和所述第二電極的電極條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述第一電極和所述第二電極在沿垂直于所述多個隔墊條的方向上的截面呈鋸齒形結構。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,所述隔墊條的截面包括梯形、三角形、半圓形、臺階形、山峰形中的任意一種。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括第二絕緣層,其中,所述第二絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之下,所述多個隔墊條通過所述第二絕緣層的一部分來形成。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括柵極絕緣層,所述柵極絕緣層位于所述第一電極和所述第二電極之下,所述多個隔墊條通過所述柵極絕緣層的一部分來形成。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括設置在所述襯底基板上的多條數據線和多條柵線,所述多條數據線和所述多條柵線交叉限定多個呈陣列排列的所述多個子像素,所述多個隔墊條的延伸方向平行于所述柵線或所述數據線的延伸方向。
本發明實施例還提供一種顯示面板,包括任一上述的陣列基板。
本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括任一上述的顯示面板。
附圖說明
為了更清楚地說明本發明實施例的技術方案,下面將對實施例的附圖作簡單地介紹,顯而易見地,下面描述中的附圖僅僅涉及本發明的一些實施例,而非對本發明的限制。
圖1為一種ADS模式陣列基板示意圖;
圖2a為本發明一實施例提供的一種陣列基板示意圖;
圖2b為本發明一實施例提供的一種陣列基板中像素電極和公共電極示意圖;
圖2c為本發明一實施例提供的一種陣列基板中直線形隔墊條的示意圖;
圖2d為本發明一實施例提供的一種陣列基板中折線形隔墊條的示意圖;
圖3a為一種圖2a中陣列基板A-A’示意圖(ADS模式);
圖3b本發明一實施例提供的一種陣列基板剖面示意圖(ADS模式);
圖3c為一種圖2a中第一電極和第二電極均包括多個電極條的陣列基板的A-A’示意圖(ADS模式);
圖4a為另一種圖2a中陣列基板A-A’示意圖(IPS模式);
圖4b為圖2a中IPS模式陣列基板中每隔一個隔墊條交替設置第一電極的電極條和第二電極的電極條的A-A’示意圖;
圖5為本發明一實施例提供的一種顯示面板示意圖;
圖6為一種顯示面板水平電場強度分布示意圖;
圖7為本發明一實施例提供的一種顯示面板水平電場強度分布示意圖;
圖8為本發明另一實施例提供的一種顯示面板水平電場強度分布示意 圖;
附圖標記:
10-陣列基板;20-對置基板;100-陣列基板的襯底基板;101-子像素;102-第一電極;1021-第一電極的電極條;103-第二電極;1031-第二電極的電極條;104-隔墊條;105-第一絕緣層;106-第二絕緣層;107-柵極絕緣層;108-柵極;109-有源層;110-源極;111-漏極;112-薄膜晶體管;113-過孔;114-數據線;115-柵線;122-公共電極;1221-公共電極的電極條;123-像素電極;1231-像素電極的電極條;1232-像素電極的狹縫;131-通常技術中顯示面板內水平電場強度分布;132-本發明實施例顯示面板內水平電場強度分布;200-對置基板的襯底基板;201-彩膜層;202-黑矩陣;30-液晶層。
具體實施方式
為使本發明實施例的目的、技術方案和優點更加清楚,下面將結合本發明實施例的附圖,對本發明實施例的技術方案進行清楚、完整地描述。顯然,所描述的實施例是本發明的一部分實施例,而不是全部的實施例。基于所描述的本發明的實施例,本領域普通技術人員在無需創造性勞動的前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發明保護的范圍。
對于通常的低功耗ADS技術,像素電極和公共電極各自形成在相應的平面結構層上。例如,像素電極為狹縫狀電極,公共電極為面狀電極的情況下,像素電極與公共電極的電勢差所形成的邊緣電場包括兩個分量,一個是有利于液晶水平方向偏轉的水平電場,另一個是起干擾作用的縱向電場。在像素電極狹縫上的中間區域,以及各個狹縫之間的中間區域,水平電場較弱,縱向電場較強,導致透過率相應較小,并且最終影響整個液晶面板的透過率。需要說明的是,亦可公共電極為狹縫狀電極,像素電極為面狀電極。此情況下,在公共電極狹縫上的中間區域,以及各個狹縫之間的中間區域,水平電場較弱,縱向電場較強,亦可導致透過率相應較小,并且最終影響整個液晶面板的透過率。
對于通常的IPS技術,像素電極和公共電極形成在同一平面結構層上。例如,像素電極和公共電極均包括多個電極條,像素電極與公共電極的電勢差所形成的邊緣電場包括兩個分量,一個是有利于液晶水平方向偏轉的水平電場,另一個是起干擾作用的縱向電場。在像素電極的每個電極條的中間區 域和公共電極的每個電極條的中間區域,水平電場較弱,縱向電場較強,導致透過率相應較小,并且最終影響整個液晶面板的透過率。
例如,如圖1所示,為一種ADS模式的陣列基板的局部剖視圖,襯底基板100上設置有柵極108。柵極108所在的層之上設置柵極絕緣層107。柵極絕緣層107上設置有源層109。有源層109上設置源極110和漏極111。源極110和漏極111均與有源層109相連,源極110和漏極111分設在有源層109的兩側。源極110和漏極111之間具有間隔以界定溝道區域。薄膜晶體管包括柵極108、柵極絕緣層107、有源層109、源極110和漏極111。在源極110和漏極111所在的層之上設置第二絕緣層106。在第二絕緣層106上設置第一電極102。在第一電極102所在的層之上設置第一絕緣層105。第一絕緣層105上設置第二電極103。第二電極103包括多個電極條1031。第二電極103通過過孔113與薄膜晶體管的漏極111相連。例如,第二電極103可以為像素電極,相應的,第一電極102為公共電極。第一電極102和第二電極103均設置在平面結構上。通過控制像素電極與公共電極形成的電勢差,實現水平電場驅動。
隨著顯示面板市場的不斷發展,高PPI(Pixel Per Inch)產品成為產品發展的重要方向。然而高PPI產品意味著像素更小,這對像素的存儲電容提出了更大的要求。雖然可以將第一絕緣層薄化來提高存儲電容,但這樣大大降低第一絕緣層對線路的保護功能。
本發明實施例提供一種陣列基板,如圖2a所示,其包括襯底基板100以及設置在襯底基板100上的多個按陣列排布的子像素101。
如圖3a、3b、4a和4b所示,各子像素包括第一電極102、第二電極103和多個隔墊條104,多個隔墊條設置在第一電極102和第二電極103的下方。
如圖3a、3b所示,各子像素內,第二電極103包括與多個隔墊條對應的電極條。第一電極102為面狀電極,但第一電極的形狀不限于此。
如圖4a和4b所示,各子像素內,第一電極和第二電極均包括與多個隔墊條對應的多個電極條。
如圖3a、3b、4a和4b所示,各子像素101包括第一電極102和第二電極103,第一電極102和第二電極103可同層設置(圖4a和4b)或者異層設置(圖3a和3b),在襯底基板上各子像素101內設置有多個隔墊條104。第一電極102和第二電極103設置在多個隔墊條104所在的層之上。第一電 極102和第二電極103均包括對應設置在多個隔墊條104之上的部分。
例如,如圖2a所示,第一電極為像素電極123,則第二電極為公共電極,第一電極經過孔113與薄膜晶體管的漏極相連。
例如,第一電極為公共電極,第二電極為像素電極123,第二電極經過孔與薄膜晶體管的漏極相連。
例如,如圖2a-2d所示,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括設置在襯底基板100上的多條數據線114和多條柵線115,多條數據線114和多條柵線115相互絕緣,多條數據線114和多條柵線115交叉限定多個呈陣列排列的子像素101。
例如,如圖2c-2d所示,隔墊條104包括直線形、折線形等形狀,亦可以為波浪形、鋸齒形、弧形等形狀。對此不作限定。相應的,第一電極和/或第二電極包括的與多個隔墊條對應的電極條的形狀與多個隔墊條的形狀相對應。例如,多個隔墊條為多個平行設置的直線形隔墊條。
例如,如圖2c所示,多個隔墊條的延伸方向平行于數據線的延伸方向。亦可多個隔墊條的延伸方向平行于柵線的延伸方向。當然,亦可為其它任意方向。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,第一電極和第二電極異層設置的情況下,第二電極可為狹縫狀電極或梳狀電極,均包括多個電極條。狹縫狀電極例如可如圖2a所示。圖2a中,像素電極123為狹縫狀電極,包括多個狹縫1232,相鄰兩個狹縫之間為電極條1231。第一電極可為面狀電極,如圖3a所示。或者第一電極可為狹縫狀電極或梳狀電極。梳狀電極的多個梳齒即為多個電極條。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,第一電極和第二電極同層設置的情況下,第一電極和第二電極可為梳狀電極,均包括多個電極條。梳狀電極例如可如圖2b所示。圖2b中,公共電極122和像素電極123均為梳狀電極,公共電極122包括多個電極條1221,像素電極123包括多個電極條1231。
如圖3a、3b所示,第一電極102和第二電極103異層設置的情況下,第一電極和第二電極之間設置第一絕緣層105,第二電極103位于第一電極102之上,在各子像素101內,第二電極103包括多個電極條1031,并且在第二電極所在的層中,對應多個隔墊條104的位置處,每間隔一個隔墊條104 設置一個第二電極的電極條1031。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,第一電極和第二電極異層設置的情況下,第一電極為面狀電極或第一電極包括多個電極條。第一電極包括多個電極條的情況下,如圖3c所示,在第一電極所在的層中,對應多個隔墊條的位置處,每間隔一個隔墊條設置一個第一電極的電極條,并且,相鄰兩個隔墊條分別對應第一電極的電極條和第二電極的電極條。
如圖4a、4b所示,第一電極102和第二電極103同層設置的情況下,在各子像素101內,第一電極102包括多個電極條1021,第二電極103包括多個電極條1031,在第一電極和第二電極所在的層中,對應多個隔墊條104的位置處,交替設置第一電極的電極條1021和第二電極的電極條1031,如圖4a所示。或者,每隔一個隔墊條104交替設置第一電極的電極條1021和第二電極的電極條1031,如圖4b所示。圖4b所示的設置方式有利于隔開相鄰的兩個電極條。
例如,在本發明實施例提供的陣列基板中,第一電極102和第二電極103在沿垂直于多個隔墊條(例如,多個隔墊條平行設置)104的方向上的截面呈鋸齒形結構,可如圖3a、3b、4a和4b所示。
例如,在本發明一實施例提供的陣列基板中,隔墊條的截面包括梯形、三角形、半圓形、臺階形、山峰形中的任意一種。對此不作限定。本發明實施例中以隔墊條的截面為梯形為例進行說明。
例如,如圖3a、3b、4a和4b所示,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括第二絕緣層106。第二絕緣層106位于第一電極102和第二電極103之下,多個隔墊條104通過第二絕緣層106的一部分來形成。即,多個隔墊條由形成第二絕緣層的薄膜來形成。
例如,如圖2a所示,在本發明一實施例提供的陣列基板還包括多個薄膜晶體管112。
如圖3b所示,每個薄膜晶體管包括柵極108、柵極絕緣層107、有源層109、源極110和漏極111。
如圖3a、3b、4a和4b所示,柵極絕緣層107位于第一電極102和第二電極103之下。多個隔墊條104可通過柵極絕緣層107的一部分來形成。例如,圖3a中的多個隔墊條104替換為通過柵極絕緣層107的一部分來形成。即,多個隔墊條由形成柵極絕緣層的薄膜來形成。
本發明實施例還提供一種顯示面板,如圖5所示,包括任一上述的陣列基板10。
例如,如圖5所示,顯示面板還包括對置基板20,對置基板與陣列基板相對設置,對置基板和陣列基板分別為顯示面板的上下兩個基板,通常在陣列基板上形成薄膜晶體管陣列等顯示結構,在對置基板上形成彩色樹脂。
例如,對置基板為彩膜基板。例如,在對置基板20上設置有黑矩陣202和彩膜201。在陣列基板10和對置基板20之間設置有液晶層30。
本發明實施例還提供一種顯示裝置,包括任一上述的顯示面板。
以下對包含本發明實施例提供的陣列基板的顯示面板透過率提高的原因進行描述。
圖6為通常的低功耗ADS技術TFT-LCD水平電場強度分布示意圖(例如,如圖1所示的像素電極和公共電極各自形成在相應的平面結構層上的情況下)。通常技術像素上的水平電場強度分布131如圖6中虛線所示。在像素電極的電極條上的中間區域,以及各個電極條之間的中間區域,水平電場最弱,透過率相應較小,最終影響整個面板的透過率。在圖6中,w1和w2寬度對應區域即為水平電場強度小于參考電場強度值(Eth)的區域,為了實現高透過率,需要w1和w2寬度盡量小。
圖7為本發明實施例低功耗ADS型TFT-LCD像素截面示意圖。例如,其陣列基板結構可如圖3a所示。但不限于此。本發明實施例像素上的水平電場強度分布132如圖7中最上方的實線所示。圖7中的虛線為通常技術像素上的水平電場強度分布131。在相同的電壓條件下,在像素電極的電極條的中間區域,以及各個電極條之間的中間區域,水平電場強度小于參考電場強度值Eth的區域(w1’、w2’)明顯小于通常技術像素上的對應的水平電場強度小于參考電場強度值Eth的區域(w1、w2)。在整個像素區內,水平電場強度更大,像素的透過率也因此具有較大的提升。
像素電極與公共電極沿垂直于多個隔墊條的方向上的截面呈鋸齒形結構。該結構的陣列基板可以增強像素區內的水平方向電場,抑制縱向電場,同時減小像素電極各個電極條的中間區域和各電極條之間的中間區域的具有較弱水平電場區域的面積,從而提高透過率。
另外,因像素電極與公共電極呈鋸齒形結構,還可以增加像素電極與公 共電極之間的存儲電容。
與此類似,如圖8所示,包括本發明實施例提供的陣列基板的IPS模式的顯示面板中,也可以相應減小水平電場強度小于參考電場強度值(Eth)的區域,在整個像素區內,水平電場強度更大,像素的透過率也因此具有較大的提升。
本發明的實施例通過在陣列基板上形成讓像素電極和公共電極突起的隔墊條,來增強水平電場,抑制縱向電場,從而提高透過率。
有以下幾點需要說明:
(1)除非另作定義,此處使用的技術術語或者科學術語應當為本發明所屬領域內具有一般技能的人士所理解的通常意義。本公開中使用的“第一”、“第二”以及類似的詞語并不表示任何順序、數量或者重要性,而只是用來區分不同的組成部分。
(2)本發明實施例附圖中,只涉及到與本發明實施例涉及到的結構,其他結構可參考通常設計。
(3)為了清晰起見,在用于描述本發明的實施例的附圖中,層或區域的厚度被放大。可以理解,當諸如層、膜、區域或基板之類的元件被稱作位于另一元件“上”或“下”時,該元件可以“直接”位于另一元件“上”或“下”,或者可以存在中間元件。
(4)在不沖突的情況下,本發明的實施例及實施例中的特征可以相互組合。
以上所述,僅為本發明的具體實施方式,但本發明的保護范圍并不局限于此,任何熟悉本技術領域的技術人員在本發明揭露的技術范圍內,可輕易想到變化或替換,都應涵蓋在本發明的保護范圍之內。因此,本發明的保護范圍應以所述權利要求的保護范圍為準。

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