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涂層的形成方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201410114618.0

申請日:

2014.03.25

公開號:

CN104952704A

公開日:

2015.09.30

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效 IPC(主分類):H01L 21/027申請日:20140325|||公開
IPC分類號: H01L21/027; G03F7/16 主分類號: H01L21/027
申請人: 中芯國際集成電路制造(上海)有限公司
發明人: 章國偉
地址: 201203上海市浦東新區張江路18號
優先權:
專利代理機構: 北京集佳知識產權代理有限公司11227 代理人: 駱蘇華
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410114618.0

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2017.12.01|||2015.11.04|||2015.09.30

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種涂層的形成方法,包括:提供半導體襯底,向半導體襯底表面噴灑涂層材料,所述涂層材料具有第一流動性;采用第一速率旋轉半導體襯底進行第一旋涂工藝,使涂層材料覆蓋于半導體襯底表面;對半導體襯底進行第一烘烤處理,形成第一材料層以及第二材料層,第一材料層的材料具有第二流動性,且第二流動性小于第一流動性;采用第二速率旋轉半導體襯底進行第二旋涂工藝,使第二材料層的材料在第一材料層表面流動,形成具有均勻厚度的第三材料層;對半導體襯底進行第二烘烤處理,形成位于半導體襯底表面的涂層。本發明形成厚度均勻且固化的第一材料層后,進行第二旋涂工藝形成具有均勻厚度的第三材料層,提高形成的涂層的厚度均勻性。

權利要求書

權利要求書
1.  一種涂層的形成方法,其特征在于,包括:
提供半導體襯底,向所述半導體襯底表面噴灑涂層材料,所述涂層材料具有第一流動性;
采用第一速率旋轉所述半導體襯底進行第一旋涂工藝,使涂層材料覆蓋于半導體襯底表面;
對所述覆蓋于半導體襯底表面的涂層材料進行第一烘烤處理,在半導體襯底表面依次形成第一材料層以及第二材料層,其中,第一材料層的材料具有第二流動性,且所述第二流動性小于第一流動性,第二材料層的材料具有第三流動性,且所述第三流動性大于第二流動性、小于或等于第一流動性;
采用第二速率旋轉所述半導體襯底進行第二旋涂工藝,使具有第三流動性的第二材料層的材料在第一材料層表面流動,直至形成具有均勻厚度的第三材料層;
對所述第一材料層和第三材料層進行第二烘烤處理,形成位于半導體襯底表面的涂層。

2.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,在所述第一旋涂工藝之后,對所述半導體襯底進行第一烘烤處理。

3.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,在所述第一旋涂工藝之后第二烘烤處理之前,重復進行若干次第一烘烤處理,且在每次第一烘烤處理后進行第二涂布工藝,在第二烘烤處理之前形成具有均勻厚度的第三材料層。

4.  根據權利要求3所述涂層的形成方法,其特征在于,在所述第一旋涂工藝之后第二烘烤處理之前,重復進行3次第一烘烤處理的步驟包括:
對半導體襯底進行第一次第一烘烤處理,在半導體襯底表面依次形成第二材料層和第四材料層;
對所述半導體襯底進行第一次第二旋涂工藝,將第四材料層轉化為第五材料層;
對半導體襯底進行第二次第一烘烤處理,使第二材料層的厚度增加轉化 為第六材料層,第五材料層的厚度減小轉化為第七材料層;
對半導體襯底進行第二次第二旋涂工藝,將第七材料層轉化為第八材料層;
對半導體襯底進行第三次第一烘烤處理,使第六材料層厚度增加轉化為第一材料層,第八材料層厚度減小轉化為第九材料層;
對所述半導體襯底進行第三次第二旋涂工藝,將第九材料層轉化為具有均勻厚度的第三材料層。

5.  根據權利要求4所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第二次第二旋涂工藝的旋涂速率大于第一次第二旋涂工藝的旋涂速率,所述第三次第二旋涂工藝的旋涂速率大于第二次第二旋涂工藝的旋涂速率。

6.  根據權利要求2或3所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第一烘烤處理為快速烘烤。

7.  根據權利要求6所述涂層的形成方法,其特征在于,所述快速烘烤的工藝參數為:烘烤溫度為90℃至200℃,烘烤時長為1S至300S。

8.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,同時進行所述第一旋涂工藝和第一烘烤處理。

9.  根據權利要求8所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第一烘烤處理的工藝參數為:烘烤溫度為90℃至200℃,烘烤時長為1S至300S。

10.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第二速率大于第一速率。

11.  根據權利要求10所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第一速率為400轉/分至1000轉/分,所述第二速率為1000轉/分至2000轉/分。

12.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,所述涂層的材料為光刻膠或聚酰亞胺。

13.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,所述涂層的厚度為50μm至5000μm。

14.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,所述涂層材料位于半導體襯底表面的中央區域。

15.  根據權利要求1所述涂層的形成方法,其特征在于,所述第二烘烤處理的工藝參數為:烘烤溫度為100度至400度,烘烤時長為100S至1000S。

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涂層 形成 方法
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