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一種浸液限制機構.pdf

摘要
申請專利號:

CN201410114810.X

申請日:

2014.03.25

公開號:

CN104950586A

公開日:

2015.09.30

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法律詳情: 專利權人的姓名或者名稱、地址的變更 IPC(主分類):G03F 7/20變更事項:專利權人變更前:上海微電子裝備有限公司變更后:上海微電子裝備(集團)股份有限公司變更事項:地址變更前:201203 上海市浦東新區張東路1525號變更后:201203 上海市浦東新區張東路1525號|||授權|||實質審查的生效 IPC(主分類):G03F 7/20申請日:20140325|||公開
IPC分類號: G03F7/20 主分類號: G03F7/20
申請人: 上海微電子裝備有限公司
發明人: 趙丹平; 張洪博; 聶宏飛; 張崇明
地址: 201203上海市浦東新區張東路1525號
優先權:
專利代理機構: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙)31237 代理人: 屈蘅; 李時云
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201410114810.X

授權公告號:

|||104950586B||||||

法律狀態公告日:

2017.08.11|||2017.06.06|||2015.11.04|||2015.09.30

法律狀態類型:

專利權人的姓名或者名稱、地址的變更|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明涉及一種浸液限制機構,將浸液限制在投影物鏡和硅片之間,包括水平供液通道、出液通道、氣液回收通道、供氣通道及垂直供液通道,水平供液通道和出液通道水平設置,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道的出口由內向外依次排列于浸液限制機構的底部,所述水平供液通道、垂直供液通道分別連接至供液設備,所述出液通道和氣液回收通道分別連接至氣液回收設備,所述供氣通道連接至供氣設備,設于所述浸液限制機構底部的供氣通道開口的寬度為十微米級。本發明通過增大供氣通道的開口寬度,避免形成“氣刀”結構,從而解決邊緣曝光時的液滴飛濺問題;通過設置垂直供液通道,提供有碰撞風險時朝向浸液限制機構底部的排斥力,從而減小擾動。

權利要求書

權利要求書
1.  一種浸液限制機構,將浸液限制在投影物鏡和硅片之間,包括水平供液通道、出液通道、氣液回收通道以及供氣通道,其特征在于,還包括垂直供液通道,所述水平供液通道和出液通道水平設置,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道的出口由內向外依次排列于浸液限制機構的底部,所述水平供液通道、垂直供液通道分別連接至供液設備,所述出液通道和氣液回收通道分別連接至氣液回收設備,所述供氣通道連接至供氣設備,設于所述浸液限制機構底部的供氣通道開口的寬度為十微米級。

2.  如權利要求1所述的浸液限制機構,其特征在于,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道三者位于浸液限制機構底部的開口將浸液限制機構的底部由內向外依次分為第一平面、第二平面、第三平面和第四平面,所述第二平面與硅片上表面之間的距離小于所述第三平面與硅片上表面之間的距離。

3.  如權利要求2所述的浸液限制機構,其特征在于,所述第一平面與所述第二平面處于同一水平面,所述第四平面與硅片上表面之間的距離大于等于所述第三平面與硅片上表面之間的距離。

4.  如權利要求2所述的浸液限制機構,其特征在于,所述第二平面的寬度為2~5mm,所述浸液限制機構的總質量為1kg,所述第一平面的寬度大于5mm。

5.  如權利要求1所述的浸液限制機構,其特征在于,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道位于浸液限制機構底部的開口均為狹縫或多個離散開口。

6.  如權利要求5所述的浸液限制機構,其特征在于,所述離散開口的形狀為圓形、矩形、橢圓形或三角形中的一種或多種。

7.  如權利要求5所述的浸液限制機構,其特征在于,位于浸液限制機構底部的所述垂直供液通道開口的寬度為0.1~0.2mm;位于浸液限制機構底部的所述氣液回收通道開口的寬度大于0.2mm;位于浸液限制機構底部的所述供氣通道開口的寬度大于1mm。

8.  如權利要求1所述的浸液限制機構,其特征在于,所述浸液限制機構與主基板非剛性連接。

9.  如權利要求1所述的浸液限制機構,其特征在于,所述垂直供液通道的控 制系統包括傳感器、閉環控制單元和流量調節單元,所述傳感器與流量調節單元均設于所述垂直供液通道內,所述傳感器和流量調節單元分別與所述閉環控制單元相連。

10.  如權利要求9所述的浸液限制機構,其特征在于,所述流量調節單元采用磁懸浮離心泵或兩通流量調節閥。

說明書

說明書一種浸液限制機構
技術領域
本發明涉及光刻設備領域,尤其涉及一種浸液限制機構。
背景技術
現代光刻設備以光學光刻為基礎,它利用光學系統把掩模版上的圖形精確地投影曝光到涂過光刻膠的襯底(如:硅片)上。浸沒式光刻是指在曝光鏡頭與硅片之間充滿水(或更高折射的浸沒液體)以取代傳統干式光刻技術中對應的空氣。由于水的折射率比空氣大,這就使得透鏡組數值孔徑增大,進而可獲得更加小的特征線寬。
浸沒式光刻機的結構如圖1所示,在該裝置中,照明系統2、投影物鏡4和硅片臺8依次固定于主框架1上,硅片臺8上放置有一涂有感光光刻膠的硅片7。該浸沒式光刻機結構,將浸液5(如水)填充在投影物鏡4和硅片7之間的縫隙內。工作時,硅片臺8帶動硅片7作高速的掃描、步進動作,浸液限制機構(浸沒頭)6根據硅片臺8的運動狀態,在投影物鏡4的視場范圍,提供一個穩定的浸液流場,同時保證流場與外界的密封,保證液體不泄漏。掩模版3上集成電路的圖形通過照明系統2、投影物鏡4和浸液5以成像曝光的方式,轉移到涂有感光光刻膠的硅片7上,從而完成曝光。
其中浸液限制機構6的結構如圖2所示,浸液限制機構6將浸液5限制在投影物鏡4和硅片7之間的縫隙內。具體地,浸液限制機構6包括相對設置的供液通道61和出液通道62、氣液回收通道63以及供氣通道64,所述供液通道61與供液設備相連,向供液通道61中通入浸液5;所述出液通道62和氣液回收通道63分別連接至氣液回收設備,浸液從所述出液通道62流出后,由氣液回收設備回收;所述供氣通道64連接至供氣設備。由于投影物鏡4和硅片7之間的狹縫內形成了浸液流場,且要求浸液流場中的浸液5處于持續流動狀態,無回流,因此,為了防止流場中的浸液5從此間隙中泄漏,浸液限制機構6內設有供氣通道 64供給壓縮空氣,而供氣通道64在浸液限制機構6底部的開口較窄,會形成朝向硅片7上表面的“氣刀”。“氣刀”形成的壓力增加區域形成了阻擋浸液流場中浸液5泄漏的氣“簾”,氣體或者氣液混合體通過氣液回收通道63抽排出去,從而實現流場密封。
但是,為了實現浸液限制機構6將浸液5限制在投影物鏡4和硅片7之間的縫隙內,浸液限制機構6下表面與硅片7上表面間隙“GAP”應足夠的小,小的間隙有利于工件臺高速步進掃描運動狀態下流場的密封。通常,浸液限制機構6下表面與硅片7上表面間隙“GAP”為100μm左右。然而,非常小的浸液限制機構6下表面與硅片7上表面間隙“GAP”帶來了另外一個問題,即浸液限制機構6與硅片7或硅片臺8碰撞的風險大大增加。
為減小上述風險,一種方法是通過將供氣通道64形成的“氣刀”的部分氣體導引至氣液回收通道63,在浸液限制機構6下表面與硅片7上表面間隙“GAP”形成氣流。將浸液限制機構6保持在間隙中流動的氣體層上。通過利用這種氣體軸承在浸液限制機構6下表面與硅片7上表面間隙“GAP”提供的間距,浸液限制機構6可獲得一定防止碰撞的安全性。
但是,利用氣體軸承方案至少存在以下兩方面問題:
1.“氣刀”結構在邊緣曝光時易造成液滴飛濺問題(Water Splashing);
2.氣體為可壓縮流體,氣體流速過高時浸液限制機構受到的擾動較大,浸液限制機構存在振動問題(Slurping Noise)。
發明內容
本發明提供一種浸液限制機構,以解決現有的浸液限制機構的上述問題。
為解決上述技術問題,本發明提供一種浸液限制機構,將浸液限制在投影物鏡和硅片之間,包括水平供液通道、出液通道、氣液回收通道以及供氣通道,還包括垂直供液通道,所述水平供液通道和出液通道水平設置,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道的出口由內向外依次排列于浸液限制機構的底部,所述水平供液通道、垂直供液通道分別連接至供液設備,所述出液通道和氣液回收通道分別連接至氣液回收設備,所述供氣通道連接至供氣設備,設于所述浸液限制機構底部的供氣通道開口的寬度為十微米級。
較佳地,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道三者位于浸液限制機構的底部的開口將浸液限制機構底部由內向外依次分為第一平面、第二平面、第三平面和第四平面,所述第二平面與硅片上表面之間的距離小于所述第三平面與硅片上表面之間的距離。
較佳地,所述第一平面與所述第二平面處于同一水平面,所述第四平面與硅片上表面之間的距離大于等于所述第三平面與硅片上表面之間的距離。
較佳地,所述第二平面的寬度為2~5mm,所述浸液限制機構的總質量為1kg,所述第一平面的寬度大于5mm。
較佳地,所述垂直供液通道、氣液回收通道和供氣通道位于浸液限制機構底部的開口均為狹縫或多個離散開口。
較佳地,所述離散開口的形狀為圓形、矩形、橢圓形或三角形中的一種或多種。
較佳地,位于浸液限制機構底部的所述垂直供液通道開口的寬度為0.1~0.2mm;位于浸液限制機構底部的所述氣液回收通道開口的寬度大于0.2mm;位于浸液限制機構底部的所述供氣通道開口的寬度大于1mm。
較佳地,所述浸液限制機構與主基板非剛性連接。
較佳地,所述垂直供液通道的控制系統包括傳感器、閉環控制單元和流量調節單元,所述傳感器與流量調節單元均設于所述垂直供液通道內,所述傳感器和流量調節單元分別與所述閉環控制單元相連。
較佳地,所述流量調節單元采用磁懸浮離心泵或兩通流量調節閥。
與現有技術相比,本發明具有以下優點:
1.本發明利用供氣設備向供氣通道中通入超潔凈濕空氣,由于增大了供氣通道位于浸液限制機構的底部的開口的寬度,避免氣流向硅片上表面的沖擊力過大,從而解決邊緣曝光時的液滴飛濺問題;
2.本發明通過增設垂直供液通道,在浸液限制機構的底部形成第一至第四平面,第二平面與硅片上表面形成間隙GAP2,間隙GAP2中為不可壓縮的液體層,通過調節垂直供液通道的流速能夠提供有碰撞風險時向浸液限制機構的排斥力,在避免浸液限制機構的底部與硅片碰撞的同時,能夠減小浸液限制機構受到的擾動;
3.本發明對垂直供液通道進行伺服控制,閉環控制單元通過傳感器的反饋值,精確的控制垂直供液通道中浸液的流動速度和壓力,保證碰撞時向浸液限制機構提供足夠大的排斥力。
附圖說明
圖1為浸沒式光刻機的結構示意圖;
圖2為現有的浸液限制機構的結構示意圖;
圖3為本發明一具體實施方式的浸液限制機構的結構示意圖;
圖4為本發明一具體實施方式的浸液限制機構的底部結構示意圖;
圖5為本發明一具體實施方式的浸液限制機構的受力關系示意圖;
圖6為本發明一具體實施方式的浸液限制機構與主基板的連接關系示意圖;
圖7為本發明實施例1的浸液限制機構中垂直供液通道的控制系統示意圖;
圖8為本發明實施例2的浸液限制機構中垂直供液通道的控制系統示意圖。
圖1-2中:1-主框架、2-照明系統、3-掩模版、4-投影物鏡、5-浸液、6-浸液限制機構、61-供液通道、62-出液通道、63-氣液回收通道、64-供氣通道、7-硅片、8-硅片臺;
圖3-8中:100-投影物鏡、200-硅片、300-浸液、400-浸液限制機構、410-水平供液通道、420-出液通道、430-氣液回收通道、440-供氣通道、450-垂直供液通道、451-傳感器、452-閉環控制單元、453-磁懸浮離心泵、454-兩通流量調節閥、460-第一平面、470-第二平面、480-第三平面、490-第四平面、500-主基板、510-連接件、520-重力補償機構、530-電機。
具體實施方式
為使本發明的上述目的、特征和優點能夠更加清晰易懂,下面結合附圖對本發明的具體實施方式做詳細的說明。需說明的是,本發明附圖均采用簡化的形式且均使用非精準的比例,僅用以方便、明晰地輔助說明本發明實施例的目的。
請參考圖3至圖4,本發明提供的浸液限制機構400,將浸液300限制在投影物鏡100和硅片200之間,包括水平供液通道410、出液通道420、氣液回收通道430以及供氣通道440,還包括垂直供液通道450,所述水平供液通道410 和出液通道420相對設置,且均水平設置于浸液限制機構400的頂部,以實現浸液的循環流動;所述垂直供液通道450、氣液回收通道430和供氣通道440的出口由內向外依次排列于浸液限制機構400的底部,所述水平供液通道410、垂直供液通道450分別連接至供液設備,請重點參考圖3,所述水平供液通道410連接至水平注液單元,所述垂直供液通道450連接至垂直注液單元,二者分別控制;所述出液通道420和氣液回收通道430分別連接至氣液回收設備;所述供氣通道440連接至供氣設備,所述供氣通道440位于浸液限制機構400底部的開口,其寬度為十微米級,當供氣設備向供氣通道440中通入壓縮氣體時,由于供氣通道440位于浸液限制機構400底部的開口的寬度較大,能夠有效避免由于供氣通道底部開口過窄而引起的流向硅片上表面的空氣的沖擊力過大的問題,進而解決了邊緣曝光時液滴飛濺的問題。
較佳地,請繼續參考圖3和圖4,所述垂直供液通道450、氣液回收通道430和供氣通道440三者位于浸液限制機構400的底部的開口將浸液限制機構400的底部由內向外依次分為第一平面460、第二平面470、第三平面480和第四平面490,本發明通過增設垂直供液通道450,第二平面470與硅片200上表面之間的距離GAP2中為不可壓縮的液體層,通過調節垂直供液通道450的流速,在有碰撞風險時就能夠提供朝向浸液限制機構400的排斥力,在避免浸液限制機構400的底部與硅片200碰撞的同時,能夠減小浸液限制機構400受到的擾動。所述第二平面470與硅片200上表面之間的距離GAP2小于所述第三平面480與硅片200上表面之間的距離GAP1,且差值應大于100μm,請重點參考圖3,也就是說,第二平面470低于第三平面480,進一步降低浸液限制機構400與硅片200發生碰撞的風險。
請重點參考圖4,本實施例中,所述浸液限制機構400的底面是與X、Y軸夾角均為45°角的正方形,然而,本發明對浸液限制機構400底面的形狀不進行限定,其可以應用至在水平面上形成的任何形狀,例如圓形。
具體地,所述垂直供液通道450位于浸液限制機構400的底部的開口可以是細長的狹縫,期望狹縫的寬度為0.1至0.2mm之間;還可以是多個離散的小開口,這些離散的開口可以是從圓形、方形、矩形、長橢圓形、三角形等中選出的一個或多個,每個開口的直徑或寬度期望為0.1mm至0.2mm之間,各開口間距期望 為0.2mm至0.3mm之間。垂直供液通道450連接至浸液供給設備分立的垂直注液單元,以產生期望的垂直注液流量和壓力。
所述氣液回收通道430位于浸液限制機構400的底部的開口可以是細長的狹縫,期望狹縫的寬度大于0.2mm;還可以是多個離散的小開口,這些離散的開口可以是從圓形、方形、矩形、長橢圓形、三角形等中選出的一個或多個,每個開口的直徑或寬度期望大于0.3mm。所述氣液回收通道430連接至分立的負壓源,以產生期望的抽排負壓。
浸沒流場的維持取決于掃描曝光時的動態彎液面控制,而動態(后退)彎液面接觸角較小時,連續的水膜會被硅片200從浸液流場中拉伸出來,拉伸出來的液膜在蒸發致冷作用下使得硅片200瞬間降溫,為防止蒸發致冷,浸液限制機構400下表面最外側設置用于提供超潔凈濕空氣(Extreme Clean Humid Air)的供氣通道440,其結構可以是細長的狹縫,期望狹縫的寬度為大于1mm;還可以是多個離散的小開口,這些離散的開口可以是從圓形、方形、矩形、長橢圓形、三角形等中選出的一個或多個,每個開口的直徑或寬度期望大于1mm,各開口間距期望大于2mm。供氣通道440連接至分立的正壓源,以產生期望的供氣正壓。
請重點參考圖3,所述第二平面470與硅片200上表面之間流動的是液體層;所述第三平面480與硅片200上表面之間流動的是氣體層,假設第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的密度為ρ、動力粘度為μ、硅片200以速度v0運動,所述第二平面470與硅片200上表面之間的距離GAP2的高度為h,第二平面470的寬度(垂直供液通道450在浸液限制機構400的底部的開口與氣液回收通道430在浸液限制機構400的底部的開口之間的距離)為l。
則浸液300流動時,考慮定常、連續、不可壓的N-S方程:
-∂p∂x+μ∂2vx∂y2=0]]>
硅片200上表面邊界采用無滑移邊界條件:
y=0,vx=±v0y=h,vx=0]]>
其中,
+v0表示硅片200運動方向與第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的流動方向同向;
-v0表示硅片200運動方向與第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的流動方向反向。
可得到第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的速度分布:
vx=Δp2μl(hy-y2)±v0(1-yh)]]>
設所述第二平面470外圍的周長為B,可得到第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的流量qv為:
qv=∫0hvxBdy=Bh2(Δph26μl±v0)]]>
從而可得到第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的平均速度為:
v=Δph212μl±v02]]>
若不考慮硅片200的運動,則
Δp=12μLvh2]]>
其中,Δp為驅動液體流動的壓力。
而上述的第二平面470與硅片200上表面之間填充的浸液300的液體流動的壓力Δp也就形成了第二平面470與硅片200上表面間的排斥力,排斥力大小與GAP2的高度h、第二平面470的寬度l的關系如圖5所示,較佳地,所述第二平面470的寬度為2~5mm,所述浸液限制機構400的總質量為1kg,所述第一平面460的寬度大于5mm。由圖5可知,當h為25μm,l為2mm時,浸液限制機構400受到的排斥力為8N,當h為25μm,l為3.5mm時,浸液限制機構400受到的排斥力為24N,當h為25μm,l為5mm時,浸液限制機構400受到的排斥力為 50N;所述第一平面460的寬度大于5mm能夠防止垂直供液通道450中過多的浸液300倒流至投影物鏡100下方的流場中。較佳地,所述第一平面460與所述第二平面470處于同一水平面,所述第四平面490與硅片200上表面之間的距離大于等于所述第三平面480與硅片200上表面之間的距離。
較佳地,請重點參考圖6,所述浸液限制機構400與主基板500非剛性連接,以確保所述浸液限制機構400在碰撞風險較大時能夠被排斥力抬起,具體地,浸液限制機構400與連接件510剛性連接,重力補償機構520和電機530分別與所述主基板500剛性連接,利用重力補償機構520和電機530自身組件之間的非剛性連接關系實現浸液限制機構400與主基板500之間的非剛性連接。
實施例1
較佳地,請重點參考圖7,所述垂直供液通道450的控制系統包括傳感器451、閉環控制單元452和流量調節單元,本實施例中,所述流量調節單元采用磁懸浮離心泵453,使用時,所述磁懸浮離心泵453可設有回流通道,如圖7中所示。所述傳感器451與流量調節單元均設于所述垂直供液通道450內,所述傳感器451和流量調節單元分別與所述閉環控制單元452相連。具體地,當第二平面470與硅片200上表面間的距離減小時(即:浸液限制機構400與硅片200或工件臺產生碰撞風險時),垂直供液通道450的注液阻力(負載)增加,若保持注液的功率不變將會導致注液流量流速的下降,這不利于第二平面470與硅片200上表面之間的液體層產生足夠的排斥力。因此,垂直供液通道450的注液過程可采用無軸承磨損以及密封破損的磁懸浮離心泵453注液。基于磁懸浮的原理,磁懸浮離心泵453的葉輪懸浮(無接觸)在密封的泵殼內并且由電機的磁場驅動,其中磁懸浮離心泵453的葉輪和殼體都要求由耐化學腐蝕和無金屬、顆粒等污染釋放的高純度的全氟烷氧基樹脂(PFA)制造,或磁懸浮離心泵453的葉輪和殼體均包含高純度PFA涂層或內襯,與磁性轉子一起構成磁懸浮離心泵453的頭部;傳感器451采集垂直供液通道450中浸液300的流動速度或壓力,反饋給閉環控制單元452,閉環控制單元452通過電子調節所述磁懸浮離心泵453的轉子速度,精確的控制垂直供液通道450中浸液300的流動速度和壓力。
實施例2
較佳地,請重點參考圖8,本實施例與實施例1的區別點在于:所述流量調節單元采用兩通流量調節閥454,使用時,所述兩通流量調節閥454可設有回流通道,如圖8中所示。具體地,所述兩通流量調節閥454的閥體由耐化學腐蝕和無金屬、顆粒等污染釋放的高純度PFA或PTFE(聚四氟乙烯)制造,兩通流量調節閥454中與浸液300接觸部分要求由耐化學腐蝕和無金屬、顆粒等污染釋放的高純度PFA制造;傳感器451采集垂直供液通道450中浸液300的流動速度或壓力,反饋給閉環控制單元452,閉環控制單元452通過電子調節與兩通流量調節閥454連接的驅動器來調節兩通流量調節閥454的開度,精確的控制垂直供液通道450中浸液300的流動速度和壓力。
較佳地,表1中分別給出了各進出口流量值,其中,Q1為垂直供液通道450中流體的流量值;Q2為氣液回收通道430中流體的流量值;Q3為供氣通道440中流體的流量值。
表1
 第一組第二組第三組Q1(l/min)0.981.311.64Q2(l/min)405570Q3(l/min)375064
上述三組數值均能夠在確保形成足夠大的合適的排斥力的同時,防止氣液回收通道430中產生過大的相對硅片200的吸引力,同時也能保證流場的密封。
綜上所述,本發明提供的一種浸液限制機構400,將浸液300限制在投影物鏡100和硅片200之間,包括水平供液通道410、出液通道420、氣液回收通道430以及供氣通道440,還包括垂直供液通道450,水平供液通道410和出液通道450水平設置,所述垂直供液通道450、氣液回收通道430和供氣通道440的出口由內向外依次排列于浸液限制機構400的底部,所述水平供液通道410、垂直供液通道450分別連接至供液設備,所述出液通道420和氣液回收通道430分別連接至氣液回收設備,所述供氣通道440連接至供氣設備,所述供氣通道440位 于浸液限制機構400的底部開口的寬度為十微米級。本發明通過增大供氣通道440的開口寬度,避免形成“氣刀”結構,從而解決邊緣曝光時的液滴飛濺問題;通過設置垂直供液通道450,提供有碰撞風險時朝向浸液限制機構400底部的排斥力,從而減小擾動。
顯然,本領域的技術人員可以對發明進行各種改動和變型而不脫離本發明的精神和范圍。這樣,倘若本發明的這些修改和變型屬于本發明權利要求及其等同技術的范圍之內,則本發明也意圖包括這些改動和變型在內。

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一種 浸液 限制 機構
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