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用于處理磁結構的工藝.pdf

摘要
申請專利號:

CN201480010664.4

申請日:

2014.02.21

公開號:

CN105164828A

公開日:

2015.12.16

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 43/12申請日:20140221|||公開
IPC分類號: H01L43/12; C23C18/50; H01F41/14 主分類號: H01L43/12
申請人: 國家科學研究中心; 巴黎第十一大學
發明人: 達菲內·拉維洛索納
地址: 法國巴黎
優先權: 1351739 2013.02.27 FR
專利代理機構: 上海天協和誠知識產權代理事務所31216 代理人: 童錫君
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201480010664.4

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2018.07.13|||2016.01.13|||2015.12.16

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

處理磁結構的工藝,其特征在于,包括以下步驟:提供(S10)包括至少一層含鈷鐵硼(CoFeB)合金的第一磁性材料層的磁結構;用低能輕離子輻射(S20)磁結構;以及用預設溫度曲線和預設的時間來保持(S30)磁結構。

權利要求書

權利要求書
1.  用于處理磁結構(100)的工藝,其特征在于,包括以下步驟:
-提供(S10)磁結構(100),所述磁結構包括至少一層含有鈷鐵硼(CoFeB)合金的第一磁性材料層(102);
-用低能輕離子輻射(S20)所述磁結構(100);以及,
-用預設溫度曲線和預設時間來同時保持(S30)磁結構(100)。

2.  根據權利要求1所述的工藝,其特征在于,所述預設溫度小于或等于200℃。

3.  根據權利要求1或2所述的工藝,其特征在于,所述預設溫度介于20℃至200℃之間。

4.  根據權利要求1或2所述的工藝,其特征在于,所述預設溫度介于15℃至40℃之間。

5.  根據權利要求1至4中任一項所述的工藝,其特征在于,所述預設時間小于或等于1小時。

6.  根據權利要求1至5中任一項所述的工藝,其特征在于,所述磁性材料最初是非晶體的。

7.  根據權利要求1至5中任一項所述的工藝,其特征在于,所述磁性材料最初是晶體的。

8.  根據權利要求1至7中任一項所述的工藝,其特征在于,所述離子是He+、H+、Ar+、Xe+或Ga+離子。

9.  根據權利要求1至8中任一項所述的工藝,其特征在于,所述離子的能量介于0.1keV至150keV之間。

10.  根據權利要求1至9中任一項所述的工藝,其特征在于,在輻射步驟(S20)中,所述發射離子的劑量介于1x1013離子/cm2至5x1016離子/cm2之間。

11.  根據權利要求1至10中任一項所述的工藝,其特征在于,在輻射 步驟(S20)中,所述離子至少穿過所述第一磁性材料層(102)。

12.  根據權利要求1至11中任一項所述的工藝,其特征在于,在輻射步驟(S20)中,所述離子通過掩模(112)內的貫通開口(114)轟擊所述磁結構(100)。

13.  根據權利要求1至12中任一項所述的工藝,其特征在于,所述磁結構(100)包括與所述第一磁性材料層(102)相接觸的至少一層第二絕緣層(106)。

14.  根據權利要求13所述的工藝,其特征在于,所述磁結構(100)包括層疊交替的所述第一磁性材料層(102)和所述第二絕緣層(106)。

15.  磁結構(100),其特征在于,至少包括:
-含有鈷鐵硼(CoFeB)合金的第一磁性材料層(102);以及,
-襯底(104),所述第一磁性材料層(102)設置在所述襯底上,并且所述襯底包含低能輕原子。

16.  根據權利要求15所述的磁結構(100),具有大于或等于500mT的有效的各向異性場。

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用于 處理 結構 工藝
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