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半導體裝置用接合線及其制造方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201580000889.6

申請日:

2015.03.31

公開號:

CN105324838A

公開日:

2016.02.10

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/60申請日:20150331|||公開
IPC分類號: H01L21/60; B21C1/00; C22C5/06; C22C5/08; C22F1/00; C22F1/14 主分類號: H01L21/60
申請人: 日鐵住金新材料股份有限公司; 新日鐵住金高新材料株式會社
發明人: 山田隆; 小田大造; 大石良; 榛原照男; 宇野智裕
地址: 日本埼玉縣
優先權: 2014-072650 2014.03.31 JP
專利代理機構: 北京市中咨律師事務所11247 代理人: 劉航; 段承恩
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201580000889.6

授權公告號:

||||||

法律狀態公告日:

2016.10.19|||2016.03.09|||2016.02.10

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明為了同時抑制傾斜不良和彈回不良,提供一種半導體裝置用接合線,其特征在于,(1)在包含線中心、并與線長度方向平行的截面(線中心截面)中,不存在長徑a與短徑b之比a/b為10以上且面積為15μm2以上的晶粒(纖維狀組織);(2)測定線中心截面中的線長度方向的晶體取向的結果,相對于所述線長度方向角度差為15°以下的晶體取向<100>的存在比率以面積比率計為50%以上且90%以下;(3)測定線表面中的線長度方向的晶體取向的結果,相對于所述線長度方向角度差為15°以下的晶體取向<100>的存在比率以面積比率計為50%以上且90%以下。在拉絲工序中進行至少1次減面率為15.5%以上的拉絲加工,將最終熱處理溫度和最終熱處理之前的離最終熱處理最近的那次熱處理的溫度設為規定范圍。

權利要求書

1.一種半導體裝置用接合線,其Ag含量為90質量%以上,其特征
在于,
在包含線中心、并與線長度方向平行的截面即線中心截面中,不存在
長徑a與短徑b之比a/b為10以上且面積為15μm2以上的晶粒,
測定所述線中心截面中的線長度方向的晶體取向,結果是相對于所述
線長度方向角度差為15°以下的晶體取向<100>的存在比率以面積率計為
50%以上且90%以下,
測定線表面中的線長度方向的晶體取向,結果是相對于所述線長度方
向角度差為15°以下的晶體取向<100>的存在比率以面積率計為50%以
上且90%以下。
2.根據權利要求1所述的半導體裝置用接合線,其特征在于,
所述半導體裝置用接合線包含Pd、Cu、Au、Zn、Pt、Ge、Sn、Ti、
Ni中的一種以上,在包含Pd、Cu、Au、Zn的情況下這些元素的合計為
0.01~8質量%,在包含Pt、Ge、Sn、Ti、Ni的情況下這些元素的合計為
0.001~1質量%,余量為Ag以及雜質。
3.根據權利要求1或2所述的半導體裝置用接合線,其特征在于,
所述雜質中含有的S為1質量ppm以下、Cl為0.5質量ppm以下。
4.一種制造權利要求1~3的任一項所述的半導體裝置用接合線的方
法,其特征在于,
具有進行1次以上的拉絲加工的拉絲工序,在所述拉絲工序中具有至
少1次減面率為15.5~30.5%的拉絲加工,在所述拉絲工序的途中進行1
次以上的熱處理,在拉絲工序結束后進行最終熱處理,所述1次以上的熱
處理之中離所述最終熱處理最近的那次熱處理的溫度為600℃以上且800
℃以下,所述最終熱處理的溫度為300℃以上且小于600℃。

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半導體 裝置 接合 及其 制造 方法
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