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一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201210507742.4

申請日:

2012.11.30

公開號:

CN103021939B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/77申請日:20121130|||公開
IPC分類號: H01L21/77; H01L27/02 主分類號: H01L21/77
申請人: 京東方科技集團股份有限公司
發明人: 崔承鎮; 金熙哲; 宋泳錫; 劉圣烈
地址: 100015 北京市朝陽區酒仙橋路10號
優先權:
專利代理機構: 北京中博世達專利商標代理有限公司 11274 代理人: 申健
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210507742.4

授權公告號:

103021939B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2013.05.01|||2013.04.03

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明實施例提供一種陣列基板及其制造方法、顯示裝置,涉及顯示技術領域,可以減少在陣列基板的制造過程中構圖工藝的次數,有效降低產品的生產成本。方法包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟,形成所述第一透明電極的步驟包括:形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜;通過一次構圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層的圖形;在所述金屬氧化物薄膜的圖形區域進行金屬化處理以形成第一透明電極。本發明實施例用于制造顯示裝置。

權利要求書

權利要求書一種陣列基板制造方法,包括在透明基板上形成薄膜晶體管TFT和第一透明電極的步驟,其特征在于,形成所述第一透明電極的步驟包括:
形成金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜;
通過一次構圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層的圖形;
在所述金屬氧化物薄膜的圖形區域進行金屬化處理以形成第一透明電極。
根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述通過一次構圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜和所述刻蝕阻擋層的圖形包括:
在依次形成有所述金屬氧化物薄膜和所述刻蝕阻擋層薄膜的基板上通過一次構圖工藝形成所述金屬氧化物薄膜和所述刻蝕阻擋層的圖形,所述刻蝕阻擋層的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面,且覆蓋所述TFT的溝道區域。
根據權利要求1所述的方法,其特征在于,所述在所述金屬氧化物薄膜的圖形區域進行金屬化處理以形成第一透明電極包括:
對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理,形成具有導體特性的金屬氧化物薄膜,所述刻蝕阻擋層下未進行所述金屬化處理的部分所述金屬氧化物薄膜形成半導體有源層;
其中,經過所述金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜包括用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極、用于與所述TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極,所述漏連接電極與所述第一透明電極為一體結構。
根據權利要求3所述的方法,其特征在于,所述對外露的金屬氧化物薄膜進行金屬化處理包括:
將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于真空腔室中加熱到預設溫度,并保持預設時間后在空氣中冷卻,其中,所述預設溫度為200~300℃,所述預設時間為20~40分鐘;或,
將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于還原性氣氛中在200~400℃進行熱處理;或,
將具有外露的金屬氧化物薄膜的陣列基板置于真空腔室中,采用氫氣等離子體或氧氣等離子體處理,功率為1500~2500W,壓力為1000~2000mtorr,氣體流量為5000~15000sccm。
根據權利要求1所述的方法,其特征在于,在形成所述第一透明電極的步驟之前,所述方法還包括:
在所述透明基板上形成柵線、柵電極以及公共電極線;
在所述透明基板、所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線上形成柵絕緣層。
根據權利要求5所述的方法,其特征在于,在形成所述第一透明電極的步驟之后,所述方法還包括:
在形成有所述刻蝕阻擋層和所述第一透明電極的基板上形成數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極;
在形成有所述數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的基板上形成含有過孔的鈍化層,所述過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層,露出公共電極線;
在所述鈍化層上形成第二透明電極,所述第二透明電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。
根據權利要求6所述的方法,其特征在于,在形成有所述刻蝕阻擋層和所述第一透明電極的基板上形成數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極之后,所述方法還包括:
通過構圖工藝處理所述TFT的源極和所述TFT的漏極,使得所述TFT的源極和所述TFT的漏極與所述刻蝕阻擋層的厚度相同。
根據權利要求1至7任一所述的方法,其特征在于,所述第一透明電極為像素電極,所述第二透明電極為公共電極。
根據權利要求1至7任一所述的方法,其特征在于,所述在所述金屬氧化物薄膜的圖形區域進行金屬化處理以形成第一透明電極包括:
在所述金屬氧化物薄膜的圖形區域通過等離子工藝或退火工藝處理以形成第一透明電極。
根據權利要求1至7任一所述的方法,其特征在于,所述金屬氧化物薄膜采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料,包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。
一種陣列基板,包括薄膜晶體管TFT和第一透明電極,其特征在于,還包括:
依次形成于陣列基板表面的金屬氧化物薄膜和刻蝕阻擋層薄膜;
所述金屬氧化物薄膜的圖形和所述刻蝕阻擋層的圖形通過一次構圖工藝形成;
通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域包括所述第一透明電極。
根據權利要求11所述的陣列基板,其特征在于,
所述刻蝕阻擋層的圖形位于所述金屬氧化物薄膜圖形表面,且覆蓋TFT的溝道區域。
根據權利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述通過金屬化處理的所述金屬氧化物薄膜的圖形區域還包括:
半導體有源層,所述半導體有源層位于所述刻蝕阻擋層下;
用于與所述TFT的源極電連接的源連接電極、用于與所述TFT的漏極電連接的漏連接電極以及第一透明電極,所述漏連接電極與所述第一透明電極為一體結構。
根據權利要求11所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
位于所述透明基板和所述金屬氧化物薄膜之間的柵線、柵電極以及公共電極線;
位于所述柵線、所述柵電極以及所述公共電極線和所述金屬氧化物薄膜之間的柵絕緣層。
根據權利要求14所述的陣列基板,其特征在于,所述陣列基板還包括:
位于所述刻蝕阻擋層和所述第一透明電極的表面的數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極;
位于所述數據線、所述TFT的源極以及所述TFT的漏極的表面的含有過孔的鈍化層,所述過孔貫穿所述鈍化層和所述柵絕緣層,露出公共電極線;
位于所述鈍化層表面的第二透明電極,所述第二透明電極通過所述過孔與所述公共電極線電連接。
根據權利要求11至15任一所述的陣列基板,其特征在于,所述第一透明電極為像素電極,所述第二透明電極為公共電極。
根據權利要求11至15任一所述的陣列基板,其特征在于,所述金屬氧化物薄膜采用呈半導體特性的透明金屬氧化物材料,包括:InGaZnO、InGaO、ITZO、AlZnO中的至少一種。
一種顯示裝置,其特征在于,所述顯示裝置包括如權利要求11至17任一所述的陣列基板。

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一種 陣列 及其 制造 方法 顯示裝置
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