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減小半導體器件中LER的方法及半導體器件.pdf

摘要
申請專利號:

CN200910244517.4

申請日:

2009.12.30

公開號:

CN102117737B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 專利權人的姓名或者名稱、地址的變更IPC(主分類):H01L 21/02變更事項:專利權人變更前:中國科學院微電子研究所變更后:中國科學院微電子研究所變更事項:地址變更前:100029 北京市朝陽區北土城西路3號變更后:100029 北京市朝陽區北土城西路3號變更事項:共同專利權人變更前:北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司變更后:北京北方華創微電子裝備有限公司|||專利權的轉移IPC(主分類):H01L 21/02登記生效日:20190314變更事項:專利權人變更前權利人:中國科學院微電子研究所變更后權利人:北京北方華創微電子裝備有限公司變更事項:地址變更前權利人:100029 北京市朝陽區北土城西路3號變更后權利人:100176 北京市大興區北京市經濟技術開發區文昌大道8號變更事項:共同專利權人變更前權利人:北京北方華創微電子裝備有限公司|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/02申請日:20091230|||公開
IPC分類號: H01L21/02; H01L21/336; H01L21/28; H01L29/78; H01L29/423 主分類號: H01L21/02
申請人: 中國科學院微電子研究所; 北京北方微電子基地設備工藝研究中心有限責任公司
發明人: 朱慧瓏; 駱志炯; 尹海洲
地址: 100029 北京市朝陽區北土城西路3號
優先權:
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 倪斌
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法律狀態
申請(專利)號:

CN200910244517.4

授權公告號:

||||||102117737B||||||

法律狀態公告日:

2019.04.02|||2019.04.02|||2015.01.07|||2011.08.24|||2011.07.06

法律狀態類型:

專利權人的姓名或者名稱、地址的變更|||專利申請權、專利權的轉移|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種減小半導體器件中LER的方法及半導體器件。具體地,根據本發明的實施例,該方法包括:對器件中特征的邊緣進行離子轟擊,以減小其LER。由此,可以有效減小由LER導致的器件性能惡化。

權利要求書

1: 一種減小半導體器件中特征的線邊緣粗糙度 LER 的方法, 包括 : 對所述特征的側壁進行離子轟擊, 以減小其 LER。
2: 如權利要求 1 所述的方法, 其中, 離子以相對于側壁傾斜的角度, 轟擊所述特征。
3: 如權利要求 1 或 2 所述的方法, 其中, 所述離子為 Ar 或 Xe。
4: 如權利要求 1 或 2 所述的方法, 其中, 所述離子為低能離子。
5: 如權利要求 1 或 2 所述的方法, 其中, 所述半導體器件為鰭狀場效應晶體管 FinFET, 所述特征為該 FinFET 的柵極。
6: 一種半導體器件, 包括通過權利要求 1 所述的方法處理過的特征。
7: 如權利要求 5 所述的半導體器件, 其中, 所述半導體器件為鰭狀場效應晶體管 FinFET, 所述特征為該 FinFET 的柵極。

關 鍵 詞:
減小 半導體器件 LER 方法
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本文標題:減小半導體器件中LER的方法及半導體器件.pdf
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