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像素結構及其制作方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201210580130.8

申請日:

2012.12.27

公開號:

CN103123911B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/77申請日:20121227|||公開
IPC分類號: H01L21/77; H01L27/02; H01L29/786 主分類號: H01L21/77
申請人: 友達光電股份有限公司
發明人: 張瑋倫; 黃國有; 陳勃學
地址: 中國臺灣新竹科學工業園區新竹市力行二路1號
優先權: 2012.10.23 TW 101139082
專利代理機構: 北京律誠同業知識產權代理有限公司 11006 代理人: 梁揮;祁建國
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201210580130.8

授權公告號:

103123911B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2013.06.26|||2013.05.29

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明有關于一種像素結構及其制作方法,該制作方法包含下列步驟。提供基板,并于基板上形成薄膜晶體管、第一保護層、具有第一開口的平坦層、具有第二開口的圖案化第一導電層、第二保護層與光阻圖案層。通過光阻圖案層蝕刻第二保護層形成暴露出部分圖案化第一導電層與部分第一保護層的第三開口。通過圖案化第一導電層蝕刻第一保護層形成暴露出薄膜晶體管的部分漏極電極的第四開口。移除光阻圖案層,以及于第二保護層上與第二開口、第三開口與第四開口內形成電性連接圖案化第一導電層與漏極電極的圖案化第二導電層。

權利要求書

權利要求書一種像素結構的制作方法,其特征在于,包括:
提供一基板,該基板上形成有至少一薄膜晶體管,該薄膜晶體管包含一柵極電極、一源極電極與一漏極電極;
于該基板上依序形成一第一保護層與一平坦層,該第一保護層覆蓋該薄膜晶體管,而該平坦層覆蓋該第一保護層,該平坦層具有一第一開口,該第一開口對應于該漏極電極并暴露出該漏極電極上的部分該第一保護層;
于該平坦層上形成一圖案化第一導電層,該圖案化第一導電層覆蓋該第一開口的側壁與部分該第一保護層,該圖案化第一導電層具有一第二開口,暴露出該第一開口內的部分該第一保護層;
于該圖案化第一導電層上形成一第二保護層;
于該第二保護層上形成一光阻圖案層,該光阻圖案層暴露出該第一開口內的部分該第二保護層;
蝕刻該光阻圖案層所暴露出的該第二保護層,以形成一第三開口,該第三開口暴露出部分該圖案化第一導電層與部分該第一保護層;
蝕刻該圖案化第一導電層所暴露出的該第一保護層,以于該第一保護層中形成一第四開口,該第四開口暴露出部分該漏極電極;
移除該光阻圖案層;以及
于該第二保護層上以及該第二開口、該第三開口與該第四開口內形成一圖案化第二導電層,該圖案化第二導電層電性連接暴露的該圖案化第一導電層與該漏極電極。
根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成該薄膜晶體管的步驟還包括:
于該基板上形成該柵極電極與一覆蓋該柵極電極的絕緣層;
于該絕緣層上形成該源極電極與該漏極電極;以及
于該絕緣層上形成一圖案化半導體層與一圖案化保護層。
根據權利要求2所述的制作方法,其特征在于,該圖案化半導體層包含一圖案化氧化物半導體層。
根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,形成該薄膜晶體管的步驟包括:
于該基板上形成該柵極電極與一覆蓋該柵極電極的絕緣層;
于該絕緣層上形成一圖案化半導體層;以及
于該絕緣層與該圖案化半導體層上形成該源極電極與該漏極電極。
根據權利要求4所述的制作方法,其特征在于,該圖案化半導體層包括一圖案化非晶硅半導體層。
根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,該圖案化第二導電層包括一橋接電極與一共通電極,該橋接電極與該共通電極彼此電性隔離,該圖案化第一導電層包括一像素電極,且該像素電極與該漏極電極藉由該橋接電極電性連接。
一種像素結構,設置于一基板上,其特征在于,該像素結構包括:
至少一薄膜晶體管,設置于該基板上,該薄膜晶體管包含一柵極電極、一源極電極與一漏極電極;
一第一保護層,設置于該基板上并覆蓋該薄膜晶體管,該第一保護層具有一第四開口,且該第四開口暴露部分該漏極電極;
一平坦層,設置于該第一保護層上,該平坦層包含一第一開口,該第一開口對應于該第四開口,且該第一開口暴露出部分該漏極電極與部分該第一保護層;
一像素電極,設置于該平坦層上,該像素電極包含一第二開口,該第二開口對應于該第一開口與該第四開口并暴露出該漏極電極;
一第二保護層,設置于該像素電極上,該第二保護層具有一第三開口,對應于該第二開口,且第四開口與該第三開口暴露出該漏極電極與位于該第一保護層上的部分該像素電極;以及
一橋接電極,設置于該第二保護層上以及該第一開口、該第二開口、該第三開口與該第四開口內,且該橋接電極電性連接暴露的該漏極電極與位于該第一保護層上的部分該像素電極。
根據權利要求7所述的像素結構,其特征在于,還包括一共通電極,設置于該第二保護層上。
根據權利要求8所述的像素結構,其特征在于,該共通電極與該橋接電極由同一層圖案化透明導電層所構成,且該共通電極與該橋接電極彼此電性隔離。
根據權利要求7所述的像素結構,其特征在于,該第一開口大于該第二開口、該第三開口與該第四開口。
根據權利要求7所述的像素結構,其特征在于,該薄膜晶體管還包括一圖案化半導體層,對應于該柵極電極設置。
根據權利要求11所述的像素結構,其特征在于,該圖案化半導體層包括一圖案化氧化物半導體層,且該源極電極與該漏極電極設置于該圖案化氧化物半導體層與該柵極電極之間。
根據權利要求11所述的像素結構,其特征在于,該圖案化半導體層包括一圖案化非晶硅半導體層,且該圖案化非晶硅半導體層設置于該源極電極與漏極電極以及該柵極電極之間。

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像素 結構 及其 制作方法
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