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具靜電放電保護的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件.pdf

摘要
申請專利號:

CN200810190539.2

申請日:

2008.12.30

公開號:

CN101771077B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效號牌文件類型代碼:1604號牌文件序號:101005578901IPC(主分類):H01L 29/78專利申請號:2008101905392申請日:20081230|||公開
IPC分類號: H01L29/78; H01L29/06; H01L23/60 主分類號: H01L29/78
申請人: 世界先進積體電路股份有限公司
發明人: 張義昭
地址: 中國臺灣新竹科學工業園區
優先權:
專利代理機構: 北京三友知識產權代理有限公司 11127 代理人: 任默聞
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法律狀態
申請(專利)號:

CN200810190539.2

授權公告號:

101771077B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2010.09.08|||2010.07.07

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管(LDMOS)元件,包括一半導體襯底,其上有一外延層。一圖案化的隔離區設置于所述外延層上,定義一第一主動區及一第二主動區。一N-型雙擴散區設置于所述第一主動區中,一N-型濃摻雜漏極區設置于所述N-型雙擴散區中。一P-型體摻雜區于所述第二主動區中,其中所述N-型雙擴散區和所述P-型體摻雜區相隔一特定距離,露出所述半導體襯底,一對相鄰的一N-型和一P-型濃摻雜源極區設置于所述P-型體摻雜區中,以及一柵極結構于所述N-型濃摻雜源極區和所述N-型濃摻雜漏極區之間。一額外的濃摻雜區設置于所述半導體襯底與所述外延層的接口之間。

權利要求書

1: 一種具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述水平擴散金屬氧化物半導體晶體管包括: 一半導體襯底,其上有一外延層; 一圖案化的隔離區設置于所述外延層上,定義一第一主動區及一第二主動區; 一N-型雙擴散區設置于所述第一主動區中; 一N-型濃摻雜漏極區設置于所述N-型雙擴散區中; 一P-型體摻雜區于所述第二主動區中,其中所述N-型雙擴散區和所述P-型體摻雜區相隔一特定距離,露出所述半導體襯底; 一對相鄰的一N-型和一P-型濃摻雜源極區設置于所述P-型體摻雜區中;以及 一柵極結構于所述N-型濃摻雜源極區和所述N-型濃摻雜漏極區之間; 其中一額外的濃摻雜區設置于所述半導體襯底與所述外延層的接口之間。
2: 如權利要求1所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述半導體襯底為一P-型半導體襯底,且所述外延層包括一高壓N-型井區,被一高壓P-型井區環繞。
3: 如權利要求1所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述額外的濃摻雜區的位置對應所述N-型雙擴散區。
4: 如權利要求1所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述額外的濃摻雜區與半導體襯底或外延層接口的擊穿電壓大于等于所述晶體管本身的擊穿電壓。
5: 一種具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件包括: 一半導體襯底,其上有一外延層; 一圖案化的隔離區設置于所述外延層上,定義一主動區; 一P-型雙擴散區設置于所述主動區中; 一P-型濃摻雜漏極區設置于所述P-型雙擴散區中; 一對相鄰的一N-型和一P-型濃摻雜源極區設置于所述外延層中;以及 一柵極結構于所述P-型濃摻雜源極區和所述P-型濃摻雜漏極區之間; 其中一額外的濃摻雜區設置于所述半導體襯底與所述外延層的接口之間。
6: 如權利要求5所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述半導體襯底為一P-型半導體襯底,且所述外延層包括一高壓N-型井區,被一高壓P-型井區環繞。
7: 如權利要求5所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述額外的濃摻雜區與半導體襯底或外延層接口的擊穿電壓大于等于所述晶體管本身的擊穿電壓。
8: 一種具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件包括: 一半導體襯底,其上有一外延層; 一圖案化的隔離區設置于所述外延層上,定義一主動區; 一N-型雙擴散區設置于所述主動區中; 一N-型濃摻雜漏極區設置于所述N-型雙擴散區中; 一對相鄰的一N-型和一P-型濃摻雜源極區設置于所述外延層中;以及 一柵極結構于所述N-型濃摻雜源極區和所述N-型濃摻雜漏極區之間; 其中一額外的濃摻雜區設置于所述半導體襯底與所述外延層的接口之間。
9: 如權利要求8所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述半導體襯底為一N-型半導體襯底,且所述外延層包括一高壓P-型井區,被一高壓N-型井區環繞。
10: 如權利要求8所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述額外的濃摻雜區與半導體襯底或外延層接口的擊穿電壓大于等于所述晶體管本身的擊穿電壓。
11: 一種具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件包括: 一半導體襯底,其上有一外延層; 一埋藏層設置于所述半導體襯底與所述外延層之間; 一圖案化的隔離區設置于所述外延層上,定義一第一主動區和一第二主動區; 一P-型雙擴散區設置于所述第一主動區中; 一P-型濃摻雜漏極區設置于所述P-型雙擴散區中; 一N-型體摻雜區于所述第二主動區中,其中所述P-型雙擴散區和所述N-型體摻雜區相隔一特定距離,露出所述半導體襯底; 一對相鄰的一P-型和一N-型濃摻雜源極區設置于所述N-型體摻雜區中;以及 一柵極結構于所述P-型濃摻雜源極區和所述P-型濃摻雜漏極區之間; 其中一額外的濃摻雜區設置于所述半導體襯底與所述外延層的接口之間。
12: 如權利要求11所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述半導體襯底為一P-型半導體襯底,且所述外延層包括一高壓P-型井區,被一高壓N-型井區環繞。
13: 如權利要求11所述的具靜電放電保護能力的水平擴散金屬氧化物半導體晶體管元件,其特征在于,所述額外的濃摻雜區與埋藏層或外延層接口的擊穿電壓大于等于所述晶體管本身的擊穿電壓。

關 鍵 詞:
靜電 放電 保護 水平 擴散 金屬 氧化物 半導體 晶體管 元件
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