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襯底分析裝置及襯底分析方法.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010602119.8

申請日:

2010.12.17

公開號:

CN102157410B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 21/66申請日:20101217|||公開
IPC分類號: H01L21/66; G01N21/71 主分類號: H01L21/66
申請人: 埃耶士株式會社
發明人: 川端克彥; 李晟在; 一之瀨達也; 國香仁
地址: 日本東京都
優先權: 2009.12.18 JP 2009-287205; 2010.04.28 JP 2010-102950
專利代理機構: 隆天國際知識產權代理有限公司 72003 代理人: 鄭小軍;馮志云
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010602119.8

授權公告號:

102157410B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2012.10.31|||2011.08.17

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種襯底分析裝置及一種襯底分析方法,其為可通過同一裝置進行蝕刻步驟與回收步驟兩步驟的小型且簡易的分析裝置,不論形成于襯底的膜的種類為何皆可進行分析且也適用于襯底上的局部分析。本發明的襯底分析裝置,具備由將分析液予以送出及抽吸的噴嘴本體、及配置在噴嘴本體外周的外管所構成的雙重管噴嘴,回收手段為雙重管噴嘴的噴嘴本體,蝕刻手段為供給至噴嘴本體與外管之間的蝕刻氣體。而且,還具備將噴嘴本體與外管之間作為排氣路徑的排氣手段,外管以圍繞進行刮引的分析液的方式配置,且在前端具有外氣導入孔。依據本發明,可通過同一裝置進行蝕刻步驟與回收步驟兩步驟,也可進行簡易的分析、或針對襯底的特定部位的局部分析。

權利要求書

1: 一種襯底分析裝置, 具備 : 蝕刻手段, 通過氣相分解法蝕刻包含分析對象物的襯底 ; 及回收手段, 從噴嘴前端將分析液送出至襯底上, 以所送出的分析液刮引襯底表面后, 由噴 嘴前端抽吸分析液并回收分析對象物 ; 其特征在于 : 具備由用以將分析液予以送出及抽吸的噴嘴本體、 及配置在噴嘴本體外周的外管所構 成的雙重管噴嘴 ; 回收手段為雙重管噴嘴的噴嘴本體 ; 蝕刻手段為供給至噴嘴本體與外管之間的蝕刻氣體。
2: 根據權利要求 1 所述的襯底分析裝置, 其特征在于, 所述襯底分析裝置還具備將噴 嘴本體與外管之間作為排氣路徑的排氣手段 ; 外管以圍繞進行刮引的分析液的方式配置, 且在前端具有外氣導入孔。
3: 一種襯底分析方法, 為使用權利要求 1 或 2 所述的襯底分析裝置來分析襯底的方法, 其特征在于, 具有 : 以蝕刻氣體對襯底進行蝕刻的蝕刻步驟 ; 及 將噴嘴本體內部的分析液送出至襯底, 在對襯底表面進行刮引后, 將分析液抽吸至噴 嘴本體內部的回收步驟 ; 一面以雙重管噴嘴對襯底表面進行刮引, 一面進行蝕刻步驟或回收步驟。
4: 根據權利要求 3 所述的襯底分析方法, 其特征在于, 以一次的刮引同時進行蝕刻步 驟及回收步驟。
5: 一種襯底分析方法, 為使用權利要求 1 或 2 所述的襯底分析裝置來分析襯底的方法, 其特征在于 : 襯底為包含分析對象物, 且具備多晶硅、 鎢硅化物、 鈦、 氮化鈦的任一種膜的半導體襯 底或半導體襯底的晶片基材 ; 由噴嘴本體將分析液送出至襯底, 在一面通過排氣手段進行排氣一面以分析液刮引襯 底表面后, 將包含分析對象物的分析液抽吸至噴嘴本體。

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襯底 分析 裝置 方法
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