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半導體發光元件.pdf

摘要
申請專利號:

CN200980150297.7

申請日:

2009.12.14

公開號:

CN102246326B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||專利申請權的轉移IPC(主分類):H01L 33/42變更事項:申請人變更前權利人:昭和電工株式會社變更后權利人:豐田合成株式會社變更事項:地址變更前權利人:日本東京都變更后權利人:日本愛知縣登記生效日:20130106|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 33/42申請日:20091214|||公開
IPC分類號: H01L33/42 主分類號: H01L33/42
申請人: 豐田合成株式會社
發明人: 龜井宏二; 大庭玲美; 程田高史
地址: 日本愛知縣
優先權: 2008.12.15 JP 318700/2008; 2008.12.16 JP 320027/2008; 2009.03.30 JP 083126/2009
專利代理機構: 北京市中咨律師事務所 11247 代理人: 段承恩;楊光軍
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法律狀態
申請(專利)號:

CN200980150297.7

授權公告號:

102246326B|||||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2013.02.06|||2012.02.08|||2011.11.16

法律狀態類型:

授權|||專利申請權、專利權的轉移|||實質審查的生效|||公開

摘要

一種半導體發光元件(1),具備:基板(110);含有發光層(150)并層疊于基板(110)上的疊層半導體層(100);含有銦氧化物并層疊于疊層半導體層(100)上的透明電極(170);含有作為閥作用金屬的一種的鉭,并且以與透明電極(170)接觸的一側為鉭氮化物層或者鉭氧化物層的方式層疊于透明電極(170)上的第1接合層(190);層疊于第1接合層(190)上,用于與外部電連接的第1焊盤電極(200)。由此,使透明電極或者半導體層與連接電極的接合性以及電極的可靠性提高。

權利要求書

1.一種半導體發光元件,包含:
基板;
含有發光層并層疊于所述基板上的疊層半導體層;
含有銦氧化物并層疊于所述疊層半導體層上的透明電極;
接合層,該接合層含有選自閥作用金屬中的至少一種元素,并且以與
所述透明電極接觸的一側含有該元素的氧化物或者氮化物的至少任一方的
方式層疊于該透明電極上;以及
層疊于所述接合層上,用于與外部電連接的連接電極。
2.根據權利要求1所述的半導體發光元件,其特征在于,所述接合層
含有選自Al、Ti、Zn、Zr、Nb、W、Mg、Bi、Si、Hf、Ta中的至少一種
元素。
3.根據權利要求2所述的半導體發光元件,其特征在于,在所述接合
層含有所述元素的氮化物的情況下,所述接合層含有選自Ta、W、Ti中
的至少一種元素。
4.根據權利要求2所述的半導體發光元件,其特征在于,在所述接合
層含有所述元素的氧化物的情況下,所述接合層含有選自Ta、Nb、Ti中
的至少一種元素。
5.根據權利要求1所述的半導體發光元件,其特征在于,所述連接電
極具有由Au、Al或者含有這些金屬中的任一種的合金形成的接層。
6.根據權利要求5所述的半導體發光元件,其特征在于,
所述連接電極還具有層疊于所述接合層與所述接層之間的阻擋層,
所述阻擋層是由Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、W、Mo、
Ni、Co、Zr、Hf、Ta、Nb之中的任一種或者含有這些金屬中的任一種的
合金形成的層。
7.根據權利要求1所述的半導體發光元件,其特征在于,所述透明電
極含有所述銦氧化物以及鋅氧化物而構成。
8.根據權利要求1所述的半導體發光元件,其特征在于,所述疊層半
導體層采用III族氮化物半導體構成。
9.一種半導體發光元件,包含:
基板;
具有發光層的采用III族氮化物半導體構成并層疊于所述基板上的疊層
半導體層;
接合層,該接合層含有選自閥作用金屬中的至少一種元素,并且以與
所述疊層半導體層之中的一個半導體層接觸的一側含有該元素的氧化物或
者氮化物的至少任一方的方式層疊于該一個半導體層上;以及
層疊于所述接合層上,用于與外部電連接的連接電極。
10.根據權利要求9所述的半導體發光元件,其特征在于,所述接合
層含有選自Al、Ti、Zn、Zr、Nb、Mg、Bi、Si、Hf、Ta中的至少一種元
素。
11.根據權利要求10所述的半導體發光元件,其特征在于,所述接合
層含有選自Ta、Nb、Ti中的至少一種元素。
12.根據權利要求9所述的半導體發光元件,其特征在于,所述連接
電極具有由Au、Al或者含有這些金屬中的任一種的合金形成的接層。
13.根據權利要求12所述的半導體發光元件,其特征在于,
所述連接電極還具有層疊于所述接合層與所述接層之間的阻擋層,
所述阻擋層是由Ag、Al、Ru、Rh、Pd、Os、Ir、Pt、Ti、W、Mo、
Ni、Co、Zr、Hf、Ta、Nb之中的任一種或者含有這些金屬中的任一種的
合金形成的層。
14.一種半導體發光元件,具有:
具有第1導電類型的第1半導體層;
層疊于所述第1半導體層上的發光層;
層疊于所述發光層上,并具有與所述第1導電類型相反的第2導電類
型的第2半導體層;
透明電極,該透明電極層疊于所述第2半導體層上,含有銦氧化物并
且對從所述發光層輸出的光具有透光性;
第1接合層,該第1接合層含有選自閥作用金屬中的至少一種元素,
并且以與所述透明電極接觸的一側含有該元素的氧化物或者氮化物的至少
任一方的方式層疊于該透明電極上;
層疊于所述第1接合層上,用于與外部電連接的第1連接電極;
第2接合層,該第2接合層含有選自閥作用金屬中的至少一種元素,
并且以與所述第1半導體層接觸的一側含有該元素的氧化物或者氮化物的
至少任一方的方式層疊于所述第1半導體層上;以及
層疊于所述第2接合層上,用于與外部電連接的第2連接電極。
15.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,
所述第1半導體層包含以電子為載流子的n型半導體層;
所述第2半導體層包含以空穴為載流子的p型半導體層。
16.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,所述第1
接合層以及所述第2接合層含有選自Al、Ti、Zn、Zr、Nb、W、Mg、Bi、
Si、Hf、Ta中的至少一種元素。
17.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,所述第1
接合層以及所述第2接合層含有相同元素的氧化物或者氮化物而構成。
18.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,所述第1
連接電極以及所述第2連接電極含有相同金屬或者相同合金而構成。
19.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,所述透明
電極含有所述銦氧化物以及鋅氧化物而構成。
20.根據權利要求14所述的半導體發光元件,其特征在于,所述第1
半導體層、所述發光層以及所述第2半導體層采用III族氮化物半導體構成。

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半導體 發光 元件
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