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發光顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN200980104084.0

申請日:

2009.11.27

公開號:

CN102144293B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 專利權的轉移IPC(主分類):H01L 27/32變更事項:專利權人變更前權利人:松下電器產業株式會社變更后權利人:株式會社日本有機雷特顯示器變更事項:地址變更前權利人:日本大阪府變更后權利人:日本東京都登記生效日:20150518|||授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/32申請日:20091127|||公開
IPC分類號: H01L27/32; G09G3/32 主分類號: H01L27/32
申請人: 松下電器產業株式會社
發明人: 小野晉也
地址: 日本大阪府
優先權:
專利代理機構: 北京市中咨律師事務所 11247 代理人: 段承恩;徐健
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法律狀態
申請(專利)號:

CN200980104084.0

授權公告號:

|||102144293B||||||

法律狀態公告日:

2015.06.10|||2015.01.07|||2012.10.10|||2011.08.03

法律狀態類型:

專利申請權、專利權的轉移|||授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種發光顯示裝置。發光顯示裝置(10)包括:基板(210);驅動晶體管(103),其包括設置在基板(210)的上方的半導體層(220)、設置在半導體層(220)上的柵極絕緣膜(230)、設置在柵極絕緣膜(230)上的柵電極(103g)、以及源電極(103s)和漏電極(103d);設置在柵電極(103g)上的層間絕緣膜(240);由使用驅動晶體管(103)而構成的驅動電路驅動發光的有機EL元件(104);以及在柵電極(103g)的上方區域內配置在層間絕緣膜(240)上的電容器電極,電容器電極(102b)與柵電極(103g)之間構成電容器(102)。由此,能夠通過不設置或增加電容器專用的區域而設置電容器,從而提高設計的自由度。

權利要求書

1: 一種發光顯示裝置, 具備 : 基板 ; 薄膜晶體管, 其包括半導體層、 柵極絕緣膜、 柵電極以及源電極和漏電極, 所述半導體 層設置在所述基板的上方, 包括溝道區域、 源極區域以及漏極區域, 所述柵極絕緣膜設置在 所述半導體層上, 所述柵電極設置在所述柵極絕緣膜上, 所述源電極與所述半導體層的所 述源極區域電連接, 所述漏電極與所述半導體層的所述漏極區域電連接 ; 層間絕緣膜, 其設置在所述柵電極上 ; 發光元件, 其由使用所述薄膜晶體管而構成的驅動電路驅動發光 ; 以及 第一電容器電極, 其在所述柵電極的上方區域內設置在所述層間絕緣膜上, 所述第一電容器電極與所述柵電極之間構成第一電容器。
2: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述發光元件是具有下部電極、 有機發光層以及上部電極的有機電致發光元件, 所述下部電極形成在平坦化膜的上方, 所述平坦化膜設置在所述第一電容器電極上。
3: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述發光顯示裝置具備多個所述第一電容器電極, 多個所述第一電容器電極與所述柵電極之間分別構成第一電容器。
4: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述源電極或漏電極與所述第一電容器電極構成同一層, 所述源電極或漏電極的任一方與所述第一電容器電極電連接。
5: 根據權利要求 4 所述的發光顯示裝置, 所述發光元件與所述源電極或所述漏電極電連接, 所述薄膜晶體管是向所述發光元件提供驅動電流的驅動晶體管, 所述第一電容器是用于設定在所述驅動晶體管中流動的電流值的電容器。
6: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述薄膜晶體管是決定向所述發光元件提供驅動電流的定時的開關晶體管, 所述第一電容器是用于對用來設定所述驅動電流的電流值的電容器進行初始化的電 容器。
7: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述發光顯示裝置還具備第二電容器, 所述第二電容器連接成與所述第一電容器電并聯。
8: 根據權利要求 7 所述的發光顯示裝置, 所述第二電容器包括上部第二電容器電極以及下部第二電容器電極, 所述上部第二電容器電極以及所述下部第二電容器電極的一方與所述柵電極電連接, 所述上部第二電容器電極以及所述下部第二電容器電極的另一方與所述源電極以及 所述漏電極的任一方電連接。
9: 根據權利要求 8 所述的發光顯示裝置, 所述上部第二電容器電極與所述源電極以及所述漏電極的任一方構成同一層, 所述下部第二電容器電極與所述柵電極構成同一層, 所述第一電容器電極與所述上部第二電容器電極、 和所述源電極或所述漏電極的任一 2 方電連接。
10: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 構成所述第一電容器的所述第一電容器電極下面的、 所述柵電極的上方區域內的面積 為, 所述柵電極上面的面積的 30%~ 100%。
11: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述半導體層以多晶硅形成。
12: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述第一電容器的靜電電容為 0.1 ~ 10pF。
13: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述發光顯示裝置為頂部發射型, 所述發光元件形成在所述第一電容器電極的上層。
14: 根據權利要求 1 所述的發光顯示裝置, 所述發光顯示裝置為底部發射型, 所述薄膜晶體管和所述第一電容器形成在形成有所述發光元件的發光區域以外的區 域。

說明書


發光顯示裝置

    技術領域 本發明涉及發光顯示裝置, 尤其涉及具有包括電容器和薄膜晶體管的驅動電路和 發光元件的有源矩陣型的發光顯示裝置。
     背景技術 以往, 曾盛行開發將發光元件排列成二維狀的發光顯示裝置, 所述發光元件是指 有機電致發光元件 ( 以下記作有機 EL 元件 ) 等通過電流來控制亮度 (brightness) 的元件。 尤其是進行有源矩陣型發光顯示裝置開發, 該有源矩陣型發光顯示裝置中所排列的像素電 路按各個發光元件具有用于驅動該發光元件的驅動電路。
     驅動電路通常具有 : 選擇發光像素的開關晶體管、 驅動發光元件的驅動晶體管、 以 及電容器。驅動電路例如具有保持電容器, 該保持電容器保持用于決定在驅動晶體管中流 動的電流量的電壓 ( 參照專利文獻 1)。
     圖 1 示出了專利文獻 1 所示的以往的發光顯示裝置所具有的發光像素 700 的布 局。如圖 1 所示, 在發光像素 700 布線有信號線 705、 掃描線 706、 電源線 707。另外, 發光像 素 700 具有 : 開關晶體管 701、 保持電容器 702、 驅動晶體管 703、 以及發光元件 704。發光元 件 704 形成在發光像素 700 的發光區域, 開關晶體管 701、 保持電容器 702、 以及驅動晶體管 703 形成于驅動電路區域。
     專利文獻 1 : 日本特開 2006-330736 號公報
     發明內容 然而, 在上述的現有技術中存在如下的問題 : 設置有電容器專用的區域, 在電容器 的數量或者電容器的面積增加的情況下, 設置其他的元件的區域會變得狹小, 設計的自由 度會降低。
     例如, 如圖 1 所示的專利文獻 1 所記載的發光顯示裝置, 保持電容器 702 占用了驅 動電路區域的較多的部分。因此, 在具有更大面積的保持電容器 702 的情況或具有其他的 電容器的情況下, 設置驅動晶體管 703 以及開關晶體管 701 的區域變得狹小。或者, 發光區 域變小, 在發光元件中流動的電流密度上升, 使壽命變短。
     于是, 本發明是為了解決上述以往的問題而完成的發明, 目的在于提供一種發光 顯示裝置, 其通過不設置或不新增電容器專用的區域而設置電容器, 由此可以提高設計的 自由度。
     為了達成上述的目的, 本發明所涉及的發光顯示裝置包括 : 基板 ; 薄膜晶體管, 其 包括半導體層、 柵極絕緣膜、 柵電極以及源電極和漏電極, 所述半導體層設置在所述基板的 上方, 包括溝道區域、 源極區域以及漏極區域, 所述柵極絕緣膜設置在所述半導體層上, 所 述柵電極設置在所述柵極絕緣膜上, 所述源電極與所述半導體層的所述源極區域電連接, 所述漏電極與所述半導體層的所述漏極區域電連接 ; 層間絕緣膜, 其設置在所述柵電極上 ; 發光元件, 其由使用所述薄膜晶體管而構成的驅動電路驅動發光 ; 以及第一電容器電極, 其
     在所述柵電極的上方區域內被設置在所述層間絕緣膜上, 該第一電容器電極與所述柵電極 之間構成第一電容器。
     根據本發明, 能夠提供一種發光顯示裝置, 其能夠通過不設置或增加電容器專用 的區域而設置電容器, 從而提高設計的自由度。 附圖說明 圖 1 是表示以往的發光顯示裝置所具有的像素的布局的圖。
     圖 2 是表示實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置的一個結構例子的框圖。
     圖 3 是表示實施方式 1 所涉及的顯示部所具有的發光像素的電路結構的圖。
     圖 4 是表示實施方式 1 所涉及的發光像素的布局的一個例子的圖。
     圖 5 是實施方式 1 所涉及的發光像素的截面圖。
     圖 6 是表示實施方式 1 的變形例所涉及的發光像素的電路結構的圖。
     圖 7 是實施方式 1 的變形例所涉及的發光像素的截面圖。
     圖 8 是表示實施方式 1 的其他的變形例所涉及的發光像素的電路結構的圖。
     圖 9 是實施方式 1 的其他的變形例所涉及的發光像素的截面圖。
     圖 10 是表示實施方式 2 所涉及的顯示部所具有的發光像素的電路結構的圖。
     圖 11 是表示實施方式 2 所涉及的發光像素的布局的一個例子的圖。
     圖 12 是實施方式 2 所涉及的發光像素的截面圖。
     圖 13 是具有本發明所涉及的發光顯示裝置的電視機的外觀圖。
     圖 14 是表示本發明所涉及的發光顯示裝置的其他的變形例的發光像素的布局的 一個例子的圖。
     具體實施方式
     以下, 參照附圖對本發明所涉及的發光顯示裝置的實施方式進行說明。
     本發明所涉及的發光顯示裝置具有 : 基板 ; 薄膜晶體管, 其包括半導體層、 柵極絕 緣膜、 柵電極以及源電極和漏電極, 所述半導體層設置在所述基板的上方, 包括溝道區域、 源極區域以及漏極區域, 所述柵極絕緣膜設置在所述半導體層上, 所述柵電極設置在所述 柵極絕緣膜上, 所述源電極與所述半導體層的所述源極區域電連接, 所述漏電極與所述半 導體層的所述漏極區域電連接 ; 層間絕緣膜, 其設置在所述柵電極上 ; 發光元件, 其由使用 所述薄膜晶體管而構成的驅動電路驅動發光 ; 以及第一電容器電極, 其在所述柵電極的上 方區域內被設置在所述層間絕緣膜上, 該第一電容器電極與所述柵電極之間構成第一電容 器。
     由此, 薄膜晶體管的柵電極不僅作為柵電極進行利用, 而且也作為構成電容器的 兩個電極中的一個電極進行利用, 因此能夠將電容器配置成在薄膜晶體管的上方與薄膜晶 體管重疊, 能夠有效地活用像素空間。 因此, 能夠在面積有限的區域形成包括多個薄膜晶體 管以及多個電容器的復雜的驅動電路。 然而, 電容器可以是用于保持柵極電壓的電容器, 即 使是用于保持驅動電路中的閾值電壓 Vth 的電容器, 也能夠適用本發明的結構。
     另外, 所述發光顯示裝置可以具有多個所述第一電容器電極, 多個所述第一電容 器電極與所述柵電極之間分別構成第一電容器。另外, 所述源電極或者漏電極也可以與所述第一電容器電極構成同一層, 該源電 極或者漏電極的任一方與該第一電容器電極電連接。
     由此, 能夠以一個工序形成構成電容器的兩個電極中的另一個電極和源電極或者 漏電極。
     另外, 所述發光元件也可以與所述源電極或所述漏電極電連接, 所述薄膜晶體管 是向所述發光元件提供驅動電流的驅動晶體管, 所述第一電容器是用于設定在所述驅動晶 體管中流動的電流值的電容器。
     由此, 能夠使用于設定在驅動晶體管中流動的驅動電流的電流值的電容器, 在有 效地活用像素空間的同時, 構成驅動電路。
     另外, 所述薄膜晶體管也可以是決定向所述發光元件提供驅動電流的定時的開關 晶體管, 所述第一電容器也可以是用于對用來設定所述驅動電流的電流值的電容器進行初 始化的電容器。
     由此, 不僅是驅動晶體管, 而且也能夠使開關晶體管的柵電極與電容器的一個電 容器電極也兼用。因此, 能夠有效地利用有限的像素空間來配置更多的薄膜晶體管和電容 器。 另外, 所述發光顯示裝置還可以具備第二電容器, 該第二電容器連接成與所述第 一電容器電并聯。
     由此, 除第一電容器以外, 還并聯設置有第二電容器, 因此能夠增大第二電容器那 部分的靜電電容。
     另外, 所述第二電容器也可以包括上部第二電容器電極以及下部第二電容器電 極, 所述上部第二電容器電極和所述下部第二電容器電極的一方與所述柵電極電連接, 所 述上部第二電容器電極和所述下部第二電容器電極的另一方與所述源電極和所述漏電極 的任一方電連接。
     由此, 能夠增大第二電容器那部分的靜電電容, 即使有電流漏泄, 也能使電壓穩 定, 并能夠減少串擾 (cross talk)。
     另外, 所述上部第二電容器電極也可以與所述源電極和所述漏電極的任一方構成 同一層, 所述下部第二電容器電極與所述柵電極構成同一層, 所述第一電容器電極與所述 上部第二電容器電極、 和所述源電極或者所述漏電極的任一方電連接。
     由此, 能夠構成第一電容器以及第二電容器的各個電容器電極分別在同一層形 成, 因此能夠削減制造工序。
     另外, 構成所述第一電容器的所述第一電容器電極下面的、 所述柵電極的上方區 域內的面積可以為, 所述柵電極上面的面積的 30%~ 100%。
     另外, 所述半導體層也可以以多晶硅形成。
     另外, 所述發光元件也可以是有機電致發光元件。
     另外, 所述第一電容器的靜電電容也可以是 0.1 ~ 10pF。
     另外, 所述發光顯示裝置可以為頂部發射型, 所述發光元件可以形成在所述第一 電容器電極的上層。
     另外, 所述發光顯示裝置可以為底部發射型, 所述薄膜晶體管和所述第一電容器 可以形成在形成有所述發光元件的發光區域以外的區域。
     ( 實施方式 1)
     實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置具備驅動晶體管和電容器, 驅動晶體管的柵電 極是構成電容器的兩個電容器電極中的一個電極。因此, 電容器形成在包括驅動晶體管的 柵電極的、 驅動晶體管的上方的區域。
     圖 2 是表示實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置 10 的電結構的框圖。該圖中的發 光顯示裝置 10 至少具備 : 控制電路 20、 掃描線驅動電路 40、 信號線驅動電路 50、 以及顯示 部 60。
     另外, 圖 3 是表示實施方式 1 所涉及的顯示部 60 所具有的發光像素 100 的電路結 構的圖。該圖中的發光像素 100 具備 : 開關晶體管 101、 電容器 102、 驅動晶體管 103、 有機 EL 元件 104、 信號線 105、 掃描線 106、 高電壓側電源線 107、 以及低電壓側電源線 108。
     首先, 針對圖 2 所示的構成要素說明其連接關系以及功能。
     控制電路 20 具有對掃描線驅動電路 40、 信號線驅動電路 50 進行控制的功能。控 制電路 20 將從外部輸入的影像信號輸出到信號線驅動電路 50, 按照信號線驅動電路 50 的 工作來控制掃描線驅動電路 40 的工作定時。
     掃描線驅動電路 40 與掃描線 106 連接, 該掃描線驅動電路 40 具有如下功能 : 通過 將掃描信號輸出到掃描線 106, 從而控制發光像素 100 所具備的開關晶體管 101 的導通 ( 導 通狀態 )/ 非導通 ( 截止狀態 )。 信號線驅動電路 50 與信號線 105 連接, 該信號線驅動電路 50 具有如下功能 : 將基 于影像信號的信號電壓輸出到發光像素 100。
     顯示部 60 具有排列成二維狀的多個發光像素 100, 根據從外部輸入到發光顯示裝 置 10 的影像信號來顯示圖像。
     接著, 針對圖 3 所示的構成要素對其連接關系以及功能進行說明。
     開關晶體管 101 是柵極與掃描線 106 連接、 源極和漏極的一方與信號線 105 連接、 源極和漏極的另一方與電容器 102 的電容器電極 102a 連接的開關元件的一個例子。開關 晶體管 101 具有如下功能 : 其決定將信號線 105 的信號電壓施加到電容器 102 的電容器電 極 102a 的定時。開關晶體管 101 例如是 n 型的薄膜晶體管 (n 型 TFT), 但也可以是 p 型的 TFT。
     電容器 102 是第一電容器的一個例子, 具有兩個電容器電極 102a 以及 102b。 電容 器電極 102a 與驅動晶體管 103 的柵極連接, 電容器電極 102b 與高電壓側電源線 107 連接。 電容器 102 保持與從信號線 105 提供來的信號電壓對應的電荷。也就是說, 電容器 102 是 用于設定向有機 EL 元件 104 提供的驅動電流的電流值的保持電容元件的一個例子。例如, 電容器 102 具有如下功能 : 即使在開關晶體管 101 成為截止狀態后, 至在下一個新的信號電 壓被寫入為止, 使驅動電流從驅動晶體管 103 提供給有機 EL 元件 104。
     驅動晶體管 103 是源極與高電壓側電源線 107 連接、 漏極與有機 EL 元件 104 的陽 極連接的驅動元件的一個例子。驅動晶體管 103 將與在柵極 - 源極間所施加的信號電壓對 應的電壓轉換為與該信號電壓對應的源極 - 漏極間電流。 并且, 將該源極 - 漏極間電流作為 驅動電流提供到有機 EL 元件 104。驅動晶體管 103 例如是 p 型的薄膜晶體管 (p 型 TFT)。
     有機 EL 元件 104 是由驅動電路驅動發光的發光元件的一個例子, 所述驅動電路使 用驅動晶體管 103 等薄膜晶體管構成。有機 EL 元件 104 的陽極與驅動晶體管 103 的漏極
     連接, 陰極與低電壓側電源線 108 連接。有機 EL 元件 104 通過驅動晶體管 103 使驅動電流 流動而進行發光。發光強度由驅動電流的大小即信號電壓控制。
     信號線 105 與信號線驅動電路 50 連接, 并與屬于包括發光像素 100 的像素列的各 發光像素連接, 具有提供決定發光強度的信號電壓的功能。然而, 發光顯示裝置 10 具有與 像素列數量相當的信號線 105。
     掃描線 106 與掃描線驅動電路 40 連接, 并與屬于包括發光像素 100 的像素行的各 發光像素連接。由此, 掃描線 106 具有如下功能 : 提供向屬于包括發光像素 100 的像素行的 各發光像素寫入上述信號電壓的定時。然而, 發光顯示裝置 10 具有與像素行數量相當的掃 描線 106。
     然而, 雖然在圖 2 以及圖 3 中沒有記載, 但高電壓側電源線 107 以及低電壓側電源 線 108 分別與其他的發光像素連接, 并且與電壓源連接。高電壓側電源線 107 所連接的電 壓源 VDD 與低電壓側電源線 108 所連接的電壓源 VEE 之間的電位差的大小為, 能夠使足夠 使有機 EL 元件 104 發光的電流流動的大小。然而, 低電壓側電源線 108 也可以接地。
     如以上的結構所示, 實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置 10 具備顯示部 60, 該顯示 部 60 具有排列成二維狀的多個發光像素 100。顯示部 60 通過發光像素 100 內的有機 EL 元 件 104 以與信號電壓對應的發光強度進行發光, 以顯示影像。
     接著, 對實施方式 1 所涉及的發光像素 100 所包含的各個元件的位置關系進行說明。 圖 4 是表示實施方式 1 所涉及的發光像素 100 的布局的一個例子的圖。
     如圖 4 所示, 發光像素 100 可以分成驅動電路區域 110 和發光區域 120。在發光區 域 120 形成有有機 EL 元件 104, 有機 EL 元件 104 按照從信號線 105 提供來的信號電壓進 行發光。然而, 設為實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置 10 為底部發射型的發光顯示裝置。 即, 從有機 EL 元件 104 發出的光向基板的背面方向射出。換言之, 顯示部 60 的顯示面是基 板的背面側。
     驅動電路區域 110 是發光像素 100 中除發光區域 120 以外的區域, 是形成有驅動 有機 EL 元件 104 的驅動電路的區域。在驅動電路區域 110 形成有開關晶體管 101、 電容器 102 以及驅動晶體管 103。
     圖 5 是實施方式 1 所涉及的發光像素 100 的截面圖。 具體而言, 圖 5 是在示意表示 圖 4 所示的發光像素 100 的 A-A 截面的圖。A-A 截面是表示電容器 102 與驅動晶體管 103 之間的位置關系的截面。然而, 為了簡化說明, 圖 5 中沒有示出信號線 105 以及高電壓側電 源線 107。
     如圖 5 所示, 驅動晶體管 103 形成在基板 210 上。驅動晶體管 103 具有半導體層 220、 柵極絕緣膜 230、 柵電極 103g、 源電極 103s、 以及漏電極 103d。另外, 電容器 102 具有 電容器電極 102b、 層間絕緣膜 240、 以及也作為柵電極 103g 而發揮功能的電容器電極 102a。 進一步, 在電容器 102 上形成平坦化膜 250。
     基板 210 例如是玻璃、 石英等具有透明性的透明基板。另外, 基板 210 也可以是塑 料等柔性基板。然而, 在頂部發射型的發光顯示裝置的情況下, 基板 210 可以是硅基板等半 導體基板、 或者, 也可以是由氮化物半導體等化合物半導體構成的化合物半導體基板。
     然而, 雖然設為了驅動晶體管 103 形成在基板 210 上, 但也可以形成在基板 210 上
     方。例如, 也可以在基板 210 上形成緩沖層, 在該緩沖層上形成驅動晶體管 103。
     半導體層 220 是形成在基板 210 上的半導體層, 包括溝道區域 221、 源極區域 222 以及漏極區域 223。 例如, 半導體層 220 由摻雜有雜質的多晶硅、 微晶硅、 非晶硅等無機物半 導體、 或者有機物半導體構成。
     然而, 由于驅動晶體管 103 是 p 型 TFT, 因此在溝道區域 221 中主要以空穴導電。 也就是說, 按照分別施加到源電極 103s、 漏電極 103d 以及柵電極 103g 的電壓, 空穴從源極 區域 222 移動到漏極區域 223, 從而使上述的驅動電流流動。
     柵極絕緣膜 230 例如是硅氧化膜 (SiOx) 等具有絕緣性的膜。在圖 5 所示的例子 中, 柵極絕緣膜 230 以覆蓋半導體層 220 的方式形成在基板 210 的整個面, 在源極區域 222 以及漏極區域 223 的上方區域形成有貫通孔。然而, 柵極絕緣膜 230 至少形成在溝道區域 221 上即可。
     柵電極 103g 是形成在柵極絕緣膜 230 上的金屬電極。例如, 柵電極 103g 是由鉬、 鎢等金屬、 鉬鎢合金、 多晶硅等的單層構造、 或者多晶硅和鈦以及鎢等的層疊構造構成。然 而, 柵電極 103g 與開關晶體管 101 的源極或者漏極連接 ( 圖 5 中沒有示出 )。并且, 柵電極 103g 也作為電容器 102 的電容器電極 102a 發揮功能, 這一點是本發明的最大特征點。
     源電極 103s 形成在源極區域 222 上, 例如由鋁、 銅等金屬或者鋁以及鉬等金屬的 層疊構造構成。源電極 103s 與高電壓側電源線 107 連接 ( 圖 5 中未示出 )。進一步, 如圖 5 所示, 源電極 103s 通過形成在層間絕緣膜 240 以及柵極絕緣膜 230 的貫通孔, 與電容器 102 的電容器電極 102b 連接。
     漏電極 103d 形成在漏極區域 223 上, 例如由鋁等金屬或者鋁以及鉬等金屬的層疊 構造構成。漏電極 103d 與有機 EL 元件 104 的陽極連接 ( 圖 5 中未示出 )。
     層間絕緣膜 240 形成在柵電極 103g 上, 例如由硅氮化膜 (SiNx)、 硅氧化膜等構成。 在圖 5 所示的例子中, 層間絕緣膜 240 以覆蓋柵電極 103g 的方式形成在柵極絕緣膜 230 的 整個面, 在源極區域 222 以及漏極區域 223 的信息區域形成有貫通孔。然而, 層間絕緣膜 240 至少形成在柵電極 103g 上即可。
     然而, 層間絕緣膜 240 的厚度為 100 ~ 1000nm。
     電容器電極 102b 是第一電容器電極的一個例子, 形成在柵電極 103g 的上方, 且形 成在層間絕緣膜 240 上。也就是說, 電容器電極 102b 配置在柵電極 103g 的上方區域內, 并 且配置在層間絕緣膜 240 上。電容器電極 102b 與作為另一個電容器電極 102a 的柵電極 103g 一起構成電容器 102。例如, 電容器電極 102b 由鋁、 銅等金屬或者鋁以及鉬等金屬的 層疊構造構成。然而, 在此例子中, 電容器電極 102b 與高電壓側電源線 107 連接。
     另外, 電容器電極 102b 與源電極 103s 構成同一層, 并與源電極 103s 連接。具體 而言, 電容器電極 102b 通過形成在層間絕緣膜 240 的貫通孔, 與源電極 103s 連接。另外, 電容器電極 102b 優選以與源電極 103s 相同的材料構成。由此, 能夠在同一工序來形成電 容器電極 102b 和源電極 103s, 因此能夠削減工序數。
     然而, 電容器電極 102b 的下面的、 作為電容器電極 102a 的柵電極 103g 的上方區 域內的面積為, 柵電極 103g 的上面面積的 30%~ 100%。然而, 電容器電極 102b 也可以大 于柵電極 103g。另外, 電容器 102 的靜電電容為 0.1 ~ 10pF。
     平坦化膜 250 形成在電容器 102 上, 在作為保護電容器 102 以及驅動晶體管 103的保護膜來發揮功能的同時, 還作為使電容器 102 以及驅動晶體管 103 的上方平坦化的平 坦化膜來發揮功能。平坦化膜 250 例如由硅氧化膜 (SiOx) 或者硅氮化膜 (SiNx) 等構成。
     如以上的構成所示, 電容器 102 利用柵電極 103g 來作為一個電極。就是說, 在驅 動晶體管 103 的上方的區域形成有電容器 102, 所述電容器 102 具備作為電容器電極 102a 的柵電極 103g。
     由此, 如圖 4 所示, 能夠在發光像素 100 內不設置電容器 102 專用的區域而配置電 容器 102。因此, 能夠比較自由地設計電容器 102 的面積、 或者驅動晶體管 103 以及開關晶 體管 101 的配置。或者, 也能夠將其他的電容器加到驅動電路區域 110。這樣, 根據實施方 式 1 所涉及的發光顯示裝置 10, 能夠提高設計的自由度。 由此, 例如實施方式 1 所涉及的發 光顯示裝置 10 為底部發射型, 因此能夠確保較大的發光區域 120, 能夠降低在有機 EL 元件 104 中流動的電流密度, 能夠確保發光顯示裝置 10 的發光壽命更長。
     然而, 如本實施方式所示, 在驅動晶體管 103 的上方形成電容器的結構, 也可以適 用于圖 3 所示的電路以外的其他的驅動電路。具體而言, 本實施方式所涉及的結構可以適 用于具有如下電路結構的驅動電路 : 驅動晶體管 103 的柵極與構成電容器的兩個電容器電 極中的一方電連接。以下, 使用附圖對幾個變形例進行說明。 ( 變形例 1)
     圖 6 是表示實施方式 1 的變形例所涉及的發光像素 300 的電路結構的圖。圖 6 所 示的發光像素 300 具有開關晶體管 101、 313、 314 以及 315、 驅動晶體管 103、 電容器 311 以 及 312、 有機 EL 元件 104、 信號線 105、 掃描線 106、 316、 317 以及 318、 高電壓側電源線 107、 低電壓側電源線 108、 參考電壓電源線 319。然而, 對與圖 3 所示的發光像素 100 相同的結 構標記相同的標號, 以下省略說明。
     開關晶體管 313 是柵極與掃描線 316 連接、 源極和漏極的一方與參考電壓電源線 319 連接、 源極和漏極的另一方與開關晶體管 101 的源極和漏極的一方連接的開關元件的 一個例子。開關晶體管 313 具有如下功能 : 對驅動晶體管 103 的柵極電位進行初始化, 即設 定為參考電位 Vref。
     具體而言, 開關晶體管 313 根據從掃描線 316 提供來的掃描信號而成為導通狀態, 將參考電位 Vref 提供到電容器的第二電極。然而, 開關晶體管 313 例如是 n 型 TFT。
     開關晶體管 314 是柵極與掃描線 317 連接、 源極和漏極的一方與驅動晶體管 103 的柵極連接、 源極和漏極的另一方與驅動晶體管 103 的漏極連接的開關元件的一個例子。 開關晶體管 314 具有檢測驅動晶體管 103 的閾值電壓的功能。
     具體而言, 例如, 開關晶體管 314 根據從掃描線 317 提供來的掃描信號而成為導通 狀態, 使驅動晶體管 103 的柵極和漏極短路。因此, 在驅動晶體管 103 的柵電極產生驅動晶 體管 103 的閾值電壓。開關晶體管 314 例如是 n 型的 TFT。
     開關晶體管 315 是柵極與掃描線 318 連接、 源極和漏極的一方與驅動晶體管 103 的漏極連接、 源極和漏極的另一方與有機 EL 元件 104 的陽極連接的開關元件的一個例子。 開關晶體管 315 具有決定向有機 EL 元件 104 提供驅動電流的定時的功能。
     具體而言, 開關晶體管 315 根據從掃描線 318 提供來的掃描信號而成為導通狀態, 在為導通狀態的期間中, 在驅動晶體管 103 成為導通狀態時, 驅動電流被提供到有機 EL 元 件 104。換而言之, 若開關晶體管 315 為截止狀態, 則不論驅動晶體管 103 的工作如何電流
     都不被提供到有機 EL 元件 104。然而, 開關晶體管 315 例如是 n 型 TFT。
     電容器 311 具有兩個電容器電極 311a 以及 311b。電容器電極 311a 與參考電壓電 源線 319 連接, 電容器電極 311b 與開關晶體管 101 的源極和漏極的一方連接。另外, 電容 器電極 311b 通過電容器 312 而與驅動晶體管 103 的柵極連接。電容器 311 保持與從信號 線 105 所提供的信號電壓對應的電荷。
     電容器 312 是第一電容器的一個例子, 具有兩個電容器電極 312a 以及 312b。 電容 器電極 312a 與開關晶體管 101 的源極和漏極的一方連接, 電容器電極 312b 與驅動晶體管 103 的柵極連接。電容器 312 保持與驅動晶體管 103 的閾值電壓對應的電荷。
     掃描線 316、 317 以及 318 與掃描線驅動電路 40 連接, 并連接到屬于包括發光像素 300 的像素列的各個發光像素。 掃描線 316 具有如下功能 : 提供用于檢測驅動晶體管 103 的 閾值電壓的基準電壓, 所述驅動晶體管 103 被包含在屬于包括發光像素 300 的像素行的各 個發光像素。
     掃描線 317 具有如下功能 : 提供用于檢測驅動晶體管 103 的閾值電壓的定時, 該驅 動晶體管 103 被包含在屬于包括發光像素 300 的像素行的各個發光像素。掃描線 318 具有 如下功能 : 提供用于將驅動電流提供到有機 EL 元件 104 的定時以及用于檢測驅動晶體管 103 的閾值電壓的定時, 所述有機 EL 元件 104 被包含在屬于包括發光像素 300 的像素行的 各個發光像素。 然而, 發光顯示裝置 10 具有相當于像素行數量的掃描線 316、 317 以及 318。
     參考電壓電源線 319 也與其他的發光像素連接, 與提供預定的參考電壓的電壓源 連接。由此, 參考電壓電源線 319 的電位被保持在參考電位 Vref。
     圖 7 是實施方式 1 的變形例所涉及的發光像素 300 的一部分的截面圖。 具體而言, 圖 7 示出了電容器 312 和驅動晶體管 103 的配置結構。然而, 驅動晶體管 103 的截面結構 與圖 5 所示的截面結構相同, 因此以下省略說明。
     如圖 7 所示, 在層間絕緣膜 240 上形成有電容器 312 的電容器電極 312b。并且, 柵 電極 103g 也作為電容器 312 的電容器電極 312a 來發揮功能。
     電容器電極 312b 是第一電容器電極的一個例子, 不與驅動晶體管 103 的源電極 103s 或者漏電極 103d 連接。電容器電極 312b 與開關晶體管 101 的源極或漏極的一方以及 電容器電極 311b 連接 ( 圖 7 中未示出 )。
     如以上所述, 形成在驅動晶體管 103 上的電容器 311 的電容器電極 312b 可以不與 驅動晶體管 103 的各電極連接。就是說, 只要是構成電容器的兩個電極中的一個電極與驅 動晶體管 103 的柵電極 103g 連接的結構, 就能夠適用于本實施方式所涉及的結構。
     ( 變形例 2)
     圖 8 示出了實施方式 1 的其他的變形例所涉及的發光像素 400 的電路結構。圖 8 所示的發光像素 400 與圖 6 所示發光像素 300 相比, 不同之處是, 取代電容器 311 而具備電 容器 411, 以及取代開關晶體管 313 而具備開關晶體管 413。以下, 對與圖 6 所示的發光像 素 300 相同的結構標記相同的標號, 以下省略說明。
     電容器 411 是第一電容器的一個例子, 具有兩個電容器電極 411a 以及 411b。 電容 器電極 411a 與驅動晶體管 103 的柵電極 103g 連接, 電容器電極 411b 例如與高電壓側電源 線 107 連接。電容器 411 保持與從信號線 105 提供來的信號電壓和驅動晶體管的閾值電壓
     對應的電荷。
     開關晶體管 413 是柵極與掃描線 316 連接、 源極和漏極的一方與高電壓側電源線 107 連接、 源極和漏極的另一方與開關晶體管 101 的源極和漏極的一方以及電容器 312 的電 容器電極 312b 連接的開關元件的一個例子。開關晶體管 413 具有對電容器 312 以及電容 器 411 進行初始化的功能。
     具體而言, 開關晶體管 413 通過由從掃描線 316 所提供的掃描信號而成為導通狀 態, 將電容器 312 的電容器電極 312b 的電位設定為 VDD, 開關晶體管 314 從掃描線 317 所提 供的掃描信號而成為導通狀態, 由此進行初始化, 以使在電容器 312 以及電容器 411 保持了 驅動晶體管 103 的閾值電壓的狀態。然而, 開關晶體管 413 例如是 n 型 TFT。
     圖 9 是實施方式 1 的變形例所涉及的發光像素 400 的截面圖。具體而言, 圖9示 出了電容器 312、 電容器 411 以及驅動晶體管 103 的配置結構。然而, 由于驅動晶體管 103 的截面結構與圖 5 所示的截面結構相同, 因此以下省略說明。
     如圖 9 所示, 在層間絕緣膜 240 上形成有電容器 312 的電容器電極 312b 和電容器 411 的電容器電極 411b。并且, 柵電極 103g 也作為電容器 312 的電容器電極 312a 和電容 器 411 的電容器電極 411a 來發揮功能。 電容器電極 411b 是第一電容器電極的一個例子, 與驅動晶體管 103 的源電極 103s 構成同一層, 并與源電極 103s 連接。具體而言, 電容器電極 411b 通過形成在層間絕緣膜 240 的貫通孔而與源電極 103s 連接。
     然而, 電容器電極 312b、 電容器電極 411b 以及源電極 103s 優選以相同的材料構 成。由此, 能夠以同一工序形成電容器電極 312b、 電容器電極 411b 以及源電極 103s, 因此 能夠削減工序數。
     如以上所述, 在實施方式 1 的變形例 2 所涉及的發光顯示裝置 10 中具備多個第一 電容器電極, 多個第一電容器電極與柵電極 103g 之間分別構成第一電容器。在圖 8 和圖 9 所示的例子中, 雖然示出了兩個第一電容器電極, 但也可以是三個以上的第一電容器電極 在柵電極 103g 的上方區域內形成在層間絕緣膜 240 上。
     以上, 在實施方式 1 及其變形例所涉及的發光顯示裝置 10 中, 由驅動電路中所包 含的驅動晶體管 103 的柵電極 103g、 和在柵電極 103g 的上方形成的第一電容器電極構成第 一電容器。這樣構成的第一電容器能夠作為保持電容元件等來進行利用, 所述保持電容元 件等是用于設定向有機 EL 元件 104 提供的驅動電流的電流值的元件。
     由此, 能夠有效地利用發光像素 100 內的有限的區域。即, 能夠提高設計的自由 度。因此, 本實施方式所涉及的發光顯示裝置 10 例如實現了能夠確保較大的發光區域 120 等的效果。
     然而, 實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置 10 還可以具有第二電容器, 該第二電容 器與電容器 102 以電并聯的方式連接。例如, 第二電容器包括上部第二電容器電極和下部 第二電容器電極。上部第二電容器電極和下部第二電容器電極的一方與柵電極 103g 連接, 另一方與源電極 103s 和漏電極 103d 的一方電連接。
     更具體而言, 下部第二電容器電極可以與柵電極 103g 構成同一層, 上部第二電容 器電極可以與電連接的源電極 103s 以及漏電極 103d 的一方構成同一層。 此時, 電容器 102 的電容器電極 102a 與上部第二電容器電極電連接。
     ( 實施方式 2)
     實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置具備開關晶體管、 驅動晶體管以及電容器, 開 關晶體管的柵電極是構成電容器的兩個電容器電極中的一個電極。因此, 電容器形成在開 關晶體管的上方的區域。
     實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置與實施方式 1 所涉及的發光顯示裝置 10 相比 較, 不同之處是顯示部所包含的發光像素的電路結構、 以及構成發光像素的元件的配置。 即, 實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置的電結構與圖 2 所示的實施方式 1 所涉及的發光顯 示裝置 10 相同。因此, 以下省略針對實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置的電結構的說明, 以發光像素的電路結構以及構成發光像素的元件的設置為中心進行說明。
     圖 10 是表示實施方式 2 所涉及的顯示部所具有的發光像素 500 的電路結構的圖。 該圖中的發光像素 500 具備 : 開關晶體管 501、 506、 507 以及 508、 電容器 502 以及 505、 驅動 晶體管 503、 有機 EL 元件 504、 信號線 509、 掃描線 510、 511、 512 以及 513、 高電壓側電源線 514、 低電壓側電源線 515、 以及參考電壓電源線 516。
     開關晶體管 501 是柵極與掃描線 510 連接、 源極和漏極的一方與信號線 509 連接、 源極和漏極的另一方與電容器 502 的電容器電極 502a 和驅動晶體管 503 的柵極連接的開 關元件的一個例子。開關晶體管 501 具有如下功能 : 確定將信號線 509 的信號電壓施加到 電容器 502 的電容器電極 502a 的定時。開關晶體管 501 例如是 n 型的 TFT。
     電容器 502 是相對于驅動晶體管 503 的第一電容器的一個例子, 具有兩個電容器 電極 502a 以及 502b。電容器電極 502a 與驅動晶體管 503 的柵極連接, 電容器電極 502b 與 電容器 505 的電容器電極 505b 以及開關晶體管 507 的源極或漏極連接。電容器 502 保持 與從信號線 509 提供來的信號電壓和驅動晶體管 503 的閾值電壓對應的電荷。也就是說, 電容器 502 是用于設定向有機 EL 元件 504 提供的驅動電流的電流值的保持電容元件的一 個例子。
     驅動晶體管 503 是漏極與高電壓側電源線 514 連接、 源極通過開關晶體管 508 而 與有機 EL 元件 504 的陽極連接的驅動元件的一個例子。驅動晶體管 503 將與在柵極 - 源 極間所施加的信號電壓對應的電壓轉換為與該信號電壓對應的源極 - 漏極間電流。驅動晶 體管 503 例如是 n 型 TFT。
     有機 EL 元件 504 是陽極通過開關晶體管 508 而與驅動晶體管 503 的源極連接、 陰 極與低電壓側電源線 515 連接的發光元件的一個例子。有機 EL 元件 504 通過驅動晶體管 503 使驅動電流流動而進行發光。
     電容器 505 是對于開關晶體管 508 的第一電容器的一個例子, 具有兩個電容器電 極 505a 以及 505b。電容器電極 505a 與掃描線 513 連接, 電容器電極 505b 與電容器電極 502b 和開關晶體管 507 的源極和漏極的一方連接。電容器 505 是用于調整電容器 502 所保 持的電壓量的電容元件的一個例子, 所述電容器 502 是保持從信號線 509 施加的數據電壓 的電容元件。
     開關晶體管 506 是柵極與掃描線 511 連接、 源極和漏極的一方與參考電壓電源線 516 連接、 源極和漏極的另一方與驅動晶體管 503 的柵極連接的開關元件的一個例子。 開關 晶體管 506 具有如下功能 : 對驅動晶體管 503 的柵極施加參考電壓 Vref。然而, 開關晶體 管 506 例如是 n 型 TFT。開關晶體管 507 是柵極與掃描線 512 連接、 源極和漏極的一方與電容器 502 的電 容器電極 502b 連接、 源極和漏極的另一方與驅動晶體管 503 的源極連接的開關元件的一個 例子。開關晶體管 507 具有如下功能 : 在向電容器 502 寫入信號電壓時, 使電容器 502 和驅 動晶體管 503 的源極斷開。然而, 開關晶體管 507 例如是 n 型 TFT。
     開關晶體管 508 是柵極與掃描線 513 連接、 源極和漏極的一方與驅動晶體管 503 的源極連接、 源極和漏極的另一方與有機 EL 元件 504 的陽極連接的開關元件的一個例子。 開關晶體管 508 具有決定向有機 EL 元件 504 提供驅動電流的定時的功能。然而, 開關晶體 管 508 例如是 n 型 TFT。
     信號線 509 與信號線驅動電路連接, 并與屬于包括發光像素 500 的像素列的各個 發光像素連接, 具有提供決定發光強度的信號電壓的功能。然而, 實施方式 2 所涉及的發光 顯示裝置具有相當于像素列數量的信號線 509。
     掃描線 510、 511、 512 以及 513 與掃描線驅動電路連接, 并與屬于包括發光像素 500 的像素行的各個發光像素連接。掃描線 510 具有如下功能 : 提供向屬于包括發光像素 500 的像素行的各個發光像素寫入上述信號電壓的定時。
     掃描線 511 具有如下功能 : 在屬于包括發光像素 500 的像素行的各個發光像素中, 提供向驅動晶體管 503 的柵極施加參考電壓 Vref 的定時。掃描線 512 具有如下功能 : 在屬 于包括發光像素 500 的像素行的各個發光像素中, 提供將電容器 502 和驅動晶體管 503 的 源極切斷的定時。掃描線 513 具有如下功能 : 在屬于包括發光像素 500 的像素行的各個發 光像素中, 提供向有機 EL 元件 504 提供驅動電流的定時。
     然而, 實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置具備相當于像素行數量的掃描線 510、 511、 512 以及 513。
     然而, 圖 10 中雖然沒有記載, 但高電壓側電源線 514、 低電壓側電源線 515 以及參 考電壓電源線 516 分別也與其他的發光像素連接, 且與電壓源連接。 高電壓側電源線 514 所 連接的電壓源和低電壓側電源線 515 所連接的電壓源的電位差為能夠使足夠使有機 EL 元 件 504 發光的電流流動的電位差的大小。然而, 低電壓側電源線 515 也可以接地。
     圖 11 是表示實施方式 2 所涉及的發光像素 500 的布局的一個例子的圖。設為實 施方式 2 所涉及的發光顯示裝置是頂部發射型的發光顯示裝置。即, 從有機 EL 元件 504 發 出的光向基板的表面方向射出。換言之, 顯示部的顯示面是基板的表面側。
     在發光像素 500, 形成有有機 EL 元件 504 的發光區域和驅動電路區域是相同的。 即, 在驅動電路區域的上方形成發光區域。
     如圖 11 所示, 驅動晶體管 503 和電容器 502 在平面內的相同區域重疊地形成, 開 關晶體管 508 和電容器 505 在平面內的相同區域重疊地形成。 這樣, 只要是驅動晶體管 503 或開關晶體管 508 等薄膜晶體管的柵極與電容器的電容器電極為電連接的電路結構, 就能 夠適用于本實施方式所涉及的結構。
     圖 12 是實施方式 2 所涉及的發光像素 500 的截面圖。具體而言, 圖 12 示出了開 關晶體管 508、 電容器 505 以及有機 EL 元件 504 的配置結構。
     然而, 開關晶體管 508 的結構與圖 7 所示的驅動晶體管 103 相同。也即是, 圖 12 所示的基板 610、 半導體層 620、 柵極絕緣膜 630、 層間絕緣膜 640、 柵電極 508g、 源電極 508s 以及漏電極 508d, 分別相當于圖 7 所示的基板 210、 半導體層 220、 柵極絕緣膜 230、 層間絕緣膜 240、 柵電極 103g、 源電極 103s 以及漏電極 103d。另外, 半導體層 620 所包含的溝道區 域 621、 源極區域 622 以及漏極區域 623, 分別相當于半導體層 220 所包含的溝道區域 221、 源極區域 222 以及漏極區域 223。
     如圖 12 所示, 電容器 505 的電容器電極 505b 是第一電容器電極的一個例子, 與源 電極 508s 構成同一層, 且與源電極 508s 電連接。然而, 電容器電極 505b 也可以不與源電 極 508s 電連接而與漏電極 508d 電連接。
     由于實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置是頂部發射型的發光顯示裝置, 因此有機 EL 元件 504 形成在電容器 505 的上層。具體而言, 如圖 12 所示, 介于形成在電容器 505 上 的平坦化膜 650, 形成有機 EL 元件 504。有機 EL 元件 504 具有陽極 504s、 發光層 504b 以及 透明陰極 504c。
     平坦化膜 650 例如由硅氮化膜等構成。
     陽極 504a 是具有光反射性的電極, 例如由鋁等金屬構成。陽極 504a 具有反射從 發光層 504b 發出的光的功能。陽極 504a 是有機 EL 元件 504 的陽極電極, 如圖 10 所示, 通 過開關晶體管 508 而與驅動晶體管 503 的源極連接。
     發光層 504b 是形成在陽極 504a 以及透明或半透明的透明陰極 504c 之間、 通過從 陽極 504a 以及透明陰極 504c 注入的空穴和電子的復合而進行發光的發光層。然而, 發光 層 504b 也可以具有空穴輸送層、 空穴注入層、 電子輸送層、 以及電子注入層等。 透明陰極 504c 是具有透光性的電極, 例如由氧化銦錫 (ITO) 等透明氧化物導電膜 構成。透明陰極 504c 是有機 EL 元件 504 的陰極電極, 如圖 10 所示, 與低電壓側電源線 515 連接。
     如以上所述, 在實施方式 2 所涉及的發光顯示裝置中, 由驅動電路所包含的驅動 晶體管 508 的柵電極 508g、 和在柵電極 508g 的上方形成的電容器電極 505b 構成電容器 505。這樣構成的電容器 505 例如能夠作為下述的電容元件來進行利用, 該電容元件用于對 保持電容元件進行初始化, 對從信號線 509 施加的數據電壓中由保持電容元件所保持的電 壓量進行調整, 所述保持電容元件用于設定提供給有機 EL 元件 504 的驅動電流的電流值。
     因此, 只要是具有開關晶體管的柵電極和電容器的電容器電極的一方電連接的電 路結構的驅動電路, 就能夠適用于本實施方式的結構。由此, 能夠削減電容器專用的區域, 因此能夠提高驅動電路的設計自由度。
     以上根據實施方式對本發明所涉及的發光顯示裝置進行了說明, 但本發明并不限 定于這些實施方式。只要不脫離本發明的主旨, 對該實施方式實施了本領域的技術人員能 夠想到的各種變形而得到實施方式、 以及組合不同的實施方式中的構成要素而構成的實施 方式均包含在本發明的范圍內。
     例如, 本發明能夠適用于具有如下電路結構的電路, 該電路結構為驅動電路所包 括的薄膜晶體管的柵極和電容器的一個電極連接。在上述實施方式中, 雖然對驅動晶體管 或開關晶體管的柵極和電容器的電極的一方連接的結構進行了說明, 但電路結構等不限于 上述說明。
     另外, 在以上所述的實施方式中, 作為在對開關晶體管的柵極施加了正的電壓的 情況下成為導通狀態的 n 型晶體管進行了說明, 但即使是以 p 型晶體管來形成上述那些晶 體管、 使掃描線的極性反轉的影像顯示裝置, 也能夠實現與上述的各個實施方式同樣的效
     果。 另外, 在以上的說明中, 以下部電極為陽極、 上部電極為陰極的情況進行了說明, 但當然 也可以是下部電極為陰極、 上部電極為陽極。
     另外, 例如本發明所涉及的發光顯示裝置可以內置于圖 13 所示的電視機中。通過 內置本發明所涉及的發光顯示裝置, 能實現能夠進行反映了影像信號的高精確的圖像顯示 的電視機。
     另外, 本發明所涉及的發光顯示裝置也可以具備與第一電容器以電并聯方式連接 的第二電容器, 該第一電容器作為下部電極而具備上述那樣的薄膜晶體管的柵電極。
     圖 14 是表示本發明所涉及的發光顯示裝置的其他的變形例的發光像素的布局的 一個例子的圖。然而, 在圖 14 中, 對與圖 1 所示的現有的發光顯示裝置相同的結構標記相 同的標號, 以下省略說明。
     如圖 14 所示, 發光像素 700 具有第一電容器 708 和作為第二電容器的保持電容器 702。第一電容器 708 形成在驅動晶體管 703 上, 具有上部電極和下部電極。第一電容器 708 的下部電極也作為驅動晶體管 703 的柵電極發揮功能。作為第二電容器的保持電容器 702 具有上部第二電容器電極和下部第二電容器電極。
     第一電容器 708 的上部電極與保持電容器 702 的上部第二電容器電極電連接。具 體而言, 如圖 14 所示, 第一電容器 708 的上部電極與保持電容器 702 的上部第二電容器電 極、 電源線 707、 驅動晶體管 703 的源極和漏極的一方構成同一層, 且與驅動晶體管 703 的源 極和漏極的上述一方電連接。 第一電容器 708 的下部電極如上述那樣也作為驅動晶體管 703 的柵極來發揮功 能, 并且與保持電容器 702 的下部第二電容器電極電連接。具體而言, 如圖 14 所示, 作為第 一電容器 708 的下部電極的柵電極與保持電容器 702 的下部第二電容器電極構成同一層, 且與之電連接。
     通過以上的結構, 能夠有效地利用驅動晶體管 703 的上方的區域, 并且能夠使保 持電容器 702 的容量更大。
     本發明所涉及的發光顯示裝置例如能夠利用于電視機、 個人電腦、 移動電話等所 有的顯示裝置。
     標號說明
     10 發光顯示裝置
     20 控制電路
     40 掃描線驅動電路
     50 信號線驅動電路
     60 顯示部
     100、 300、 400、 500、 700 發光像素
     101、 313、 314、 315、 413、 501、 506、 507、 508、 701 開關晶體管
     102、 311、 312、 411、 502、 505 電容器
     102a、 102b、 311a、 311b、 312a、 312b、 411a、 411b、 502a、 502b、 505a、 505b 電 容 器 電 極
     103、 503、 703 驅動晶體管
     103d、 508d 漏電極
     103g、 508g 柵電極 103s、 508s 源電極 104、 504 有機電致發光元件 ( 有機 EL 元件 ) 105、 509、 705 信號線 106、 316、 317、 318、 510、 511、 512、 513、 706 掃描線 107、 514 高電壓側電源線 108、 515 低電壓側電源線 110 驅動電路區域 120 發光區域 210、 610 基板 220、 620 半導體層 221、 621 溝道區域 222、 622 源極區域 223、 623 漏極區域 230、 630 柵極絕緣膜 240、 640 層間絕緣膜 250、 650 平坦化膜 319、 516 參考電壓電源線 504a 陽極 504b 發光層 504c 透明陰極 702 保持電容器 704 發光元件 707 電源線 708 第一電容器

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發光 顯示裝置
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