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發光二極管封裝結構及其制造方法和顯示裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010119696.1

申請日:

2010.02.05

公開號:

CN102148312B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||著錄事項變更IPC(主分類):H01L 33/48變更事項:申請人變更前:億光電子工業股份有限公司變更后:億光電子工業股份有限公司變更事項:地址變更前:中國臺灣臺北縣土城市中央路三段76巷25號變更后:中國臺灣新北市樹林區中華路6之8號|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 33/48申請日:20100205|||公開
IPC分類號: H01L33/48(2010.01)I; H01L33/62(2010.01)I; H01L33/52(2010.01)I; G09F9/33 主分類號: H01L33/48
申請人: 億光電子工業股份有限公司
發明人: 賴律名
地址: 中國臺灣新北市樹林區中華路6之8號
優先權:
專利代理機構: 上海專利商標事務所有限公司 31100 代理人: 任永武
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010119696.1

授權公告號:

102148312B|||||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2014.12.31|||2011.09.21|||2011.08.10

法律狀態類型:

授權|||著錄事項變更|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供發光二極管封裝結構及其制造方法和顯示裝置。該制造方法包括:提供由至少一基材構成的基板結構;形成第一導電層于基板結構的第一面上;在基板結構上形成多個穿透基板結構的鉆孔;形成一黏結層于相對該第一面的一第二面上,以將這些鉆孔的一端覆蓋住;形成一第二導電層于黏結層上;自該第一面,由這些鉆孔的一端內移除部份的黏結層;沉積一金屬層于該第一面上,并形成在這些鉆孔的內側壁及底部上;分別圖案化第一和第二導電層以形成一電路圖案于該第一面及第二面上;封裝一發光二極管芯片于該第二面上,并與電路圖案電性連接;模鑄封膠并覆蓋住該第二面;以及沿這些鉆孔所構成的封裝區域的外緣,切割基板結構以形成發光二極管封裝結構。

權利要求書

1: 一種發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 包括 : 提供一基板結構, 該基板結構由至少一基材所構成, 該基板結構具有一第一導電層設 置于一第一面上 ; 在該基板結構上形成多個鉆孔, 這些鉆孔穿透該基板結構 ; 形成一黏結層于相對該基板結構的該第一面的一第二面上, 以將這些鉆孔的一端覆蓋 住; 形成一第二導電層于該黏結層上 ; 自該基板結構的該第一面, 由這些鉆孔的一端內移除部份的該黏結層 ; 沉積一金屬層于該基板結構的第一面上, 并形成在這些鉆孔的內側壁及底部上 ; 分別圖案化該第一和第二導電層以形成一電路圖案于該基板結構的第一面及該第二 面上 ; 封裝一發光二極管芯片于該基板結構的第二面上, 并與該電路圖案電性連接 ; 模鑄一封膠并覆蓋住該基板結構的第二面 ; 以及 沿這些鉆孔所構成的一封裝區域的外緣, 切割該基板結構以形成該發光二極管封裝結 構。
2: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該基材包括 一 PCB 基板。
3: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該第一導電 層為一銅箔。
4: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該第一導電 層被圖案化成一陰極與一陽極電極。
5: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 這些鉆孔的 形成步驟包括將多片基材堆疊后, 再對這些堆疊的基材同時進行機械式鉆孔。
6: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該該黏結層 的形成步驟包括涂布或使用無基材黏著方式形成于該基板的第二面上。
7: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該該第二導 電層為一銅箔。
8: 根據權利要求 1 所述的發光二極管封裝結構的制造方法, 其特征在于, 該第二導電 層被圖案化成一固芯片墊和一焊墊。
9: 一種發光二極管封裝結構, 其特征在于, 包括 : 一基底, 該基底具有多個四分之一的圓形通孔設置在該基底的角落上 ; 一圖案化的第一導電層, 設置于該基底的一表面上 ; 一圖案化的第二導電層, 設置于相對該基底表面的另一表面上 ; 一黏結層, 設置于該圖案化的第二導電層與該基底的該表面之間 ; 一金屬層, 形成于這些基底的圓形通孔的內側壁 ; 一發光二極管芯片, 設置于該圖案化的第二導電層上, 并通過該金屬層電性連接該圖 案化的第一導電層 ; 以及 一光學透鏡, 其完全包覆該芯片及該基底的該表面。
10: 根據權利要求 9 所述的發光二極管封裝結構, 其特征在于, 該圖案化的第一導電層 2 包括一陰極及一陽極。
11: 根據權利要求 10 所述的發光二極管封裝結構, 其特征在于, 還包括一防焊漆層設 置于該陰極與該陽極之間。
12: 根據權利要求 9 所述的發光二極管封裝結構, 其特征在于, 該圖案化的第二導電層 包括兩導電性相異的導電區域, 該兩導電區域彼此分離設置。
13: 根據權利要求 12 所述的發光二極管封裝結構, 其特征在于, 該芯片設置在該兩導 電區域其中之一個, 并通過一金屬導線電性連接于該兩導電區域其中另一個。
14: 一種顯示裝置, 其特征在于, 包括 : 一顯示面板 ; 以及 多個發光二極管封裝結構及多個傳感器, 這些發光二極管封裝結構及這些傳感器成對 地設置于該顯示面板的角落, 各該發光二極管結構用以發射一光源, 各該傳感器用以作為 檢測觸控信號的元件 ; 其中該發光二極管封裝結構包括 : 一基底, 該基底具有多個四分之一的圓形通孔設置在該基底的角落上 ; 一圖案化的第一導電層, 設置于該基底的一表面上 ; 一圖案化的第二導電層, 設置于相對該基底表面的另一表面上 ; 一黏結層, 設置于該圖案化的第二導電層與該基底的該表面之間 ; 一金屬層, 形成于這些基底的圓形通孔的內側壁 ; 一發光二極管芯片, 設置于該圖案化的第二導電層上, 并通過該金屬層電性連接該圖 案化的第一導電層 ; 以及 一光學透鏡, 其完全包覆該芯片及該基底的該表面。
15: 根據權利要求 14 所述的顯示裝置, 其特征在于, 該傳感器為 CMOS 傳感器。
16: 根據權利要求 14 所述的顯示裝置, 其特征在于, 該圖案化的第一導電層包括一陰 極及一陽極。
17: 根據權利要求 14 所述的發光二極管封裝結構, 其特征在于, 該圖案化的第二導電 層包括兩導電性相異的導電區域, 該兩導電區域彼此分離設置。
18: 根據權利要求 17 所述的顯示裝置, 其特征在于, 該芯片設置在該兩導電區域其中 之一個, 并通過一金屬導線電性連接于該兩導電區域其中另一個。

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發光二極管 封裝 結構 及其 制造 方法 顯示裝置
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