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溝槽式金屬氧化物半導體晶體管.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010153755.7

申請日:

2010.04.22

公開號:

CN101819974B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||專利申請權的轉移IPC(主分類):H01L 27/088變更事項:申請人變更前權利人:上海宏力半導體制造有限公司變更后權利人:上海華虹宏力半導體制造有限公司變更事項:地址變更前權利人:201203 上海市張江高科技園區郭守敬路818號變更后權利人:201203 上海市張江高科技園區祖沖之路1399號登記生效日:20140514|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/088申請日:20100422|||公開
IPC分類號: H01L27/088; H01L29/78; H01L23/528 主分類號: H01L27/088
申請人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
發明人: 李樂; 王立斌; 汪洋; 彭樹根
地址: 201203 上海市張江高科技園區祖沖之路1399號
優先權:
專利代理機構: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 代理人: 鄭瑋
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010153755.7

授權公告號:

101819974B|||||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2014.06.11|||2012.10.03|||2010.09.01

法律狀態類型:

授權|||專利申請權、專利權的轉移|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明公開了一種溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,所述溝槽式金屬氧化物半導體晶體管包括:半導體襯底;依次形成于所述半導體襯底中的外延層和溝道區;形成于所述半導體襯底中的多個凹槽;形成于所述多個凹槽中的柵極;形成于所述凹槽與柵極之間的柵極介質層;形成于對應的溝道區內并位于凹槽兩側的源極區;形成于所述半導體襯底上的絕緣層;貫穿所述絕緣層并伸入到對應的源極區內和對應的溝道區內的源極接觸插塞;貫穿所述絕緣層的柵極接觸插塞,所述柵極接觸插塞的底端面與所對應的柵極的頂端面齊平,本發明可提高半導體器件的穩定性。

權利要求書

1: 一種溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,包括: 半導體襯底; 依次形成于所述半導體襯底中的外延層和溝道區; 形成于所述半導體襯底中的多個凹槽; 形成于所述多個凹槽中的柵極; 形成于所述凹槽與所述柵極之間的柵極介質層; 形成于對應的溝道區內并位于所述凹槽兩側的源極區; 形成于所述半導體襯底上的絕緣層; 貫穿絕緣層并伸入到對應的源極區內和對應的溝道區內的源極接觸插塞; 貫穿所述絕緣層的柵極接觸插塞,所述柵極接觸插塞的底端面與所對應的柵極的頂端面齊平。
2: 如權利要求1所述的溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,其特征在于,所述半導體襯底為N型半導體襯底,所述外延層為N型外延層,所述半導體襯底的離子注入濃度高于所述外延層的離子注入濃度。
3: 如權利要求2所述的溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,其特征在于,所述柵極為N型多晶硅柵極。
4: 如權利要求1所述的溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,其特征在于,所述半導體襯底為P型半導體襯底,所述外延層為P型外延層,所述半導體襯底的離子注入濃度高于所述外延層的離子注入濃度。
5: 如權利要求4所述的溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,其特征在于,所述柵極為P型多晶硅柵極。
6: 如權利要求1所述的溝槽式金屬氧化物半導體晶體管,其特征在于,所述絕緣層包括氧化層以及形成于所述氧化層上的硼磷硅玻璃層。

關 鍵 詞:
溝槽 金屬 氧化物 半導體 晶體管
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