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一種用于ESD保護電路的GGNMOS器件.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010172659.7

申請日:

2010.05.12

公開號:

CN101866922B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||專利申請權的轉移IPC(主分類):H01L 27/088變更事項:申請人變更前權利人:上海宏力半導體制造有限公司變更后權利人:上海華虹宏力半導體制造有限公司變更事項:地址變更前權利人:201203 上海市張江高科技園區郭守敬路818號變更后權利人:201203 上海市張江高科技園區祖沖之路1399號登記生效日:20140514|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/088申請日:20100512|||公開
IPC分類號: H01L27/088; H01L29/78; H01L29/06 主分類號: H01L27/088
申請人: 上海華虹宏力半導體制造有限公司
發明人: 胡劍
地址: 201203 上海市張江高科技園區祖沖之路1399號
優先權:
專利代理機構: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 代理人: 鄭瑋
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010172659.7

授權公告號:

101866922B|||||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2014.06.11|||2012.10.03|||2010.10.20

法律狀態類型:

授權|||專利申請權、專利權的轉移|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供一種用于ESD保護的GGNMOS器件,包括:襯底,位于所述襯底上的P阱區,在所述P阱區中設有的若干漏極區,在所述P阱區表面、所述漏極區兩側設有的柵極區,在所述P阱區、所述柵極區的另一側設有的源極區,在所述源極區之間設有的P型摻雜區,在所述源極區下方、緊挨所述源極區處設有的N阱區。所述用于ESD保護的GGNMOS器件既能解決非一致觸發問題,又能解決泄漏通道中電阻降低、觸發電壓升高,靜電電流不易泄漏的問題。

權利要求書

1.一種用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,包括:襯底,位于所述襯底上的P阱區,在所述P阱區中設有的若干漏極區,在所述P阱區表面、所述漏極區的兩側設有的柵極區,在所述P阱區中、所述柵極區的另一側設有的源極區,在所述源極區之間設有的P型摻雜區,在所述源極區的下方、緊挨所述源極區設有的N阱區。2.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述漏極區與ESD輸入端電性相連,所述源極區、所述柵極區和所述P型摻雜區接地。3.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,在所述GGNMOS器件邊緣、所述N阱中還設有STI結構。4.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述P阱區的摻雜濃度為1012/cm2~1013/cm2。5.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述N阱區的摻雜濃度為1012/cm2~1013/cm2。6.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述P型摻雜區的濃度為1012/cm2~1013/cm2。7.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述N阱區的深度等于所述源極區的深度。8.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述N阱區的寬度等于所述源極區的寬度。9.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述P阱區的深度等于所述N阱區與所述源極區深度之和。10.如權利要求1所述的用于ESD保護的GGNMOS器件,其特征在于,所述P型摻雜區的寬度為滿足工藝要求的最小寬度。

關 鍵 詞:
一種 用于 ESD 保護 電路 GGNMOS 器件
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本文標題:一種用于ESD保護電路的GGNMOS器件.pdf
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