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接觸電極制造方法和半導體器件.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010531985.2

申請日:

2010.10.29

公開號:

CN102468326B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 29/417申請日:20101029|||公開
IPC分類號: H01L29/417; H01L29/78; H01L21/28; H01L21/768 主分類號: H01L29/417
申請人: 中國科學院微電子研究所
發明人: 朱慧瓏; 尹海洲; 駱志炯
地址: 100029 北京市朝陽區北土城西路3號
優先權:
專利代理機構: 中科專利商標代理有限責任公司 11021 代理人: 趙偉
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010531985.2

授權公告號:

102468326B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2012.07.04|||2012.05.23

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提出了一種半導體器件,包括:襯底;柵極部分,形成在所述襯底上;源極部分和漏極部分,分別位于所述柵極部分的相對側;接觸電極,與所述源極部分和/或所述漏極部分相接觸,其中所述接觸電極在與所述源極部分和/或所述漏極部分接觸的一端具有增大的端部。在本發明中,由于在與源極部分/漏極部分接觸的界面,增大了接觸電極的接觸面積,實現了接觸電阻的降低,從而確保/增強了半導體器件的性能。本發明還提出了用于制造前述半導體器件(尤其是其中的接觸電極)的方法。

權利要求書

1: 一種半導體器件, 包括 : 襯底 ; 柵極部分, 形成在所述襯底上 ; 源極部分和漏極部分, 分別位于所述柵極部分的相對側 ; 接觸電極, 與所述源極部分和 / 或所述漏極部分相接觸, 其中所述接觸電極在與所述源極部分和 / 或所述漏極部分接觸的一端具有增大的端 部。
2: 根據權利要求 1 所述的半導體器件, 其特征在于 所述源極部分包括形成在所述襯底內的源極原位摻雜層和位于所述源極原位摻雜層 上的提升源極層, 以及 所述漏極部分包括形成在所述襯底內的漏極原位摻雜層和位于所述漏極原位摻雜層 上的提升漏極層。
3: 根據權利要求 2 所述的半導體器件, 其特征在于 所述接觸電極的增大的端部位于所述提升源極層或所述提升漏極層中。
4: 根據權利要求 2 所述的半導體器件, 其特征在于 所述接觸電極的增大的端部位于所述提升源極層和所述源極原位摻雜層中 ; 和/或 所述接觸電極的增大的端部位于所述提升漏極層和所述漏極原位摻雜層中。
5: 根據權利要求 4 所述的半導體器件, 其特征在于 所述接觸電極由應變電極材料形成。
6: 根據權利要求 1 ~ 5 之一所述的半導體器件, 其特征在于 所述襯底是 Si 襯底, 所述 Si 襯底表面的晶面取向為 <100>, 所述提升源極層和 / 或所 述提升漏極層是沿所述 Si 襯底表面的晶面取向 <100> 外延生長形成的, 所述增大的端部是 通過濕法刻蝕形成的。
7: 根據權利要求 1 ~ 5 之一所述的半導體器件, 其特征在于 所述襯底是 Si 襯底, 所述 Si 襯底表面的晶面取向為 <100>, 所述提升源極層和 / 或所 述提升漏極層是沿所述 Si 襯底表面的晶面取向 <100> 外延生長形成的, 所述增大的端部的 側壁與 Si 晶體的晶面 {111} 平行。
8: 一種接觸電極制造方法, 包括 : 在半導體器件結構上形成接觸孔, 所述半導體器件結構包括柵極部分、 源極部分和漏 極部分, 所述接觸孔的底部暴露出所述源極部分和 / 或所述漏極部分 ; 對暴露在所述接觸孔的底部的所述源極部分和 / 或所述漏極部分進行刻蝕, 形成底部 增大的接觸孔 ; 以及 在底部增大的接觸孔中填充電極材料, 形成與源極部分和 / 或漏極部分相接觸的接觸 電極, 由此所述接觸電極在與源極部分和 / 或漏極部分接觸的一端具有增大的端部。
9: 根據權利要求 8 所述的接觸電極制造方法, 其特征在于 所述源極部分包括形成在襯底內的源極原位摻雜層和位于源極原位摻雜層上的提升 源極層, 以及 所述漏極部分包括形成在襯底內的漏極原位摻雜層和位于漏極原位摻雜層上的提升 漏極層。 2
10: 根據權利要求 9 所述的接觸電極制造方法, 其特征在于 在所述刻蝕步驟中, 僅刻蝕所述源極原位摻雜層和 / 或所述漏極原位摻雜層。
11: 根據權利要求 9 所述的接觸電極制造方法, 其特征在于 在所述刻蝕步驟中, 刻蝕所述源極原位摻雜層和所述提升源極層, 和 / 或刻蝕所述漏 極原位摻雜層和所述提升漏極層。
12: 根據權利要求 11 所述的接觸電極制造方法, 其特征在于 所述電極材料是應變電極材料。
13: 根據權利要求 8 ~ 12 之一所述的半導體器件, 其特征在于 所述襯底是 Si 襯底, 所述 Si 襯底表面的晶面取向為 <100>, 所述提升源極層和 / 或所 述提升漏極層是沿所述 Si 襯底表面的晶面取向 <100> 外延生長形成的, 所述底部增大的接 觸孔是通過濕法刻蝕形成的。
14: 根據權利要求 8 ~ 12 之一所述的半導體器件, 其特征在于 所述襯底是 Si 襯底, 所述 Si 襯底表面的晶面取向為 <100>, 所述提升源極層和 / 或所 述提升漏極層是沿所述 Si 襯底表面的晶面取向 <100> 外延生長形成的, 所述底部增大的接 觸孔的側壁與 Si 晶體的晶面 {111} 平行。

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接觸 電極 制造 方法 半導體器件
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