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豎直型集成電路器件和存儲器件.pdf

摘要
申請專利號:

CN201010521278.5

申請日:

2010.10.22

公開號:

CN102122656B

公開日:

2015.01.07

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H01L 27/02申請日:20101022|||公開
IPC分類號: H01L27/02; H01L29/06; H01L29/78; H01L27/10; H01L27/108 主分類號: H01L27/02
申請人: 三星電子株式會社
發明人: 尹在萬; 洪亨善; 田光悅; 吉田誠; 黃德性; 李哲
地址: 韓國京畿道
優先權: 2009.10.22 KR 100765/09
專利代理機構: 北京市柳沈律師事務所 11105 代理人: 屈玉華
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法律狀態
申請(專利)號:

CN201010521278.5

授權公告號:

102122656B||||||

法律狀態公告日:

2015.01.07|||2012.09.19|||2011.07.13

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

本發明提供了一種豎直型集成電路器件和存儲器件。該豎直型集成電路器件包括襯底以及從該襯底豎直地突出的柱。柱包括其中的下雜質區和上雜質區以及在兩者之間的豎直溝道區。柱的其中包括下雜質區的部分包括從該柱橫向地延伸的臺面。器件還包括第一導電線和第二導電線,第一導電線在柱的第一側壁上延伸并電接觸下雜質區,第二導電線在柱的鄰近豎直溝道區的第二側壁上延伸。第二導電線在垂直于第一導電線的方向上延伸并與臺面間隔開。還論述了相關器件及其制造方法。

權利要求書

1: 一種豎直型集成電路器件, 包括 : 襯底 ; 柱, 從所述襯底豎直地突出, 所述柱包括位于其中的下雜質區和上雜質區以及在所述 下雜質區與所述上雜質區之間的豎直溝道區, 其中所述柱的包括所述下雜質區的部分包含 從該柱橫向地延伸的臺面 ; 第一導電線, 在所述柱的第一側壁上延伸并電接觸所述下雜質區 ; 以及 第二導電線, 在所述柱的鄰近所述豎直溝道區的第二側壁上延伸, 所述第二導電線在 垂直于所述第一導電線的方向上延伸并與所述臺面間隔開。
2: 如權利要求 1 所述的器件, 其中所述下雜質區的截面面積大于所述豎直溝道區和所 述上雜質區的截面面積。
3: 如權利要求 2 所述的器件, 其中所述柱的截面面積在遠離所述襯底的方向上減小。
4: 如權利要求 1 所述的器件, 其中所述第二導電線包括字線, 所述器件還包括 : 柵極絕緣層, 在所述豎直溝道區與所述字線之間的所述第二側壁上延伸, 其中所述字線在所述臺面上延伸, 并且其中所述柵極絕緣層在所述臺面和所述字線之 間延伸。
5: 如權利要求 4 所述的器件, 其中所述臺面包括第二臺面, 其中所述柱的包括下雜質 區的部分還包括第一臺面, 該第一臺面在垂直于所述第一導電線的方向上從所述柱橫向延 伸, 并且其中所述第一導電線包括在所述第一臺面上延伸的位線。
6: 如權利要求 5 所述的器件, 其中所述位線直接接觸所述第一臺面。
7: 如權利要求 5 所述的器件, 其中所述襯底和所述柱包括相同的半導體材料。
8: 如權利要求 5 所述的器件, 還包括 : 在所述襯底與所述柱之間的埋入絕緣層。
9: 如權利要求 8 所述的器件, 其中所述位線在所述埋入絕緣層上延伸。
10: 如權利要求 8 所述的器件, 其中所述位線包括第一位線, 還包括 : 第二位線, 在所述柱的與所述第一側壁相反的第三側壁上延伸, 所述第一側壁上包括 第一位線。
11: 如權利要求 5 所述的器件, 還包括 : 存儲電極, 在所述柱的其中包括所述上雜質區的部分上。
12: 如權利要求 11 所述的器件, 還包括 : 單元焊墊, 在所述柱的包括所述上雜質區的部分與所述存儲電極之間。
13: 如權利要求 5 所述的器件, 還包括 : 多個柱, 從所述襯底豎直地突出, 所述多個柱沿所述位線設置, 其中所述多個柱中分別 包括上雜質區和下雜質區以及位于所述上雜質區和下雜質區之間的豎直溝道區 ; 以及 多條字線, 分別在所述多個柱中的各個柱的第二側壁上延伸且鄰近所述柱中相應的豎 直溝道區, 其中所述第二導電線包括多條字線之一, 并且其中所述多條字線在垂直于所述 位線的方向上延伸。
14: 如權利要求 13 所述的器件, 其中所述多個柱的所述下雜質區被電連接。
15: 如權利要求 5 所述的器件, 還包括 : 多個柱, 從所述襯底豎直地突出, 所述多個柱沿所述字線設置, 所述多個柱中分別包括 2 上雜質區和下雜質區以及位于所述上雜質區和下雜質區之間的豎直溝道區 ; 以及 多條位線, 分別在所述多個柱的各個柱的第一側壁上延伸, 其中所述第一導電線包括 所述多條位線之一, 并且其中所述多條位線在垂直于所述字線的方向上延伸。
16: 一種存儲器件, 包括 : 襯底, 包括單元區域和周邊電路區域 ; 豎直型半導體器件, 在所述單元區域上 ; 以及 平面型半導體器件, 在所述周邊電路區域上, 其中所述豎直型半導體器件包括 : 半導體柱, 從所述單元區域沿豎直方向突出, 并包括上雜質區、 下雜質區和位于所述上 雜質區和下雜質區之間的豎直溝道區 ; 位線, 設置在所述半導體柱的第一側壁上以電接觸所述下雜質區 ; 字線, 設置在所述半導體柱的鄰近所述豎直溝道區的第二側壁上, 并在基本垂直于所 述位線的方向上延伸 ; 柵極絕緣層, 在所述豎直溝道區與所述字線之間的所述第二側壁上延伸, 以及 存儲電極, 設置在所述上雜質區上。
17: 如權利要求 16 所述的存儲器件, 其中所述平面型半導體器件包括在所述周邊電路 區域上的平面型柵極電極。
18: 如權利要求 17 所述的存儲器件, 其中所述平面型柵極電極設置在所述字線之上。
19: 一種豎直型半導體器件, 包括 : 襯底 ; 半導體柱, 從所述襯底突出, 該柱中包括下雜質區和上雜質區以及位于所述下雜質區 和所述上雜質區之間的豎直溝道區, 其中所述柱的底部包括第一臺面和第二臺面, 所述第 一臺面在第一方向上從所述柱橫向延伸, 所述第二臺面在基本垂直于第一方向的第二方向 上從所述柱橫向延伸, 所述第一臺面和所述第二臺面中包括所述下雜質區 ; 位線, 在所述第一臺面上并在所述第二方向上延伸, 該位線電接觸所述下雜質區 ; 字線, 在所述第二臺面上并鄰近所述豎直溝道區, 該字線在所述第一方向上延伸并與 所述第一臺面間隔開 ; 以及 柵極絕緣層, 在所述豎直溝道區與所述字線之間以及在所述下雜質區與所述字線之間 延伸。

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豎直 集成電路 器件 存儲
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