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用于減少功率半導體接通過程中電磁放射的方法和裝置.pdf

摘要
申請專利號:

CN200980140618.5

申請日:

2009.08.19

公開號:

CN102177655B

公開日:

2014.09.17

當前法律狀態:

授權

有效性:

有權

法律詳情: 授權|||實質審查的生效IPC(主分類):H03K 17/16申請日:20090819|||公開
IPC分類號: H03K17/16; H03K17/567 主分類號: H03K17/16
申請人: 羅伯特·博世有限公司
發明人: S·亨布格爾
地址: 德國斯圖加特
優先權: 2008.10.16 DE 102008042895.7
專利代理機構: 中國專利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 李少丹;李家麟
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法律狀態
申請(專利)號:

CN200980140618.5

授權公告號:

102177655B||||||

法律狀態公告日:

2014.09.17|||2011.11.16|||2011.09.07

法律狀態類型:

授權|||實質審查的生效|||公開

摘要

提出一種用于在功率半導體(16)的接通過程中借助電流預控制(25)減少電磁放射的方法以及一種用于實施該方法的裝置(10),其中,功率半導體(16)這樣控制負載(12),使接通之后負載電流(IL、ID,3、ID,4)通過負載(12)和功率半導體(16)流動,其飽和值(ID,sat,3、ID,sat,4)確定功率半導體(16)的工作點,以及其中為負載電流(IL、ID,3、ID,4)不同的飽和值(ID,sat,3、ID,sat,4)產生功率半導體(16)的不同工作點。該方法的特征在于,通過電流預控制(25)預先規定的控制電流(IS、IG,3、IG,4)基本上劃分成至少兩個彼此相繼的半波(44、46),其中針對功率半導體(16)相當于負載電流(ID,3)的最高飽和值(ID,sat,3)的工作點,當負載電流(IL、ID,3)大致達到了其最大值(ID,max,3)時,在第一半波(44)后跟隨另一半波(46)。

權利要求書

1: 一種用于在功率半導體 (16) 的接通過程中借助電流預控制 (25) 減少電磁放射的方 法, 其中, 所述功率半導體 (16) 控制負載 (12), 使得在接通之后負載電流 (IL、 ID, ID, 3、 4) 流 過負載 (12) 和功率半導體 (16), 所述負載電流的飽和值 (ID,sat, ID,sat, 3、 4) 確定所述功率半 導體 (16) 的工作點, 以及其中針對所述負載電流 (IL、 ID, ID, ID, 3、 4) 的不同飽和值 (ID, sat, 3、 其特征在于, 通過電流預控制 (25) 預先規定 sat, 4) 產生所述功率半導體 (16) 的不同工作點, 的控制電流 (IS、 IG, IG, 46), 其中針對所述 3、 4) 基本上劃分成至少兩個彼此相繼的半波 (44、 功率半導體 (16) 的相當于負載電流 (ID, 當所述負載電 3) 的最高飽和值 (ID, sat, 3) 的工作點, 流 (IL、 ID, 則在第一半波 (44) 之后跟隨另一半波 (46)。 3) 大致達到了其最大值 (ID, max, 3) 時,
2: 按權利要求 1 所述的方法, 其特征在于, 所述控制電流 (IS、 IG, IG, 46) 3、 4) 的半波 (44、 的時間上的劃分在功率半導體 (16) 的相當于低于最高飽和值 (ID,sat, 3) 的飽和值 (ID, sat, 4) 的工作點處保持不變。
3: 按前述權利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制電流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 的半波 (44、 46) 分別近似相當于正的正弦形半波。
4: 按前述權利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制電流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 第二半 波 (46) 的振幅高于所述第一半波 (44) 的振幅。
5: 按前述權利要求之一所述的方法, 其特征在于, 所述控制電流 (IS、 IG, IG, 3、 4) 第二半 波 (46) 的持續時間短于所述第一半波 (44) 的持續時間。
6: 按前述權利要求之一所述的方法, 其特征在于底層調節 (48), 例如底層 PI 調節。
7: 用于實施按權利要求 1-6 之一所述方法的裝置 (10)。
8: 按權利要求 7 所述的裝置 (10), 其特征在于, 所述功率半導體 (16) 是 MOSFET(18) 或者 IGBT(20)。
9: 按權利要求 8 所述的裝置 (10), 其特征在于, 所述控制電流 (IS) 是 MOSFET(18) 或 者 IGBT(20) 的柵極電流 (IG, IG, 3、 4)。
10: 按前述權利要求 8 或 9 之一所述的裝置 (10), 其特征在于, 所述負載電流 (IL) 相 當于 MOSFET(18) 的漏極電流 (ID, ID, 3、 4) 或者 IGBT(20) 的集電極電流。

關 鍵 詞:
用于 減少 功率 半導體 接通 過程 電磁 放射 方法 裝置
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